检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：张若昕隋晓红张旭朱琳陈弘达中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点实验室，北京，100083

该无线微系统用于从生物神经系统提取信号并传输到外部系统，其中需要将模拟信号转换为数字信号进行传输。本文详细分析了流水线模数转换技术原理，选择采用九级结构实现具有10比特分辨率、30KHz采样频率的模数转换器电路。模数转换器... 详细信息

该无线微系统用于从生物神经系统提取信号并传输到外部系统，其中需要将模拟信号转换为数字信号进行传输。本文详细分析了流水线模数转换技术原理，选择采用九级结构实现具有10比特分辨率、30KHz采样频率的模数转换器电路。模数转换器每级产生1.5比特数据，其中0.5比特用作数字纠错。该器件采用商业0.35μm标准CMOS工艺设计，简要介绍了运算放大器、开关电路以及基准电压源等的电路设计。

关键词：神经记录数模转换器无线微系统电路设计 CMOS工艺

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锗锡半导体合金材料的外延生长和器件应用

锗锡半导体合金材料的外延生长和器件应用

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第十三届全国固体薄膜学术会议

作者：成步文苏少坚张东亮张广泽薛春来罗丽萍郑军左玉华王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

GeSn 是一种新型硅基异质结构材料，其晶格常数和带隙在大范围内连续可调，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基高迁移率器件等方面具有重要应用前景，成为近年硅基光电子和微...

GeSn 是一种新型硅基异质结构材料，其晶格常数和带隙在大范围内连续可调，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基高迁移率器件等方面具有重要应用前景，成为近年硅基光电子和微电子研究的热点。

关键词：

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用于脑机接口系统的低功耗CMOS发射电路

用于脑机接口系统的低功耗CMOS发射电路

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第九届北京学术交流月集成电路设计及其应用国际研讨会

作者：张旭顾明刘海军刘金彬陈弘达中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点实验室，北京 100083

介绍一种用于生物医学领域短距离数据传输的低功耗CMOS集成发射电路。这种发射电路采用拓扑结构简单、功率耗散低的片上环形振荡器产生载波，并通过全差分放大器进行缓冲。由混频器实现基带信号对载波调制。另由带隙基准电流源为电路中... 详细信息

介绍一种用于生物医学领域短距离数据传输的低功耗CMOS集成发射电路。这种发射电路采用拓扑结构简单、功率耗散低的片上环形振荡器产生载波，并通过全差分放大器进行缓冲。由混频器实现基带信号对载波调制。另由带隙基准电流源为电路中其他模块提供偏置电流。后仿真结果表明，该发射电路可以提供频率为100MHz的正弦半波电流信号驱动片外天线工作，输出峰值电流范围-0.155mA～1.250mA，片上静态功耗O.374mW，满足无线脑机接口系统数据传输的要求。

关键词：脑机接口环形振荡器数据传输集成发射电路

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GaN基纳米柱LED中的应力弛豫

GaN基纳米柱LED中的应力弛豫

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱继红张书明王辉江德生朱建军刘宗顺赵德刚杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL... 详细信息

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。

关键词：纳米LED 氮化镓化学腐蚀

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GaN基纳米柱LED的制备

GaN基纳米柱LED的制备

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光... 详细信息

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰发生蓝移并且峰值半高宽(FWHM)有所降低。用化学腐蚀的方法对纳米柱进行了去损伤处理,发现去损伤后纳米柱的PL强度进一步增强,为处理前的3.5倍。最后用旋涂工艺对纳米柱进行了平坦化,进一步制作成为GaN纳米LED器件。

关键词：化学腐蚀发光二极管氮化镓纳米材料平面结构旋涂工艺

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电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究

电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王春霞许兴胜韩伟华杜伟宋倩胡海洋陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将... 详细信息

随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将这两种方法应用到通信波段光子晶体的制作中,通过工艺参数优化,都得到了较好的硅基光子晶体样品.

关键词：电子束光刻深紫外光刻光子晶体光器件

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光子晶体GaN LED与量子点的共振能量转移

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量子电子学报 2014年第1期 126-126页

作者：许兴胜王华勇中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

设计并研制了光子晶体结构GaN LED,实现了光子晶体GaN LED提取效率的提高及其到胶体量子点的共振能量转移,能量转移效率达到79.50%。设计了光子晶体GaN LED器件结构,利用光刻、感应耦合等离子体刻蚀等工艺研制了光子晶体GaN LED器件,制... 详细信息

设计并研制了光子晶体结构GaN LED,实现了光子晶体GaN LED提取效率的提高及其到胶体量子点的共振能量转移,能量转移效率达到79.50%。设计了光子晶体GaN LED器件结构,利用光刻、感应耦合等离子体刻蚀等工艺研制了光子晶体GaN LED器件,制作的光子晶体区域边缘光滑,满足实验的要求。采用积分球收集LED发光来测试LED的P-I-V曲线,测试了在p-GaN上刻蚀光子晶体的LED在不同电流下输出功率与晶格常数、占空比的关系。研究发现:50 mA驱动电流下,晶格常数为14μm、半径与晶格常数比为0.25的光子晶体GaN LED输出功率比无光子晶体GaN LED提高21%以上。该研究对实现高效率胶体量子点电注入发光器件具有借鉴价值。

关键词：光子晶体晶格常数点阵参数共振能量转移 GaN LED LED

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GaN基激光器腔面膜系优化设计

GaN基激光器腔面膜系优化设计

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第十二届全国固体薄膜会议