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中国物理学会2013年秋季学术会议

作者：袁昊辰聂帅华赵建华马天平吴义政陈张海赵海斌陈良尧复旦大学光科学与工程系微纳光子结构教育部重点实验室上海超精密光学工程中心上海200433 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室先进材料实验室上海200433

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双量子点Aharonov-Bohm干涉系统输运性质的大偏离分析

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物理学报 2012年第13期61卷 400-407页

作者：栗军刘玉平婧叶银李新奇中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室北京100083 北京师范大学物理系北京100875

由于电子的多体关联和量子相干性的联合作用,双量子点Aharonov-Bohm干涉系统中的电子输运过程隐含内在的快、慢两条通道,且通道之间的有效耦合强度可以通过磁通调控.但是,这一非平庸的内在性质,在通常的稳态输运电流中不能得以反映.本... 详细信息

由于电子的多体关联和量子相干性的联合作用,双量子点Aharonov-Bohm干涉系统中的电子输运过程隐含内在的快、慢两条通道,且通道之间的有效耦合强度可以通过磁通调控.但是,这一非平庸的内在性质,在通常的稳态输运电流中不能得以反映.本文利用在研究非平衡动力学相变中所发展的大偏离方法,对该输运系统中的电子动力学路径做大偏离统计分析.结果显示,以上内在性质将诱导出路径空间中清晰的动力学相变行为.

关键词：量子点 Aharonov-Bohm干涉大偏离分析动力学相变

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InAs单量子点中级联辐射光子的关联测量

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物理学报 2011年第1期60卷 695-699页

作者：李园窦秀明常秀英倪海桥牛智川孙宝权中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度随激发功率的变化及对应发光峰的偏振特性和精细结构劈裂.基于Hanbury-Brown Twiss(HBT)实验,测量了单、... 详细信息

利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度随激发功率的变化及对应发光峰的偏振特性和精细结构劈裂.基于Hanbury-Brown Twiss(HBT)实验,测量了单、双激子间发光光谱的关联函数,证实了其发光过程为级联发射过程.

关键词： InAs单量子点单、双激子荧光光谱级联辐射

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基于InAs单量子点的单光子干涉

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物理学报 2011年第3期60卷 749-752页

作者：李园窦秀明常秀英倪海桥牛智川孙宝权中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

利用分子束外延生长InAs单量子点样品,测量了温度为5K时单量子点的荧光(PL)光谱.采用时间关联光子强度测量(HBT)验证了PL光谱具有单光子发射特性.单光子通过马赫曾德尔(MZ)干涉仪,验证了单光子自身具有干涉特性.测量了当MZ干涉仪两臂偏... 详细信息

利用分子束外延生长InAs单量子点样品,测量了温度为5K时单量子点的荧光(PL)光谱.采用时间关联光子强度测量(HBT)验证了PL光谱具有单光子发射特性.单光子通过马赫曾德尔(MZ)干涉仪,验证了单光子自身具有干涉特性.测量了当MZ干涉仪两臂偏振方向的夹角改变时对应的单光子干涉及条纹可见度的变化.

关键词：量子点单光子源反群聚效应马赫曾德尔干涉

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AlN的深紫外光致发光研究

AlN的深紫外光致发光研究

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第十六届全国晶体生长与材料学术会议

作者：王维颖李维金鹏马定宇王新强沈波王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室

AlN材料凭借其带隙宽(～6.1eV)、热稳定性以及热传导性好等特点在许多领域具有重要的用途,尤其是发展紫外光源和紫外探测器的绝佳材料,因此研究AlN薄膜的结构和光学性质尤为重要。尽管近些年,AlN的研究工作取得了一定进展,但是AlN的研... 详细信息

AlN材料凭借其带隙宽(～6.1eV)、热稳定性以及热传导性好等特点在许多领域具有重要的用途,尤其是发展紫外光源和紫外探测器的绝佳材料,因此研究AlN薄膜的结构和光学性质尤为重要。尽管近些年,AlN的研究工作取得了一定进展,但是AlN的研究依然存在着种种困难:生长方面,很难制备出高质量的晶体;光学性质研究方面,缺乏大于AlN带隙的

关键词：紫外光致发光 AlN 光学性质

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Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格材料中Mn^2＋的压力光谱研究

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高压物理学报 2011年第5期25卷 385-389页

作者：王文杰邓加军丁琨华北电力大学数理学院北京102206 中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室北京100083

采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn2+离子的4 T1→6 A1跃迁,该谱线在Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格样品中有不同的压力行为,体材料中其压力系数为-42.4peV/Pa,超晶格中为-29.5peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn0.83M... 详细信息

采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn2+离子的4 T1→6 A1跃迁,该谱线在Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格样品中有不同的压力行为,体材料中其压力系数为-42.4peV/Pa,超晶格中为-29.5peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn0.83Mn0.17Se中Mn2+离子4 T1→6 A1谱线的压力系数为-38.3peV/Pa,与实验结果基本一致。结合材料中发光峰积分强度随压力的变化关系进行分析,证实Mn2+离子的发光性质主要与其近邻的晶体场环境有关。

关键词： ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se 压力光谱 Mn2+的发光性质

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多波长激光发射光子集成技术

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科学通报 2011年第25期56卷 2119-2126页

作者：陈向飞刘文安俊明刘宇徐坤王欣刘建国纪越峰祝宁华南京大学微结构国家实验室南京210093 武汉邮电科学研究院光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹) 武汉430074 中国科学院半导体研究所北京100083 北京邮电大学信息光子学与光通信研究院北京100876

针对光子集成芯片设计和制造中所面临的难点,对多波长激光发射光子集成芯片中的多波长激光器阵列、单片集成,芯片模块化耦合封装等核心技术进行了阐述.利用重构等效啁啾技术,二次压印模板技术,大幅度放宽光子集成芯片对制备工艺中的苛... 详细信息

针对光子集成芯片设计和制造中所面临的难点,对多波长激光发射光子集成芯片中的多波长激光器阵列、单片集成,芯片模块化耦合封装等核心技术进行了阐述.利用重构等效啁啾技术,二次压印模板技术,大幅度放宽光子集成芯片对制备工艺中的苛刻要求,降低了芯片制造成本;通过端对接耦合技术和铟磷基阵列波导光栅技术,解决了有源无源波导的单片集成问题;建立了多端口分析模型,实现了多参量动态特性的测试,提出了寄生参数补偿的封装技术,大幅度提升了芯片性能.

关键词：光子集成激光器多波长

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电场调谐InAs单量子点的发光光谱

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物理学报 2010年第6期59卷 4279-4282页

作者：常秀英窦秀明孙宝权熊永华倪海桥牛智川中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子... 详细信息

采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.

关键词： InAs单量子点 Stark效应电子-空穴分离

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组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

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物理学报 2010年第5期59卷 3466-3472页

作者：黄维陈之战陈义施尔畏张静玉刘庆峰刘茜中国科学院上海硅酸盐研究所宽禁带半导体材料课题组上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子... 详细信息

采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10nm增加到160nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.

关键词：碳化硅肖特基接触欧姆接触组合材料方法

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退火处理对LaAlO_3薄膜发光特性的影响

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光学学报 2010年第1期30卷 294-298页

作者：杜建周王东生谷志刚赵志敏陈会杨世波李永祥南京航空航天大学应用物理系江苏南京210016 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050 青岛半导体研究所山东青岛266071

在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800℃,900℃和950℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及... 详细信息

在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800℃,900℃和950℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及光学性质的影响。研究结果表明,LaAlO3薄膜样品在900℃开始由非晶向晶体转变,说明高温退火有利于提高结晶质量。光致发光(PL)谱测量发现样品在368,470nm位置处分别出现发光峰,各峰的强度随退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变。根据吸收光谱和缺陷能级图,推测出368nm紫外光峰来源于电子从氧空位形成的缺陷能级到价带顶能级的跃迁,470nm附近的蓝光峰归因于电子从负价AlLa错位缺陷能级到价带顶能级的跃迁。

关键词：薄膜光学射频磁控溅射 LaAlO3薄膜退火处理光致发光

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