检索结果-内蒙古大学图书馆

仪器仪表学报 2023年第8期44卷 258-264页

作者：刘熠王军华霍鹏常爱民姚金城中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

针对高空气象探测用温度传感器存在响应时间长、测温精度差以及辐射误差大等现状,研制了一种封装体积小、响应速度快、抗辐照能力强的温度传感器。采用固相法制备了Mn-Ni-Cu-Fe-O基片状热敏电阻,尺寸分别为0.4 mm×0.4 mm×0.25... 详细信息

针对高空气象探测用温度传感器存在响应时间长、测温精度差以及辐射误差大等现状,研制了一种封装体积小、响应速度快、抗辐照能力强的温度传感器。采用固相法制备了Mn-Ni-Cu-Fe-O基片状热敏电阻,尺寸分别为0.4 mm×0.4 mm×0.25 mm与0.6 mm×0.6 mm×0.25 mm。在片状热敏电阻敏感元表面依次沉积绝缘膜和铝金属反射薄膜。结果表明,研制的热敏电阻在-80℃~60℃范围内,其阻值范围分别为1000 kΩ~4.2 kΩ与375 kΩ~1.6 kΩ;热耗散系数为1.034 mW/℃,响应时间为0.63 s。利用太阳光模拟器对热敏电阻进行太阳辐射测温误差研究,在100 W/m^(2)的辐照强度下测温误差最小为0.22℃。该热敏电阻有望应用在高空气象探测的探空仪中。

关键词：探空仪热敏电阻器微型化快响应太阳辐射

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钒取代对LaTaO4陶瓷微观结构和微波介电性能的影响

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无机材料学报 2025年

作者：李文元徐佳楠邓瀚澳常爱民张博中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境条件功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院

微波介质陶瓷是5G/6G通信技术的关键材料，广泛应用于谐振器、滤波器、介质基板等电子元器件。随着无线移动通信频率的不断提升，对微波介质陶瓷提出了更高要求，特别是需要更高的品质因数和接近零的谐振频率温度系数，以有效补偿高频... 详细信息

微波介质陶瓷是5G/6G通信技术的关键材料，广泛应用于谐振器、滤波器、介质基板等电子元器件。随着无线移动通信频率的不断提升，对微波介质陶瓷提出了更高要求，特别是需要更高的品质因数和接近零的谐振频率温度系数，以有效补偿高频信号在传输过程中的迅速衰减，并提高其工作稳定性。本研究采用固相烧结法制备了La(Ta1-xVx)O4（LTV-x，0 ≤ x ≤ 0.4）陶瓷，并通过晶体结构精修、透射电子显微镜和微波介电测试，研究了其结构和介电性能。在该体系中合成了两种具有优异微波介电性能的La(Ta1-xVx)O4陶瓷，分别为LTV-0.3(εr= 22.15，Q×f = 90100 GHz，τf= -9.52×10-6/℃)和LTV-0.4(εr= 21.75，Q×f = 84100 GHz，τf= -4.5×10-6/℃)陶瓷。研究发现，V5+取代诱导了单斜相（P21/c）向四方相（I41/amd）(x ≥ 0.2)的转变，并有效降低了相变温度。随着x的增加，介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τf)均呈下降趋势。Q×f 值不仅与相对密度有关，还与晶胞的堆积分数有关。鉴于其低损耗和良好温度稳定性，该系列陶瓷材料在移动通信基站、卫星导航和雷达通信等领域展现出良好的应用前景。

关键词： LaTaO 微波介电性能谐振频率温度系数离子取代填充分数

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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较

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原子能科学技术 2022年第4期56卷 767-774页

作者：冯皓楠杨圣梁晓雯张丹蒲晓娟孙静魏莹崔江维李豫东余学峰郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件阈值电压和开关特性影响的基础上,进行了室温退火试验。结果表明,随^(60)Coγ射线... 详细信息

对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件阈值电压和开关特性影响的基础上,进行了室温退火试验。结果表明,随^(60)Coγ射线辐照剂量的增加,氧化层积累陷阱电荷,导致静态特性中阈值电压降低。同时器件动态特性中开启时间略微缩短,关断时间骤增,开关损耗增大。器件受辐照后耗尽层厚度和阈值电压发生的变化是其开启和关断响应差异性退化的主要原因。

关键词：碳化硅总剂量效应静态参数动态特性耗尽层

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100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究

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太阳能学报 2023年第5期44卷 146-151页

作者：玛丽娅·黑尼陈馨芸雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提李豫东郭旗 He Chengfa 新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 云南师范大学能源与环境科学学院昆明650500

为研究太阳电池光电参数由低能质子辐照产生的辐射损伤机制,对In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池开展100 keV质子辐照及退火试验研究,分析太阳电池电参数和光谱响应在辐照及退火前后的变化规律,结合SRIM仿真计算结果对辐照引起的位移损... 详细信息

为研究太阳电池光电参数由低能质子辐照产生的辐射损伤机制,对In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池开展100 keV质子辐照及退火试验研究,分析太阳电池电参数和光谱响应在辐照及退火前后的变化规律,结合SRIM仿真计算结果对辐照引起的位移损伤进行讨论。结果表明,当质子辐照累积注量为5×10^(12)p/cm^(2)时,In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池的短路电流、开路电压和最大输出功率分别衰减到其初始值的88.8%、88.3%、72.3%;太阳电池光谱响应在短波区的衰减比长波区更严重。SRIM仿真结果表明,上述结果是由于100 keV的质子能量沉积在In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池发射区和基区顶部而产生位移损伤缺陷导致的。对辐照后的太阳电池样品进行150℃退火处理,太阳电池电学参数因辐射感生缺陷的湮灭而产生了不同程度的恢复。

关键词：太阳电池效率质子辐照辐射损伤量子效率

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背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究

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核技术 2022年第5期45卷 49-54页

作者：王海洋郑齐文崔江维李豫东郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋氧化层(Buried Oxide,BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。基于晶体管转移特性曲线,通过提取辐射诱导晶体管阈值电压变化量,对比了不同沟道长度PD SOI在不同背栅偏置条件下的辐射损伤数据,试验结果显示:辐照过程中施加背栅偏置可以显著增强长沟晶体管的损伤。通过提取辐射在BOX层中引入陷阱电荷密度,结合TCAD(Technology Computer Aided Design)器件模拟仿真进行了机理研究,研究结果表明:短沟道晶体管在施加背栅偏置时会受到源漏电压的影响,从而使BOX层中电场分布及强度不同于长沟道晶体管,而长沟道晶体管受源漏电压的影响可以忽略。

关键词：绝缘体上硅隐埋氧化层背栅调控总剂量辐照

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浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究

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固体电子学研究与进展 2023年第3期43卷 281-286页

作者：任李贤孙静何承发荀明珠中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明... 详细信息

对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明,辐照导致浮栅晶体管中多晶硅浮动栅极存储电荷的丢失,界面处感生的陷阱电荷数量远少于氧化物陷阱电荷及浮栅中电荷丢失量,退火效应可恢复浮栅受辐射影响的存储能力。试验数据为浮栅晶体管在电离辐射环境的测试及应用提供参考。

关键词：浮栅晶体管总剂量效应陷阱电荷分离辐照响应分析

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硅基N沟道VDMOS不同偏置下总剂量效应研究

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固体电子学研究与进展 2023年第5期43卷 450-455页

作者：李潇崔江维郑齐文李鹏伟崔旭李豫东郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 中国空间技术研究院北京100049

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 ... 详细信息

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 V时,器件的电学特性随累积剂量的增大而退化明显。通过退火试验发现,相比于导通电阻和正向压降,阈值电压、漏电流、亚阈值摆幅和输出电容对于总剂量辐射更加敏感。而在低频噪声特性方面,辐照后器件的沟道电流归一化噪声功率谱密度与正栅极偏置呈现正相关性,与负栅极偏置呈现负相关性。在不同漏极偏置条件下,辐照后器件的沟道电流归一化噪声功率谱密度降低,且基本重合。依据噪声模型,认为N沟道VDMOS内部局域电场分布对辐射感生陷阱电荷的形成影响显著,导致器件Si/SiO_(2)界面或者附近的载流子与陷阱交换引起的沟道电流波动不同,成为低频噪声主要来源。研究结果可为N沟道VDMOS器件的辐射效应评估、筛选和抗辐射加固设计提供参考。

关键词：总剂量效应 N沟道VDMOS 偏置效应电学特性低频噪声特性

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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

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物理学报 2022年第3期71卷 284-291页

作者：周书星方仁凤魏彦锋陈传亮曹文彧张欣艾立鹍李豫东郭旗湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2... 详细信息

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2)条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射损伤的影响;3)高In组分应变沟道有利于提高二维电子气迁移率,但辐照后更容易应变弛豫产生位错缺陷,导致二维电子气迁移率显著下降.

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管二维电子气电子束辐照辐射加固

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沟槽型MOSFET放大器γ射线辐照效应研究

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核技术 2024年第11期47卷 73-80页

作者：唐军农淑英罗玉文张巍杨廷贵中核四〇四有限公司嘉峪关735100 甘肃省核燃料循环技术重点实验室嘉峪关735100 中核武汉核电运行技术股份有限公司武汉430223 中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境条件功能材料与器件全国重点实验室新疆极端环境电子学重点实验室乌鲁木齐830011

研发高抗辐照性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)放大器等电子器件对于核环境作业机器人至关重要。用^(60)Co-γ射线对三个商用沟槽型MOSFET放大器进行了原位辐照测试,研... 详细信息

研发高抗辐照性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)放大器等电子器件对于核环境作业机器人至关重要。用^(60)Co-γ射线对三个商用沟槽型MOSFET放大器进行了原位辐照测试,研究了辐照前后的电学性能变化。结果表明:三个MOSFET放大器分别在累计辐照总剂量达到982.6 Gy、986.2 Gy和1082.4 Gy后失效。将光学显微镜观察、热发射显微技术失效定位、聚焦离子束技术解剖制样、扫描电镜和透射电镜的微观结构和微区成分表征等方法结合起来,对MOSFET放大器的芯片进行了失效分析,揭示了当MOSFET放大器在带电工作状态下受到γ射线辐照时,栅极氧化物捕获电荷的聚集会导致阈值电压和击穿电压降低,高剂量^(60)Co-γ射线辐照引入的电子-空穴对在电场作用下,大量积聚所引起的局部区域高电场和高热的叠加作用,使源极铝金属局部发生熔融并产生烧蚀缺陷区,最终引起栅极与源极之间短路而导致其失效的机理。

关键词： MOSFET放大器 γ辐照总剂量效应电学性能失效分析

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TPS61322集成式升压DC-DC电源变换器的总剂量效应研究

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固体电子学研究与进展 2022年第5期42卷 422-428页

作者：徐锐周东刘炳凯李豫东王信刘海涛文林郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出电压随总剂量的变化关系;揭示了升压型器件在高剂量率条件下输出电压瞬间损伤退化机理;分析了器件在关机模... 详细信息

对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出电压随总剂量的变化关系;揭示了升压型器件在高剂量率条件下输出电压瞬间损伤退化机理;分析了器件在关机模式(Shutdown mode)条件下关机电流变化规律。详细研究了负载电流对输出电压的影响,实验结果表明,相同辐照剂量,输出电压的退化程度随负载电流的增加而增大,满载条件下,输出电压退化最严重。关机电流在关机模式条件下出现显著退化,可以作为评估器件抗辐射性能的敏感参数。此外,发现Boost器件满载条件下高剂量率损伤效应,高剂量率条件下的输出电压瞬间损伤退化显著大于低剂量率下的输出电压退化。研究剂量率辐射效应对分析和评估应用于核电站环境下的DC-DC电源变换器辐射损伤具有重要意义。

关键词：总剂量效应 Boost电源变换器输出电压负载电流损伤机理高剂量率损伤效应

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