检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学：技术科学 2011年第4期41卷 403-411页

作者：张康玮龙世兵刘琦吕杭炳李颖弢王艳连文泰王明张森刘明中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

阻变存储器(resistance random access memory,RRAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3D集成等优点而得到广泛的关注,是RRAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文... 详细信息

阻变存储器(resistance random access memory,RRAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3D集成等优点而得到广泛的关注,是RRAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文从阻变存储器的集成、无源交叉阵列中的串扰现象出发,综述了应用在无源交叉阵列中的1D1R结构(one diode one resistor)和具有自整流效应的1R结构(one resistor),这2种结构在一定程度上都能够抑制串扰现象的出现,从而避免误读.与有源阵列相比,必须对无源交叉阵列发展一套行之有效的测试方法才能够正确地评估其性能并实现商业应用,综述了当前无源交叉阵列常用的操作电压配置方案.最后,展望了RRAM无源交叉阵列的应用前景.

关键词：整流特性无源交叉阵列阻变存储器 1D1R 自整流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

复合型光子筛及其在大口径成像中的应用

引用

光电工程 2010年第4期37卷 88-92页

作者：潘一鸣谢常青贾佳中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室北京100029

传统光子筛在大口径成像领域具有衍射效率低和制造数据量巨大的缺陷,这导致它们很难在实际应用中被采用。本文提出了一种复合型光子筛,该复合型光子筛将普通光子筛半径的中间1/3部分用波带环来替代。仿真结果显示,采用这种设计的光子筛... 详细信息

传统光子筛在大口径成像领域具有衍射效率低和制造数据量巨大的缺陷,这导致它们很难在实际应用中被采用。本文提出了一种复合型光子筛,该复合型光子筛将普通光子筛半径的中间1/3部分用波带环来替代。仿真结果显示,采用这种设计的光子筛不仅可以有效减小制造数据量,还能提高衍射效率。我们在成像试验中对比了具有相同特征尺寸的普通光子筛和复合型光子筛,结果显示复合型光子筛能够减少38%的设计数据量并且具有更高的成像对比度。因此,这种复合型光子筛在大口径X射线成像领域中具有很好的应用前景。

关键词：衍射光学复合型光子筛成像制造数据量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微纳金属光学结构制备技术及应用

引用

光学学报 2011年第9期31卷 243-250页

作者：谢常青朱效立牛洁斌李海亮刘明陈宝钦胡媛史丽娜中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室北京100029 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开... 详细信息

微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开发了微光刻数据处理体系,基于矢量扫描电子束光刻设备在自支撑薄膜上进行1×高分辨率图形形成,利用X射线光刻进行高高宽比微纳图形复制,再利用低成本接近式光学光刻技术进行金属加强筋制作。还报道了自支撑X射线金光栅衍射效率和抗振测试结果。

关键词：光学制造微纳光学结构电子束光刻 X射线光刻自支撑薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析

引用

固体电子学研究与进展 2007年第2期27卷 181-185页

作者：薛丽君刘明王燕禡龙鲁净谢常青夏洋中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 清华大学微电子研究所北京100084

采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,... 详细信息

采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管泊松方程薛定谔方程流体力学方程二维模拟偏栅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米电子器件及其集成

引用

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 7-10页

作者：刘明陈宝钦谢常青王丛舜龙世兵徐秋霞李志钢易里成荣涂德钰商立伟中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室北京100029

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0... 详细信息

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.

关键词：自上而下的纳米加工纳米器件单电子器件共振器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

DBRTD直流特性的水动力学模拟(英文)

引用

电子器件 2006年第2期29卷 365-368页

作者：易里成荣王从舜谢常青刘明叶甜春中国科学院微电子研究所纳米加工-新器件集成技术实验室北京100029

利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时,可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度... 详细信息

利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时,可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度、高的掺杂浓度以及恰当的间隔层厚度、势垒厚度和高度,可以提高RTD器件的峰谷电流比(PVCR)和峰电流密度,从而满足实际应用的需要。

关键词：双势垒共振隧穿二极管器件模拟水动力学模型直流特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

EBL制备用于气体传感器的SAW延迟线的方法

引用

压电与声光 2010年第3期32卷 340-342,345页

作者：赵以贵刘明牛洁斌陈宝钦中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出... 详细信息

电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出IDT电极。通过邻近效应校正和提高场拼接精度,制作的叉指电极具有一致性,电极形貌好。相对于干法刻蚀工艺,剥离工艺避免了对压电衬底表面的物理损伤。该技术为实现特征尺寸达到百纳米级的更高工作频率SAW器件的制造提供了很好的途径。

关键词：电子束光刻剥离声表面波延迟线叉指换能器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用

引用

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 340-342页

作者：谢常青刘明陈宝钦叶甜春中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧... 详细信息

提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.

关键词： 193nm光学光刻衰减型移相掩模离轴照明数值孔径 PROLITH

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

有机场效应晶体管及其集成电路研究进展

引用

中国科学（E辑） 2009年第11期39卷 1495-1505页

作者：王宏姬濯宇刘明商立伟刘舸刘兴华柳江彭应全中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

有机场效应晶体管在低价、大面积、柔性电路中具有非常光明的应用前景,因而受到科学家们及工业界的广泛关注.近几年来,有机场效应晶体管在材料、器件性能及电路集成方面都取得了长足的进展.本文从有机场效应晶体管的材料、器件构筑、器... 详细信息

有机场效应晶体管在低价、大面积、柔性电路中具有非常光明的应用前景,因而受到科学家们及工业界的广泛关注.近几年来,有机场效应晶体管在材料、器件性能及电路集成方面都取得了长足的进展.本文从有机场效应晶体管的材料、器件构筑、器件的工作原理、电路仿真与集成方面,简单的综述了有机场效应晶体管及其集成电路的最新研究进展.

关键词：有机场效应晶体管集成电路电路仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米结构在新型太阳电池中的应用进展

引用

半导体光电 2009年第3期30卷 333-338页

作者：朱晨昕贾锐陈晨李维龙李昊峰刘明刘新宇叶甜春中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

介绍了应用低维纳米结构提高转换效率的新型太阳电池的研究现状,分别说明了基于量子点、量子线、量子阱结构新型太阳电池的工作原理、制备工艺、存在的问题及最新进展。同时,给出了这些太阳电池未来的发展方向,指出其在太阳电池领域中... 详细信息

介绍了应用低维纳米结构提高转换效率的新型太阳电池的研究现状,分别说明了基于量子点、量子线、量子阱结构新型太阳电池的工作原理、制备工艺、存在的问题及最新进展。同时,给出了这些太阳电池未来的发展方向,指出其在太阳电池领域中的重要地位。

关键词：太阳电池纳米结构量子点量子线量子阱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：