检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2005年第3期24卷 207-212页

作者：马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明... 详细信息

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.

关键词：凝聚态物理学光致发光压力砷化铟量子点

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分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究

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物理学报 2005年第6期54卷 2950-2954页

作者：徐晓华牛智川倪海桥徐应强张纬贺正宏韩勤吴荣汉江德生中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.

关键词：分子束外延量子阱二型发光砷化镓半导体

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RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

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Journal of Semiconductors 2005年第2期26卷 390-394页

作者：王建林刘忠立王良臣曾一平杨富华白云霞中国科学院半导体研究所微电子研发中心北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083 中国科学院半导体研究所新材料部北京100083 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测... 详细信息

在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测试表明 :在室温下 ,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1 78;PHEMT器件的最大跨导约为 12 0mS/mm ,在Vgs=0 5V时的饱和电流约为 2 70mA/mm .这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础 .

关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管集成电路工艺

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Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure

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Journal of Semiconductors 2005年第1期26卷 1-5页

作者：王建林王良臣曾一平刘忠立杨富华白云霞中国科学院半导体研究所微电子研发中心北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083 中国科学院半导体研究所新材料部北京100083 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

A new material structure with Al 0.22Ga 0.78As/In 0.15Ga 0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In 0.15- Ga 0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device is *** DC characteristics are measured at room temperature. Peak-to-valley current ratio and the available current density for RTDs at room temperature are *** on these results suggests that adjusting material structure and optimizing fabrication processes will be an effective means to improve the quality of RTDs.

关键词： resonant tunneling diodes quantum effect DC characterization

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静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

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红外与毫米波学报 2004年第1期23卷 38-42页

作者：方再利苏付海马宝珊丁琨韩和相李国华苏萌强葛惟锟中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室北京100083 香港科技大学物理系

研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 ... 详细信息

研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2

关键词：光致发光硫化锌碲掺杂碲等电子陷阱压力系数半导体材料

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快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 582-584页

作者：边历峰江德生陆书龙中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室北京100083

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱 (PL) ,细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S 型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理 ,结果发现退火有效地改善材料的发光特性 ,并且会造成S 型的转变... 详细信息

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱 (PL) ,细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S 型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理 ,结果发现退火有效地改善材料的发光特性 ,并且会造成S 型的转变温度降低 ,从而说明退火可以有效地减少局域态。

关键词： MBE GaInNAs 光致荧光谱(PL) S-型温度依赖关系

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原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 148-152页

作者：周大勇澜清孔云川苗振华封松林牛智川中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室北京100083

研究了分子束外延中引入原子氢后 ,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用 .原子力显微镜 (AFM)测试表明 ,在 (311) A Ga As表面 ,原子氢导致了台阶状形貌的形成 ,在这种台阶状表面进一步生长了 In As量子点 ,测试结果表明其位置分... 详细信息

研究了分子束外延中引入原子氢后 ,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用 .原子力显微镜 (AFM)测试表明 ,在 (311) A Ga As表面 ,原子氢导致了台阶状形貌的形成 ,在这种台阶状表面进一步生长了 In As量子点 ,测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约 .这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考 .

关键词：原子氢表面形貌分子束外延原子力显微镜台阶积累量子点

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横向点间耦合对双量子点Aharonov—Bohm结构输运性质的影响

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Journal of Semiconductors 2003年第B5期24卷 38-42页

作者：江兆潭刘伟杨富华游建强李树深郑厚植中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室，北京100083

文中所研究的结构Aharonov—Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成，利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响。结果表明：点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡，而从源流向漏... 详细信息

文中所研究的结构Aharonov—Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成，利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响。结果表明：点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡，而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值，点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环，这将破坏通常以2π为周期的AB振荡，产生一种新的复杂的振荡，其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化。

关键词：量子点 AB效应点间耦合

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纤锌矿CdSe量子椭球的电子结构和光学性质

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Journal of Semiconductors 2003年第B05期24卷 34-37页

作者：夏建白李新征中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室，北京100083

在有效质量包络函数理论的框架下，经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算，给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释，对量子椭球发光的偏振性给出了解释，... 详细信息

在有效质量包络函数理论的框架下，经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算，给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释，对量子椭球发光的偏振性给出了解释，分别讨论了晶格分裂场，温度和短轴半径对偏振度的影响，最后计算了长短轴对能带的影响。

关键词：量子椭球 CdSe 电子结构偏振光

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掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

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功能材料与器件学报 2003年第1期9卷 25-30页

作者：韦文生王天民张春熹李国华韩和相丁琨北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心北京100083 北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所北京100083 中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nanocrystallinesilicon,简称nc-Si)有择优生长的趋势。用HRTEM、XRD、Raman等方法研究掺硼nc-Si:H薄膜的微观结构时发现:掺硼nc-Si:H薄膜的XR... 详细信息

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nanocrystallinesilicon,简称nc-Si)有择优生长的趋势。用HRTEM、XRD、Raman等方法研究掺硼nc-Si:H薄膜的微观结构时发现:掺硼nc-Si:H薄膜的XRD只有一个峰,峰位在2θ≈47o,晶面指数为(220),属于金刚石结构。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺硼nc-Si:H薄膜择优生长的原因是:适当的电场作用引起序参量改变,导致薄膜在适当的自由能范围内nc-Si的晶面择优生长。随着掺硼浓度的增加,nc-Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化。nc-Si随硅烷的稀释比增加而长大,但晶态率降低。nc-Si随衬底温度升高而长大,晶态率提高。nc-Si随射频功率密度的增大而长大,晶态率增大的趋势平缓。但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底温度、射频功率密度的变化引起薄膜中nc-Si晶面的择优生长。

关键词： nc-Si:H薄膜掺硼纳米硅晶粒择优生长电场

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