检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2022年第6期52卷 1076-1080页

作者：崔旭崔江维郑齐文魏莹李豫东郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐... 详细信息

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐照后器件阈值电压负向漂移;鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大。通过分析陷阱电荷作用过程,揭示了产生上述试验现象的原因。

关键词：体硅nFinFET 总剂量辐射效应辐照偏置

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应和仿真

引用

核技术 2022年第11期45卷 31-36页

作者：陈加伟李豫东玛丽娅·黑尼郭旗刘希言中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072

为了探究850 nm垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机理,开展了3 MeV和10 MeV质子辐照实验,获得了光输出功率和阈值电流等参数随质子注量的退化规律,同时发现光输出功率和... 详细信息

为了探究850 nm垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机理,开展了3 MeV和10 MeV质子辐照实验,获得了光输出功率和阈值电流等参数随质子注量的退化规律,同时发现光输出功率和阈值电流在相同位移损伤剂量(Displacement Damage Dose,DDD)下的退化程度基本一致。在实验的基础上使用Silvaco软件进行建模与仿真计算,结果与实验结果具有较高一致性,在仿真模型中提取了陷阱密度、施主与受主电离密度、镜面损失、辐射复合速率和光子数等微观参数,在实验规律基础上深入探究了参数退化规律与辐射损伤机制。仿真结果发现这些微观参数随质子注量增加均有不同程度的变化。该结果对于进一步深入理解VCSEL退化机制具有重要意义的参考价值。

关键词：垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser VCSEL) 辐射效应位移损伤效应 Silvaco

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

电子辐照PDMS力学性能影响实验研究

引用

应用力学学报 2022年第6期39卷 1007-1013页

作者：邱剑吕世豪玛丽娅师岩高存法南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室南京210016 韶关学院化学与土木工程学院韶关512005 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受... 详细信息

聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受电子辐照作用后的力学性能变化开展研究:(1)首先将树脂和固化剂按不同配比混合,按国标进行了哑铃状PDMS拉伸试样的制备,进行了单轴拉伸试验;(2)将不同配比PDMS拉伸样品进行了不同剂量的电子辐照试验,并对辐照后样品进行了拉伸试验。采用扫描电子显微镜对辐照前后样品断口形貌进行了观测,并进行了元素成分分析;(3)基于Neo-Hookean模型对单轴拉伸的应力应变关系进行了推导,并与实验数据进行了对比。结果表明,电子辐照能显著影响PDMS的力学性能和表面形貌。辐照后的PDMS试样呈现硬化,弹性模量随辐照剂量增加而提高,而断裂伸长率随辐照剂量增加而减少。

关键词：辐照 PDMS 拉伸试验 Neo-Hookean模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微波辅助回收废旧三元锂电池中的有价金属

引用

有色金属工程 2023年第9期13卷 79-83页

作者：白雪莲邓文叶刘育育薛燕赵鹏君常爱民谢永新新疆农业大学资源与环境学院乌鲁木齐830052 新疆工程学院化学与环境工程学院乌鲁木齐830091 中国科学院新疆理化技术研究所电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

以抗坏血酸和葡萄糖酸混合酸为浸出体系,辅以微波加热技术从废旧三元锂电池正极材料中浸出有价金属。采用N-N,二甲基吡咯烷酮(NMP)对废旧三元锂电池正极材料进行预处理。单因素试验确定的最佳条件为:微波温度90℃、微波反应时间6 min、... 详细信息

以抗坏血酸和葡萄糖酸混合酸为浸出体系,辅以微波加热技术从废旧三元锂电池正极材料中浸出有价金属。采用N-N,二甲基吡咯烷酮(NMP)对废旧三元锂电池正极材料进行预处理。单因素试验确定的最佳条件为:微波温度90℃、微波反应时间6 min、抗坏血酸浓度0.5 mol/L、葡萄糖酸浓度1 mol/L、固液比20 g/L,获得对应Mn、Co、Ni、Li的浸出率分别是99.5%、98.7%、99.7%、97.8%。与传统浸出法相比较,微波辅助浸出效率更高。

关键词：废旧三元锂电池有价金属微波加热技术混合酸浸出率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

编者按

引用

人工晶体学报 2023年第7期52卷 1163-1164+1162页

作者：苏良碧吴少凡潘世烈中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院福建物质结构研究所中国科学院国家光电子晶体材料工程技术研究中心中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院“特殊环境功能材料与器件”重点实验室

激光晶体和非线性光学晶体能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制等功能，是激光技术赖以发展的核心基础材料，对国民经济、社会发展和国家安全保障有着不可替代的支撑作用，也是世界科技强国高技术发展规划中的优先发展战略方向...

激光晶体和非线性光学晶体能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制等功能，是激光技术赖以发展的核心基础材料，对国民经济、社会发展和国家安全保障有着不可替代的支撑作用，也是世界科技强国高技术发展规划中的优先发展战略方向。我国人工晶体研究在世界范围内具有重要影响力，部分激光与非线性光学晶体的研发水平居国际前列。“十四五”以来，面向电子信息、通信、能源、人工智能等领域变革式发展的迫切需求，国家持续加大激光与非线性光学晶体的研发支持力度。

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究

引用

固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 388-393页

作者：徐锐周东刘炳凯李豫东蔡娇刘海涛文林郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负... 详细信息

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负载电流条件下,输出电压的退化更显著,且退化程度更严重,对这一现象提出了详细解释。输入电流作为关断模式条件下的重要敏感参数,可以用来评估器件的可靠性。此外,由于退火效应,低剂量率下的输出电压退化程度小于高剂量率下的输出电压退化程度。因此,剂量率的选择对分析和评估DC-DC电源变换器的电离总剂量效应非常重要。

关键词：电离总剂量效应 DC-DC电源变换器输出电压辐射损伤机理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究

引用

核技术 2021年第5期44卷 62-68页

作者：蔡娇姚帅陆妩于新王信李小龙刘默寒孙静郭旗新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后... 详细信息

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离子类型为钽(Ta)离子的协同辐照试验。试验结果表明:电离总剂量会导致运算放大器LM158的单粒子瞬态脉冲幅值减小和脉冲展宽,同时,相比于高剂量率辐照条件,低剂量率辐照条件下双极运算放大器LM158的瞬态脉冲宽度展宽50%。研究发现,电离总剂量在双极晶体管中累积的界面陷阱电荷是产生电离总剂量与单粒子瞬态协同效应的根本原因。

关键词：双极运算放大器电离总剂量单粒子瞬态协同效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应

引用

辐射研究与辐射工艺学报 2021年第4期39卷 91-96页

作者：相传峰姚帅于新李小龙陆妩王信刘默寒孙静郭旗蔡娇杨圣新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU... 详细信息

以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU)试验,获得了0 V、1 V、2.5 V输入信号条件下的输出码值翻转。结果显示:累积400 Gy(Si)电离剂量后,AD574输出码值的翻转向中心码值右侧偏移,同时造成翻转次数的改变。本文初步分析了AD574的TID-SEU协合效应作用机制,认为该现象与模拟/数字转换器内部比较器单粒子瞬态的敏感性有关。累积总剂量后,比较器单粒子瞬态的幅值和宽度显著增大,会导致AD574输出码值翻转分布及次数的变化。该TID-SEU协合效应研究对宇航元器件的抗辐射加固保障提供了有益参考。

关键词：模拟数字转换器总剂量效应单粒子翻转协合效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应

引用

红外与激光工程 2020年第7期49卷 175-180页

作者：蔡毓龙李豫东文林冯婕郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器应用于空间时容易受到空间质子辐照影响。在地面对某国产商用CMOS图像传感器开展质子辐照试验,试验中通过离线和在线采集图像两种方法研究其累积辐射效应和单粒子效应。通过分析辐照后暗信号变化... 详细信息

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器应用于空间时容易受到空间质子辐照影响。在地面对某国产商用CMOS图像传感器开展质子辐照试验,试验中通过离线和在线采集图像两种方法研究其累积辐射效应和单粒子效应。通过分析辐照后暗信号变化研究质子诱导累积辐射效应,并从总剂量和位移损伤两方面分析了暗信号分布规律和产生机理。在线采集图像表明:质子诱导CMOS图像传感器像素单元单粒子现象包括瞬态亮点、瞬态亮斑和瞬态亮线。结合质子和CMOS图像传感器相互作用物理过程解释上述不同形状单粒子瞬态现象产生机理。试验中没有观察到CMOS图像传感器外围电路出现质子诱导的单粒子闩锁和单粒子功能中断现象。

关键词： CMOS图像传感器单粒子效应累积辐射效应质子

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

增强型氮化镓功率器件的总剂量效应

引用

微电子学 2021年第3期51卷 444-448页

作者：陈思远于新陆妩王信李小龙刘默寒孙静郭旗中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结... 详细信息

研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。

关键词：氮化镓功率器件总剂量效应低剂量率损伤增强效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：