随着绝缘层上硅(SOI)工艺的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在空间应用增多，其电离总剂量效应(TID)越来越受到关注。利用TCAD仿真工具，构建了 SOI MOSFET的三维仿真结构，并将SiO2材料等效为宽禁带的半导体材料，通过引入TID...
详细信息
随着绝缘层上硅(SOI)工艺的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在空间应用增多，其电离总剂量效应(TID)越来越受到关注。利用TCAD仿真工具，构建了 SOI MOSFET的三维仿真结构，并将SiO2材料等效为宽禁带的半导体材料，通过引入TID的产生率模型、缺陷模型、载流子传输模型等，计算获得了不同宽长比下器件的TID损伤特性。
研究衬底偏置效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,以不同剂量的60Co辐照130nm SOINMOSFET器件,监测辐照前后不同尺寸器件在不同衬底偏压下的电学参数.对于PD SOI NMOS器件而言,短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且...
详细信息
研究衬底偏置效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,以不同剂量的60Co辐照130nm SOINMOSFET器件,监测辐照前后不同尺寸器件在不同衬底偏压下的电学参数.对于PD SOI NMOS器件而言,短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且对于短沟道器件,宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.掩埋氧化物中辐射导致的陷阱电荷将耗尽附近的中性体区,在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10um/0.35um的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的漏电.辐照前衬底偏压为负时的转移特性曲线相比于衬底电压为零时发生了正向漂移.当衬底电压Vb=-1.1时正栅耗尽区已经增加到与顶层硅厚度相等,器件处于全耗尽状态,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区的继续增加,转移特性曲线不随着|Vb|增加继续向右漂移,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移.对于SOI NMOS器件,体区负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善器件辐照后的电学特性.
暂无评论