检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2013年第19期62卷 200-207页

作者：张利斌陈少武费永浩曹彤彤曹严梅雷勋中国科学院半导体研究所集成光电子学联合国家重点实验室北京100083

实验观测到了微环对入射二进制码的格式转换作用,且这种转换作用对入射光波长具有强烈的依赖关系.使用线性耦合模理论,结合傅里叶变换以及电光马赫曾德强度调制作用,理论再现了这一实验结果,并通过使用简化的传递函数对此进行了解释.理... 详细信息

实验观测到了微环对入射二进制码的格式转换作用,且这种转换作用对入射光波长具有强烈的依赖关系.使用线性耦合模理论,结合傅里叶变换以及电光马赫曾德强度调制作用,理论再现了这一实验结果,并通过使用简化的传递函数对此进行了解释.理论分析还表明,对于非临界耦合微环,通过格式转换后波形的非对称性可以直观地判断微环的耦合状态,即过耦合或欠耦合有不同的输出波形特点.

关键词：微环谐振器数据格式转换耦合模方程传递函数

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重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

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物理学报 2007年第11期56卷 6654-6659页

作者：姚飞薛春来成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应... 详细信息

硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.

关键词： SiGe材料应变带隙收缩(BGN) Jain-Roulston模型

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器件参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

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物理学报 2010年第12期59卷 8903-8909页

研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层... 详细信息

研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率.在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态.外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明,GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背、方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因.在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率.

关键词： GaN 紫外和红外探测器量子效率

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光调制技术测量半导体激光器固有高频响应

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光学学报 2005年第7期25卷 913-917页

作者：陈诚祝宁华袁海庆中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京100083

采用一种新的全光纤连接的半导体激光器光调制技术,实现了对高速半导体激光器固有响应的直接测量。利用速率方程能够对光调制的动态响应过程进行准确的描述。基于对抽运源和探测器的频率响应对光调制数据准确性影响的分析,通过将网络分... 详细信息

采用一种新的全光纤连接的半导体激光器光调制技术,实现了对高速半导体激光器固有响应的直接测量。利用速率方程能够对光调制的动态响应过程进行准确的描述。基于对抽运源和探测器的频率响应对光调制数据准确性影响的分析,通过将网络分析仪校正到同轴端,然后用直接扣除法和相互扣除法,在网络分析仪外部对测量数据进行了修正。两种修正方法得到了一致的结果,并且同已有的理论和实验结果相符合。改进后的光调制技术和两种修正数据的方法不但提高了数据的精确性,而且扩展了测量的频率范围。

关键词：光通信技术高速半导体激光器光调制技术固有高频响应抽运源探测器数据修正

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隔离电阻对集成光源特性的影响分析

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光电子．激光 2005年第5期16卷 519-522页

作者：冯巍巍王幼林祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京100083

提出了一种分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源(EML)的等效电路模型。该模型考虑了由于隔离电阻不够大而导致的激光器与调制器之间的电耦合,通过对电路模型进行仿真可以看出,对于不同隔离电阻的EML,激光器的阈值电流、调制... 详细信息

提出了一种分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源(EML)的等效电路模型。该模型考虑了由于隔离电阻不够大而导致的激光器与调制器之间的电耦合,通过对电路模型进行仿真可以看出,对于不同隔离电阻的EML,激光器的阈值电流、调制器的频率响应带宽、集成器件的小信号调制和脉冲调制等多方面特性均有明显不同。分析得到,EML的隔离电阻阻值只有达到10 kΩ量级,才能够忽略电泄漏对器件特性的影响。并指出EML在更高的偏置下,将对隔离电阻提出更高的要求。

关键词：隔离电阻光源特性等效电路模型调制器激光器 EML 集成光源分布反馈阈值电流频率响应脉冲调制信号调制集成器件电阻阻值器件特性电吸收电耦合偏置

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微波网络分析仪校准过程中校准方程的选择

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计量学报 2006年第3期27卷 269-272页

作者：冯巍巍王幼林祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京100083

将线性方程组的误差理论应用于微波网络分析仪的夹具校准过程,提出了一种线性校准方程的通用选取原则,即选择系数矩阵的条件数最小的组合。用这个原则对TSD校准方法进行方程选择,并将不同方程组合的解与直测数据进行比较,结果证明根据... 详细信息

将线性方程组的误差理论应用于微波网络分析仪的夹具校准过程,提出了一种线性校准方程的通用选取原则,即选择系数矩阵的条件数最小的组合。用这个原则对TSD校准方法进行方程选择,并将不同方程组合的解与直测数据进行比较,结果证明根据误差理论选择的方程组合确实得到最精确稳定的解。

关键词：计量学微波网络分析仪微波测试校准测试夹具

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叉指电光布拉格衍射光栅分析

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光学学报 2004年第4期24卷 548-552页

作者：钱辰陈振宇祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京100083

叉指电光布拉格衍射光栅能够用于制作集成光学器件。将点匹配法扩展应用于叉指电光布拉格衍射光栅分析 ,将光栅各区域的势函数表示为该区域中满足拉普拉斯方程的一系列基函数的级数 ,匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数 ... 详细信息

叉指电光布拉格衍射光栅能够用于制作集成光学器件。将点匹配法扩展应用于叉指电光布拉格衍射光栅分析 ,将光栅各区域的势函数表示为该区域中满足拉普拉斯方程的一系列基函数的级数 ,匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数 ,从而得到叉指电极电场分布的解析表达式 ,在此基础上得到了叉指电光布拉格衍射光栅的一些重要的光学与电学特性参量。将分析结果与测量值进行了对比 ,发现二者十分吻合。所提出的分析方法简便快捷 ,精度高。

关键词：光电子学激光技术电光效应点匹配法布拉格衍射光栅集成光学器件拉普拉斯方程

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具有电色散补偿的10Gb/s脉冲转换器的研制

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光学学报 2007年第4期27卷 579-582页

作者：李亮王欣刘宇黄亨沛谢亮祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京100083

设计并研制了带电色散补偿功能的10 Gb/s脉冲转换器。电色散补偿通过时域均衡的方法,消除光纤色散带来的码间串扰;将电色散补偿芯片纳入脉冲转换器设计中,从而提高了其传输距离。所研制的样品光发射部分采用分布反馈激光器加电吸收调制... 详细信息

设计并研制了带电色散补偿功能的10 Gb/s脉冲转换器。电色散补偿通过时域均衡的方法,消除光纤色散带来的码间串扰;将电色散补偿芯片纳入脉冲转换器设计中,从而提高了其传输距离。所研制的样品光发射部分采用分布反馈激光器加电吸收调制器集成光源,接收部分采用带互阻放大器的雪崩光电二极管光电探测器模块,电色散补偿芯片对光电探测器输出的码流执行色散补偿算法。对样品进行的测试结果表明该脉冲转换器背对背接收灵敏度为-24.6 dBm,经过100 km G.652光纤传输后接收灵敏度为-20.8 dBm。未加电色散补偿功能时,采用相同的光源传输距离仅为50 km。

关键词：光通信脉冲转换器电色散补偿 10 Gb/s

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遗传算法优化设计三角晶格光子晶体

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物理学报 2007年第2期56卷 927-932页

作者：龚春娟胡雄伟中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

将遗传算法应用于三角晶格光子晶体的禁带设计过程.考虑到可制备性,算法以第五能级下最大绝对禁带为优化目标,采用粗粒度像素表示原胞结构.通过引入傅里叶变换数据备份机制以提高禁带计算速度和算法效率,从而快速搜索到了具有较大绝对... 详细信息

将遗传算法应用于三角晶格光子晶体的禁带设计过程.考虑到可制备性,算法以第五能级下最大绝对禁带为优化目标,采用粗粒度像素表示原胞结构.通过引入傅里叶变换数据备份机制以提高禁带计算速度和算法效率,从而快速搜索到了具有较大绝对禁带的“介质空气柱”散射体形状的三角晶格光子晶体,其最大绝对禁带的相对宽度值(绝对禁带宽度和中心高度的比值)为23.8%.

关键词：二维光子晶体三角晶格光子带隙遗传算法

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Si基Ⅳ族异质结构发光器件的研究进展

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物理学报 2015年第20期64卷 27-36页

作者：何超张旭刘智成步文中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义... 详细信息

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义.同为Ⅳ族元素的Ge和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源.虽然Ge是间接带隙材料,但通过引入张应变、n型重掺杂,或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率.近年来,Si基Ⅳ族发光材料和发光器件有许多重要进展,本文就Si基Ge,GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究——回顾了近几年国际和国内的研究进展,并展望了Si基Ⅳ族激光器的发展趋势.

关键词： Si基 Ge GeSn 发光器件

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