检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1998年第1期47卷 89-93页

作者：王志明封松林吕振东杨小平陈宗圭宋春英徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室中国科学院北京电子显微镜实验室

利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１... 详细信息

利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１７ＭＬ变成小于１５ＭＬ．透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的一个发光峰．

关键词：自组织砷化钼砷化镓量子点生长垂直排列

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究

引用

中国科学（A辑） 1998年第6期28卷 555-561页

作者：马智训廖显伯程文超岳国珍王永谦何杰孔光临中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实验室北京100083 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)... 详细信息

采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a Si原子团和Si纳米晶粒有关 .

关键词：光致发光非晶态氧化硅薄膜微结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响

引用

Journal of Semiconductors 1997年第9期18卷 714-717页

作者：王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植中国科学院半导体研究所超晶格做结构国家重点实验室北京100083

本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝... 详细信息

本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著，并由此导致了发光峰半高宽的不同变化．

关键词：砷化镓量子点退火效应自组织生长厚度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究

引用

红外与毫米波学报 1997年第5期16卷 335-338页

作者：王志明吕振东封松林杨小平陈宗圭徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室中国科学院北京电子显微镜实验室

报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表... 详细信息

报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．

关键词：量子点生长停顿自组织砷化铟/砷化镓

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaAs／AlGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

引用

红外与毫米波学报 1996年第4期15卷 291-296页

作者：金世荣褚君浩汤定元罗晋生徐仲英罗昌平袁之良许继宗郑宝真中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家实验室

研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。

关键词：激子线宽声学声子散射半导体量子阱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程

引用

红外与毫米波学报 1995年第3期14卷 237-240页

作者：金世荣罗晋生褚君浩徐仲英袁之良罗昌平许继宗郑宝真中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家实验室西安交通大学微电子研究室

利用时间分辨光谱技术，在１１～９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用．

关键词：子带间弛豫应变层量子阱铟镓砷激子

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si　NIPI　结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁

引用

Journal of Semiconductors 1994年第2期15卷 76-82页

作者：罗昌平江德生李锋庄蔚华李玉璋中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室

我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ－Ｎｅ激光连续照射前后的对比实验．结果表明，ＳｉＮＩＰＩ结构中存在Ｂｒｕｍ等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应，并且进一步从... 详细信息

我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ－Ｎｅ激光连续照射前后的对比实验．结果表明，ＳｉＮＩＰＩ结构中存在Ｂｒｕｍ等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应，并且进一步从实验上证实了ＮＩＰＩ结构光伏极性是空间固定的．对外加激光连续照射前后结果的分析表明，ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应中，实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用，而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁．

关键词：硅光伏效应杂质 NIPI结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

调制掺杂结构的光反射光谱研究

引用

Journal of Semiconductors 1991年第1期12卷 53-57页

作者：汤寅生江德生庄蔚华孔梅影徐英武中国科技大学物质结构中心和基础物理中心中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室

测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结果与理论分析符合得较好.

关键词：掺杂异质结反射光谱 MBF 半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：