检索结果-内蒙古大学图书馆

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)

红外与毫米波学报 2011年第4期30卷 289-292页

作者：刘果果魏珂黄俊刘新宇牛洁斌微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子研究所北京100029

报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421... 详细信息

报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz,最大振荡频率(fmax)为105GHz.采用湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50 GHz,最大振荡频率提高到200 GHz.

关键词： AlGaN/GaN HEMT 蓝宝石衬底 fmax InGaN背势垒湿法腐蚀

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

PEALD原位掺杂制备纳米TiO2-xNx光催化剂

引用

无机材料学报 2013年第7期28卷 691-695页

作者：饶志鹏万军冯嘉恒李超波夏洋中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO2-xNx光催化剂。利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外–可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征,并研究了TiO2-xNx纳米薄膜在可见光照射下... 详细信息

采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO2-xNx光催化剂。利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外–可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征,并研究了TiO2-xNx纳米薄膜在可见光照射下水接触角的变化和催化降解亚甲基橙(MO)溶液的性能。结果表明,等离子体功率变化可以改变掺入氮原子的结构,在功率为50 W时主要形成替换式氮原子,含量约为1.22at%,晶体为锐钛矿(101)型。结构无明显缺陷,且掺杂后TiO2-xNx薄膜光生电子–空穴对复合率低,有利于光催化效率的提高。该方法解决了传统ALD工艺制备TiO2-xNx光催化剂时容易形成氧空位的问题,实现了TiO2-xNx纳米材料的可见光(λ<800 nm)吸收和可见光光催化性能。

关键词：等离子体增强原子层沉积原位 TiO2-xNx 光催化剂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备

引用

功能材料 2014年第1期45卷 147-152页

作者：宁婕妤刘邦武夏洋李超波中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显... 详细信息

采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω·m,非均匀性为2.64%。此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%。

关键词：镍膜铜膜光诱导电沉积表征制备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性

引用

物理学报 2012年第17期61卷 476-481页

作者：王鑫华王建辉庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军刘新宇中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析... 详细信息

本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.

关键词： SiN MIM电容缺陷平均失效前时间

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

衍射光学元件成套制造技术研究进展

引用

光学精密工程 2022年第15期30卷 1815-1827页

作者：谢常青中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发... 详细信息

从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发了精度优于2 nm的复杂图形光刻数据处理体系,提出了混合光刻方法,建立了加法(剥离、电镀)和减法(干法刻蚀、金属辅助化学刻蚀)两种类型、四种图形转移基础方法。实现了从微米尺度到亚10 nm尺度的图形生成,高宽比达12∶1的25 nmAu结构和深宽比达500∶1的30 nmAl_(2)O_(3)纳米管图形转移。在熔石英、多层膜、SiC自支撑薄膜、高面形硅片等衬基上大面积集成制造了多种衍射光学元件,最大面积为142 mm×142 mm,最大自支撑口径达70 mm,最高面形精度PV值达0.03λ,覆盖了可见光到硬X射线波段衍射光学元件的制造需求,能够应用于先进光刻机、同步辐射、激光聚变及X射线天文学中。

关键词：衍射光学元件先进光刻标准CMOS工艺 GDSII数据处理图形转移

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合

引用

物理学报 2011年第4期60卷 542-546页

作者：王鑫华赵妙刘新宇蒲颜郑英奎魏珂中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征... 详细信息

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

关键词： HEMT 费米能级 C-V特性二维势阱的电子限制能力

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究

引用

功能材料 2013年第18期44卷 2625-2629页

作者：邵花王文东刘训春夏洋中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、... 详细信息

在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。

关键词：磁控溅射 Ta 薄膜电阻率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

原子层沉积生长速率的控制研究进展

引用

无机材料学报 2014年第4期29卷 345-351页

作者：卢维尔董亚斌李超波夏洋李楠中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100190

原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中... 详细信息

原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。

关键词：原子层沉积生长速率生长机制位阻效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习

引用

无机材料学报 2023年第4期38卷 399-405页

作者：方仁瑞任宽郭泽钰徐晗张握瑜王菲张培文李悦尚大山中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120... 详细信息

电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120 nS)的EGT器件。该器件利用Li+嵌入/脱出Nb_(2)O_(5)晶格导致的沟道电导连续可逆变化,模拟了神经突触的短程可塑性(Short-term plasticity,STP)、长程可塑性(Long-term plasticity,LTP)以及STP向LTP的转变等功能。基于这种EGT突触特性,本工作设计了关联学习电路,实现了突触权重的负反馈调节,并模拟了“巴普洛夫的狗”经典条件反射行为。这些结果展现出EGT作为神经突触器件的巨大潜力,为实现神经形态计算硬件提供了器件参考。

关键词：电解质栅控晶体管神经突触突触可塑性关联学习

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

引用

物理学报 2017年第21期66卷 118-124页

作者：吴全潭时拓赵晓龙张续猛伍法才曹荣荣龙世兵吕杭炳刘琦刘明中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻... 详细信息

报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.

关键词：六角氮化硼电阻转变忆阻器神经形态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：