检索结果-内蒙古大学图书馆

第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：玛丽娅李豫东郭旗刘昌举文林汪波中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所

对某国产CMOS图像传感器进行了1MeV、1.8MeV两种不同能量的电子辐照试验,分析了器件的电子辐照效应与损伤机理。辐照等效电离剂量为70krad(Si),在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,重点考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参... 详细信息

对某国产CMOS图像传感器进行了1MeV、1.8MeV两种不同能量的电子辐照试验,分析了器件的电子辐照效应与损伤机理。辐照等效电离剂量为70krad(Si),在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,重点考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数。实验结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷所致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增加导致产生-复合中心的增加所引起。

关键词： CMOS有源像素传感器电子辐照电离效应暗电流氧化物陷阱电荷界面态缺陷

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

深亚微米NMOS晶体管总剂量效应研究

深亚微米NMOS晶体管总剂量效应研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王信陆妩文林郭旗吴雪刘默涵姜柯中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

CCD在质子辐射环境下的位移损伤机理分析

CCD在质子辐射环境下的位移损伤机理分析

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：文林李豫东郭旗任迪远汪波玛丽娅中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011

针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、电荷转移效率、饱和电压等参数的在辐照器件及辐照后退火实验中的变化情况。分析发现，10MeV质子辐射... 详细信息

针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、电荷转移效率、饱和电压等参数的在辐照器件及辐照后退火实验中的变化情况。分析发现，10MeV质子辐射导致CCD暗电流、暗电流均匀性显著变大，电荷转移效率显著变小，而饱和电压总体变化不大。

关键词：航天电子设备固态可见光探测器位移损伤质子辐射环境

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

BiCMOS工艺数模转换器剂量率效应研究

BiCMOS工艺数模转换器剂量率效应研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王信陆妩郭旗吴雪刘默涵姜柯崔江维中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011

本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应，... 详细信息

本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应，这有别于传统CMOS工艺DAC表现出的时间相关效应，但这种增强效应与传统双极工艺DAC相比要有所缓和.这一剂量率效应与BiCMOS工艺DAC的工艺特征密切相关，具体的失效机理仍需进一步深入研究。此外，对比两种BiCMOS工艺DAC功能失效模式，发现两者的功能曲线失效模式有所不同，这与两者的器件架构有关，MAX5222为R-2R架构DAC，R-2R网络中的开关阵列为互补开关，输出单元为缓冲运放，MAX5548为电流舵架构DAC，DAC模块为255个等权重的镜像电流源构成，这种架构中的差异性致使辐照致失效模块不同，并最终表现为两者功能曲线的失效模式上的区别。

关键词：航天电子设备数模转换器剂量率效应超大规模集成电路工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析

质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析

引用

第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：文林李豫东郭旗任迪远汪波玛丽娅中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院大学

对某国产埋沟科学级CCD进行了10MeV质子辐照试验研究,试验过程中重点考察了器件的暗信号、电荷转移效率特性的变化。结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复。对CCD敏感参... 详细信息

对某国产埋沟科学级CCD进行了10MeV质子辐照试验研究,试验过程中重点考察了器件的暗信号、电荷转移效率特性的变化。结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复。对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行了分析,并推导了参数退化随质子辐照注量变化的经验公式。上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考。

关键词： CCD 质子辐照电离效应位移损伤体缺陷

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同混合工艺数模转换器的剂量率效应

不同混合工艺数模转换器的剂量率效应

引用

第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：王信陆妩郭旗吴雪马武英崔江维中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射响应特性研究,本次研究重点为三款器件的剂量率效应特性... 详细信息

选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射响应特性研究,本次研究重点为三款器件的剂量率效应特性的差异及产生原因.试验结果显示:不同混合工艺数模转换器表现出了不同程度的剂量率效应,初步分析认为这种差异性与其制作工艺有关;不同工艺数模转换器的剂量率效应敏感参数不同,且同一数模转换器的各参数表现出了剂量率效应差异性,分析认为差异性来源于辐照致失效模块的主要制作工艺不同.

关键词：数模转换器剂量率效应混合工艺梯形网络架构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

流化床粉煤灰的组成形貌及在油水分离废水处理中的应用

引用

环境工程技术学报 2014年第6期4卷 462-466页

作者：邓文叶谢永新李守柱赵海燕吕任生蔺尾燕新疆环境保护科学研究院新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院特殊环境功能材料与器件实验室新疆乌鲁木齐830011

选取2种新疆循环流化床粉煤灰(CFBFA),采用化学分析、X射线衍射分析和扫描电镜对其组成和形貌进行表征。采用氯化铁和氯化铝水溶液对CFBFA进行改性,考察改性CFBFA的粒径及投加量对新疆克拉玛依油田三采聚驱油水分离废水处理效率的影响... 详细信息

选取2种新疆循环流化床粉煤灰(CFBFA),采用化学分析、X射线衍射分析和扫描电镜对其组成和形貌进行表征。采用氯化铁和氯化铝水溶液对CFBFA进行改性,考察改性CFBFA的粒径及投加量对新疆克拉玛依油田三采聚驱油水分离废水处理效率的影响。结果表明,CFBFA中SiO2、A12O3、Fe2O3、CaO和MgO占总质量的90%左右,其玻璃相含量较低,颗粒形状多数不规则,表面粗糙;粒径≤0.074 mm的改性CFBFA对油水分离废水中油的去除效果最好;随着粉煤灰投加量的增加去油率上升,投加量达0.1 g/mL时去油率达90%以上。

关键词：流化床粉煤灰(CFBFA) 化学组成形貌油水分离废水去油率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

锗硅异质结晶体管电离辐照效应研究

锗硅异质结晶体管电离辐照效应研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：刘默涵陆妩马武英郭旗王信姜柯中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐 83004 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100049

本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷... 详细信息

本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷引起的表面复合电流的增大是导致SiteHBT器件电流增益退化的主要机制。而不同器件辐射响应的差异则与不同的器件结构以及工艺参数的不同而引入的不同的能级缺陷有关。

关键词：锗硅异质结晶体管电离辐照效应器件结构工艺参数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1.8MeV电子辐照AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应研究

1.8MeV电子辐照AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应研究

引用

第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：李豫东郭旗罗木昌张孝富文林汪波 Ma li-ya Shen Zhi-hui Wang Hai-Jiao 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所重庆光电技术研究所

本文研究了1.8MeV电子束辐照下,高铝组分AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应,获得了器件的I-V特性和C-V特性受辐照后的变化关系,分析了器件参数的退化机理。试验发现器件受电子辐照后耗尽区的复合电流显著退化,尤其是当辐照剂量达到1... 详细信息

本文研究了1.8MeV电子束辐照下,高铝组分AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应,获得了器件的I-V特性和C-V特性受辐照后的变化关系,分析了器件参数的退化机理。试验发现器件受电子辐照后耗尽区的复合电流显著退化,尤其是当辐照剂量达到10e/cm时,器件的复合电流迅速增大,试验中还观察到了反向击穿电压和暗电流具有类似的退化情况。对于器件的C-V特性,随着电子辐照剂量的增大,电容逐渐增大。分析认为器件参数的退化主要是由于电子辐照在材料中引入的浅缺陷能级造成。

关键词： AlGaN日盲型光探测器电子辐照 I-V特性 C-V特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.18μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究

引用

物理学报 2013年第13期62卷 414-419页

作者：吴雪陆妩王信席善斌郭旗李豫东中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和宽沟器件不同,阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感,此现象被称之为辐射感生窄沟道效应;相比较栅... 详细信息

为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和宽沟器件不同,阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感,此现象被称之为辐射感生窄沟道效应;相比较栅氧化层,器件隔离氧化层对总剂量辐照更敏感;窄沟道NMOS器件阈值电压不仅和沟道耗尽区电荷有关,寄生晶体管耗尽区电荷对其影响也不可忽略,而辐照引起源漏之间寄生晶体管开启,形成漏电通道,正是导致漏电流、亚阈斜率等参数变化的原因.

关键词： 0 18μm 窄沟NMOS晶体管 60Coγ辐照辐射感生窄沟道效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：