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生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究

红外与毫米波学报 2001年第1期20卷 53-56页

作者：陈晔李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 A... 详细信息

测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带

关键词：压力光致发光谱 InAlAs/AlGaAs自组织Ⅱ型量子点 Ⅱ型跃迁 Г能带跃迁 X能谷劈裂

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低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构

引用

Journal of Semiconductors 2001年第5期22卷 599-603页

作者：王燕岳瑞峰韩和相廖显伯王永谦刁宏伟孔光临清华大学微电子学研究所北京100084 中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室北京100083

利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激... 详细信息

利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激发光被样品表面强烈吸收 .探测深度的变化造成了两种激发下 Raman谱出现较大的差异 .实验结果表明样品体内存在硅团簇结构 ,样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层 .这两种空间的不均匀性造成了高能激发时 Raman谱的 TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 .以上结果证明不同激发波长将造成Ram an测量结果的差异 .

关键词： Raman测量化学键结构 a-Si-C:H薄膜

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玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质

引用

Journal of Semiconductors 2001年第8期22卷 996-1001页

作者：江德生李国华韩和相贾锐孙宝权王若桢孙萍中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室北京100083 北京师范大学物理系北京100875

用两步退火法在掺 Cd Se S的玻璃中制备了高密度的量子点 ,均匀性较好 .量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大 ,但组份基本不变 .研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系 ,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关 .量子点... 详细信息

用两步退火法在掺 Cd Se S的玻璃中制备了高密度的量子点 ,均匀性较好 .量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大 ,但组份基本不变 .研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系 ,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关 .量子点尺寸越小 ,比表面积越大。

关键词： CdSeS 量子点光学性质玻璃

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生长停顿对量子点激光器的影响

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红外与毫米波学报 2000年第5期19卷 347-350页

作者：汪辉王海龙王晓东牛智川封松林中国科学院半导体研究所半导体超晶格和微结构国家重点实验室北京100083

在 In As自组织量子点的 Ga As覆盖层中引入生长停顿 ,将这种量子点结构作激光器的有源区 ,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 :生长停顿可以降低激光器的阈值电流 ,提高其特征温度 ,改善激光波长的温度稳定性 .简单的分析... 详细信息

在 In As自组织量子点的 Ga As覆盖层中引入生长停顿 ,将这种量子点结构作激光器的有源区 ,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 :生长停顿可以降低激光器的阈值电流 ,提高其特征温度 ,改善激光波长的温度稳定性 .简单的分析表明 ,量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性 .

关键词：自组织量子点量子点激光器生长停顿砷化铟

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GaN发光二极管的负电容现象

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发光学报 2000年第4期21卷 338-341页

作者：沈君王存达杨志坚秦志新童玉珍张国义李月霞李国华天津大学应用物理学系天津300072 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100871 北京大学物理学系人工微结构与介观物理国家重点实验室北京100083

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ... 详细信息

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ,正向偏压越大 ,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子

关键词： GaN 发光二极管负电容

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纳米硅薄膜的Raman光谱

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Journal of Semiconductors 2000年第12期21卷 1170-1176页

作者：徐刚毅王天民李国华王金良何宇亮马智训郑国珍兰州大学材料科学系兰州730000 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心北京100083 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍... 详细信息

通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 .

关键词：纳米硅薄膜喇曼谱声子限制模型

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纳米碳管光荧光的实验与理论研究

纳米碳管光荧光的实验与理论研究

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第一届全国纳米技术与应用学术会议

作者：韩和相李国华葛维琨谢思深王炳燊苏肇冰半导体超晶格与微结构国家重点实验室半导体超晶格与微结构国家重点实验室香港科技大学物理系中国科学院物理研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室中国科学院理论物理研究所

我们在多层纳米碳管样品光荧光实验中观察到很强的黄色荧光,发光强度表现出很强的的对激发强度的非线性依赖关系。发光的特征表明发光源于纳米碳管本征的电子性质。与这促使我们对纳米碳管的电子结构及光跃迁作进一步的研究并发现了正... 详细信息

我们在多层纳米碳管样品光荧光实验中观察到很强的黄色荧光,发光强度表现出很强的的对激发强度的非线性依赖关系。发光的特征表明发光源于纳米碳管本征的电子性质。与这促使我们对纳米碳管的电子结构及光跃迁作进一步的研究并发现了正确的光跃迁选择定则。

关键词：纳米碳管电子结构光跃迁光荧光激发强度

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氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨

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Journal of Semiconductors 1999年第2期20卷 162-167页

作者：马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室

研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分... 详细信息

研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分析，我们认为主峰可能与膜中的ａ－Ｓｉ颗粒有关，而伴峰与Ｓｉ过剩或氧欠缺引起的缺陷有关．

关键词：光致发光氧化硅半导体薄膜技术

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GaAs_(1-x)P_x:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性

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发光学报 1999年第1期20卷 11-13页

作者：杨锡震北京师范大学分析测试中心中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ＊（ｈν）的温度依赖性进行了研究．随温度（Ｔ）由～４０Ｋ升至～１００Ｋ，三个样品的谱峰位均有红移；峰高Ｉｐ增高，增高速度随... 详细信息

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ＊（ｈν）的温度依赖性进行了研究．随温度（Ｔ）由～４０Ｋ升至～１００Ｋ，三个样品的谱峰位均有红移；峰高Ｉｐ增高，增高速度随ｘ增大而减小．σ＊（ｈν）谱可近似拟合为两个高斯型成分的叠加．以上结果支持关于ＥＬ２０／＋中心存在两个激发态（ｅ１，ｅ２）的论点．解谱结果表明：０Ｋ时ｅ１和ｅ２的能级外推值ｅ１（０）＝１．０１６ｅＶ，ｅ２（０）＝１．０４６ｅＶ与ｘ值无关．

关键词：激发态光猝灭温度依赖性砷化镓合金

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镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究

引用

发光学报 1999年第3期20卷 262-264页

作者：徐骏陈坤基黄信凡贺振宏韩和相汪兆平李国华南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系江苏南京210093 中国科学院半导体研究所超晶格物理国家重点实验室北京100083

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法．研究结果表明：在经过氧化处理后，薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ颗粒；... 详细信息

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法．研究结果表明：在经过氧化处理后，薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ颗粒；在Ａｒ＋激光（４８８ｎｍ）的激发下，观察到了室温下的光致发光现象．发光峰中心位于２．２ｅＶ．由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强，且半高宽也显著变窄，表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布．

关键词：纳米锗多层膜光致发光镶嵌型

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