检索结果-内蒙古大学图书馆

器件参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

物理学报 2010年第12期59卷 8903-8909页

研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层... 详细信息

研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率.在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态.外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明,GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背、方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因.在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率.

关键词： GaN 紫外和红外探测器量子效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

遗传算法优化设计三角晶格光子晶体

引用

物理学报 2007年第2期56卷 927-932页

作者：龚春娟胡雄伟中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

将遗传算法应用于三角晶格光子晶体的禁带设计过程.考虑到可制备性,算法以第五能级下最大绝对禁带为优化目标,采用粗粒度像素表示原胞结构.通过引入傅里叶变换数据备份机制以提高禁带计算速度和算法效率,从而快速搜索到了具有较大绝对... 详细信息

将遗传算法应用于三角晶格光子晶体的禁带设计过程.考虑到可制备性,算法以第五能级下最大绝对禁带为优化目标,采用粗粒度像素表示原胞结构.通过引入傅里叶变换数据备份机制以提高禁带计算速度和算法效率,从而快速搜索到了具有较大绝对禁带的“介质空气柱”散射体形状的三角晶格光子晶体,其最大绝对禁带的相对宽度值(绝对禁带宽度和中心高度的比值)为23.8%.

关键词：二维光子晶体三角晶格光子带隙遗传算法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si基Ⅳ族异质结构发光器件的研究进展

引用

物理学报 2015年第20期64卷 27-36页

作者：何超张旭刘智成步文中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义... 详细信息

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关键器件中,除了Si基光源尚未得到解决,其他器件都已经实现,因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义.同为Ⅳ族元素的Ge和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源.虽然Ge是间接带隙材料,但通过引入张应变、n型重掺杂,或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率.近年来,Si基Ⅳ族发光材料和发光器件有许多重要进展,本文就Si基Ge,GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点——应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究——回顾了近几年国际和国内的研究进展,并展望了Si基Ⅳ族激光器的发展趋势.

关键词： Si基 Ge GeSn 发光器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基光栅耦合器的研究进展

引用

物理学报 2013年第18期62卷 254-260页

作者：杨彪李智勇肖希 Nemkova Anastasia 余金中俞育德中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

硅基光子集成芯片的研究近年来发展迅速,已成为信息技术领域中最热门的研究方向之一,光通信、光互连、光传感等相关研发应用机构高度关注其发展,并积极介入.硅基光子集成芯片中,光栅耦合器作为光信号的输入和输出装置受到极大重视,尤其... 详细信息

硅基光子集成芯片的研究近年来发展迅速,已成为信息技术领域中最热门的研究方向之一,光通信、光互连、光传感等相关研发应用机构高度关注其发展,并积极介入.硅基光子集成芯片中,光栅耦合器作为光信号的输入和输出装置受到极大重视,尤其在封装和测试等环节体现出极具价值的技术优势.本文主要分析了光栅耦合器的工作原理、基本特性及国内外的发展现状和趋势,同时也概括了本课题组近期在该方向上的研究成果.

关键词：光栅耦合器耦合效率绝缘体上硅光子集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Add-drop型微环谐振腔的硅基高速电光调制器设计

引用

物理学报 2013年第19期62卷 260-265页

作者：曹彤彤张利斌费永浩曹严梅雷勋陈少武中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器,Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度,使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑.本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低... 详细信息

相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器,Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度,使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑.本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低调制电压下实现大消光比的硅基电光调制器,所用微环谐振腔的半径仅仅为20μm.重点分析了直波导与微环谐振腔的耦合对调制器性能的影响,发现较小的Drop端耦合系数有利于消光比的提高,但是不能同时达到最佳的调制带宽,因此设计上存在一个带宽和消光比性能上的折中考虑.根据优化设计的结果进行了实际器件的制作和测试.静态光谱测试表明,在3 V反向偏置电压的作用下,调制器的消光比最大可达12 dB.动态电光响应测试中,在仅仅1.2 V的信号幅值电压下测得了8 Gbps数据传输速率的清晰眼图.

关键词：电光调制器绝缘体上的硅微环谐振腔载流子色散效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基光子集成研究进展

引用

物理学报 2014年第10期63卷 1-8页

作者：周培基李智勇俞育德余金中中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

报道了国际上关于硅基光子集成的最新研究进展和本课题组在该领域的研究成果,包括对一些光收发模块、III-V族/硅基激光器等集成器件的结构改进和工艺的探索,展示了兼容互补金属氧化物半导体工艺的硅基光子集成在信息技术领域中的巨大前... 详细信息

报道了国际上关于硅基光子集成的最新研究进展和本课题组在该领域的研究成果,包括对一些光收发模块、III-V族/硅基激光器等集成器件的结构改进和工艺的探索,展示了兼容互补金属氧化物半导体工艺的硅基光子集成在信息技术领域中的巨大前景.可以预见,硅基光子集成已成为硅光子学的主要研究内容,硅光子学及硅基光子集成的发展目标是趋向更高速率、更低功耗及更大集成密度.

关键词：硅光子学光子集成光子集成回路光电子集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

引用

物理学报 2013年第11期62卷 288-292页

作者：李亚明刘智薛春来李传波成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件... 详细信息

本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件工作在C(1528—1560nm)波段.模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB.

关键词：锗硅调制器电光集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响

引用

物理学报 2013年第7期62卷 335-338页

作者：刘智李亚明薛春来成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品.通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂.相比未掺杂的样品,磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌,但可以有效... 详细信息

利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品.通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂.相比未掺杂的样品,磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌,但可以有效增强其室温光致发光;而硼掺杂会增强Ge/Si量子点的合并,降低小尺寸Ge/Si量子点的密度,但其光致发光会减弱.磷掺杂增强Ge/Si量子点光致发光的原因是,磷掺杂为Ge/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子.

关键词： Ge Si量子点磷掺杂光致发光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SOI波导弯曲损耗改善方法的研究

引用

红外与毫米波学报 2005年第1期24卷 53-55页

作者：陈媛媛余金中陈少武樊中朝中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,... 详细信息

采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为 70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了 5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗.

关键词：弯曲损耗弯曲波导 SOI 有效折射率束传播算法插入损耗附加损耗效果实验方法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

构建虚拟网络的网络分析仪夹具校准新方法

引用

物理学报 2005年第6期54卷 2606-2610页

作者：刘超张尚剑谢亮祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

一般矢量网络分析仪(VNA)的双端口测试夹具校准,至少需要三个已知标准才能实现.本文基于Triple Through理论构建两个虚拟的对称网络,提出了一种只需要采用一个标准的网络分析仪双端口测试夹具校准新方法.采用这种方法校准测试夹具后,扣... 详细信息

一般矢量网络分析仪(VNA)的双端口测试夹具校准,至少需要三个已知标准才能实现.本文基于Triple Through理论构建两个虚拟的对称网络,提出了一种只需要采用一个标准的网络分析仪双端口测试夹具校准新方法.采用这种方法校准测试夹具后,扣除夹具影响的实验结果与没有测试夹具转接直接测试数据十分吻合,证明该方法精度高,而且简单易行.

关键词：虚拟网络网络分析仪校准方法测试夹具散射参数测量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：