检索结果-内蒙古大学图书馆

Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜

物理学报 2011年第2期60卷 707-711页

作者：苏少坚汪巍张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另... 详细信息

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.

关键词： GeSn Ge 分子束外延外延生长

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利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅电池转换效率

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太阳能学报 2014年第10期35卷 1999-2003页

作者：邢宇鹏韩培德范玉杰王帅梁鹏叶舟中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂分布曲线。在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算电池的转换效率和内量子效率,发现通过降低... 详细信息

利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂分布曲线。在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算电池的转换效率和内量子效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,且热氧化还可减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可提高转换效率。通过测试实际电池的量子效率曲线对仿真进行验证,说明了器件仿真的准确性。

关键词：单晶硅电池发射极仿真磷扩散

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倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵

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光电子．激光 2003年第9期14卷 893-896页

作者：裴为华陈弘达邓晖毛陆虹杜云唐君梁琨吴荣汉王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔... 详细信息

报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。

关键词：倒装焊光探测器面阵谐振腔增强型 InGaAs/GaAs量子阱

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一种基于大功率LED照明灯的可见光通信系统

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光电子．激光 2011年第6期22卷 803-807页

作者：杨宇刘博张建昆陈雄斌陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

基于强度调制及直接检测(IM/DD)原理,利用18×1 W大功率白光LED照明灯,以开关键控和二进制非归零码(OOK-NRZ)调制方式实现了可见光通信(VLC)系统的室内单向下行通信。为优化LED光源的布局,对光链路视线(LOS)信道损耗进行了理论分析,... 详细信息

基于强度调制及直接检测(IM/DD)原理,利用18×1 W大功率白光LED照明灯,以开关键控和二进制非归零码(OOK-NRZ)调制方式实现了可见光通信(VLC)系统的室内单向下行通信。为优化LED光源的布局,对光链路视线(LOS)信道损耗进行了理论分析,对LED光源建模并进行光线追迹仿真。系统采用基于TCP/IP的VLC网关驱动4盏LED光源,对36 m2室内面积的无缝覆盖,在区域内通信速率为90 kbps时误码率(BER)低于10-3,局部范围内可达到285 kbps无误码传输,实现了VLC与照明的有机结合。

关键词：可见光通信(VLC) 半导体照明 LED 开关键控(OOK)

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1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

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光电子．激光 2006年第10期17卷 1157-1160页

作者：黄永箴胡永红于丽娟陈沁谭满清马骁宇中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差... 详细信息

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。

关键词：半导体光放大器(SOA) InGaAsP 增益抗反射膜

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利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率

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光电子．激光 2008年第5期19卷 569-572页

作者：胡海洋许兴胜鲁琳宋倩杜伟王春霞陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上。另外,还对感应耦合等... 详细信息

计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上。另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。

关键词：光子晶体 GaN LED ICP

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半导体激光器同轴封装的高频影响:分析与实验

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光学学报 2005年第9期25卷 1214-1218页

作者：张尚剑刘超陈诚伞海生谢亮祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

在高频调制下,封装对半导体激光器的影响非常显著。通过分析封装前后激光器散射参量之间的关系,推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法:预测法和评价法,从而提供了分析激光器封装的另外两种等价方法。实验中,对同轴(TO)... 详细信息

在高频调制下,封装对半导体激光器的影响非常显著。通过分析封装前后激光器散射参量之间的关系,推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法:预测法和评价法,从而提供了分析激光器封装的另外两种等价方法。实验中,对同轴(TO)封装的高频特性进行了测试和分析,分析结果与传统比较法的测试结果吻合表明新方法有效。实验表明在10.2 GHz以内同轴封装不会降低半导体激光器的频响带宽,即同轴封装的带宽可达10 GHz,且发现同轴封装中电感和电容元件之间的谐振效应对器件的频响具有补偿作用。两方法可为筛选光电子器件封装提供依据,并为优化封装的设计提供参考。

关键词：激光器半导体激光器同轴封装散射参量

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键合的双结太阳电池研究

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太阳能学报 2015年第6期36卷 1481-1485页

作者：彭红玲马绍栋张冶金渠红伟石岩郑婉华中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

论述键合的双结GaAs/InGaAs太阳电池的研制,界面采用p^(++)GaAs/n^(++)GaAs隧穿结,开路电压大于1.15 V,效率比国际报道的同类键合两结电池提高0.3%,电池表面未做减反膜。开路电压表明两结电池可实现串联,为单片集成的高效多结电池提供... 详细信息

论述键合的双结GaAs/InGaAs太阳电池的研制,界面采用p^(++)GaAs/n^(++)GaAs隧穿结,开路电压大于1.15 V,效率比国际报道的同类键合两结电池提高0.3%,电池表面未做减反膜。开路电压表明两结电池可实现串联,为单片集成的高效多结电池提供新的途径,通过分析电池效率性能提出进一步提高效率的技术方案。

关键词：键合多结太阳电池晶格失配界面

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SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真

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红外与激光工程 2016年第5期45卷 86-89页

作者：廖雅香张均营余凯薛春来李传波成步文中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采... 详细信息

通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、Si Ge材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06μm波长下,Si Ge探测器的量子效率为4.2%,相比于Si探测器的效率提高了4倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布,从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。

关键词：单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布量子效率仿真分析

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光探测器芯片的高频特性测量

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中国激光 2004年第7期31卷 857-860页

作者：张胜利孙建伟刘宇祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制 ,提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法。对于任意电极结构的探测器芯片 ,首先把芯片与测试夹具连接 ,通过一系列的校准和测量 ,可以得到夹具的S参... 详细信息

为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制 ,提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法。对于任意电极结构的探测器芯片 ,首先把芯片与测试夹具连接 ,通过一系列的校准和测量 ,可以得到夹具的S参数 ,进而利用微波理论扣除整个测试夹具的影响 ,得到探测器芯片的S参数 ,计算出光探测器的阻抗和频率响应特性。用该方法对P极和N极共面的光探测器芯片的阻抗和频率响应特性进行了测量 ,并与直接用微波探针测量的结果相比较 ,验证了该方法在 5 0MHz～ 16GHz的频率范围内的正确性。

关键词：光电子学光探测器微波网络分析仪频率响应

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