基于IBM 0.18um SOI CMOS工艺,设计了一款工作在433 MHz的两级AB类功率放大器。驱动级和输出级均采用共源共栅结构以提高电源电压,从而提高输出功率。采用了自适应偏置电路解决了共源管和共栅管之间电压分布不均的问题,提高了电路可靠...
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基于IBM 0.18um SOI CMOS工艺,设计了一款工作在433 MHz的两级AB类功率放大器。驱动级和输出级均采用共源共栅结构以提高电源电压,从而提高输出功率。采用了自适应偏置电路解决了共源管和共栅管之间电压分布不均的问题,提高了电路可靠性。输入级采用了电压-电压反馈降低增益,提高电路稳定性。片内集成了输入匹配、级间匹配电路。后仿真结果表明,该放大器的增益为33.97 d B,1 d B压缩点为28.12 d Bm,PAE为23.86%。
基于负阻振荡理论设计了一款X波段负阻振荡器,设计旨在提高振荡器的工作效率和加强二次谐波抑制。通过对晶体管直流偏置状态与振荡器工作效率关系的研究,选择合适的直流偏置状态提高了振荡器的工作效率。在输出匹配网络中加载一段1/8工作波长的开路线、选择一个合适的隔直电容,有效抑制二次谐波。实测结果表明,该X波段负阻振荡器振荡频率为10.81 GHz,输出功率为8.02 d Bm,二次谐波抑制度为48 d Bc,振荡器的效率为45%,偏离振荡频率100 k Hz和1 MHz处的相位噪声分别为-91.90 d Bc/Hz和-123.43 d Bc/Hz。该实测结果论证了上述设计方法的有效性,对负阻振荡器的设计提供了一定的参考意义。
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