检索结果-内蒙古大学图书馆

遥感学报 2019年第1期23卷 116-124页

作者：李豫东文林黄建余文延张科科郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 北京跟踪与通信技术研究所北京100094 中国科学院西安光学精密机械研究所西安710119 上海微小卫星工程中心上海201203

电荷耦合器件(CCD)是卫星应用的主流成像器件,其受空间辐射环境影响易产生辐射效应,导致卫星成像性能退化,因此CCD的在轨辐射效应分析对卫星在轨风险评估、在轨维护具有重要意义。针对空间碎片探测试验卫星成像CCD在轨出现的辐射效应,... 详细信息

电荷耦合器件(CCD)是卫星应用的主流成像器件,其受空间辐射环境影响易产生辐射效应,导致卫星成像性能退化,因此CCD的在轨辐射效应分析对卫星在轨风险评估、在轨维护具有重要意义。针对空间碎片探测试验卫星成像CCD在轨出现的辐射效应,通过在轨图像数据计算,对辐射作用于CCD导致的瞬时效应、热像素、电离总剂量效应和位移损伤进行了估算。分析认为瞬时效应主要源于南大西洋异常区内高能质子入射器件导致的瞬间电离作用;热像素源于质子辐射导致的单个像素位移损伤,且数量随着在轨时间的累积不断增加,与瞬时效应无明显的相关性;在轨初期累积的电离总剂量效应和位移损伤并不突出;热像素是影响探测器光电探测性能的主要问题,在较低粒子注量时就比较显著。上述工作为卫星在轨风险评估与运行管理收集了数据依据,并初步形成了针对在轨运行光电探测载荷辐射效应分析方法,可为天基目标探测卫星成像器件的在轨辐射效应分析、抗辐射设计提供参考。

关键词：空间碎片探测电荷耦合器件辐射效应在轨数据分析瞬时效应热像素

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基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究

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核技术 2019年第12期42卷 43-48页

作者：孙静郭旗郑齐文崔江维何承发刘海涛刘许强刘梦新中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国工程物理研究院核物理与化学研究所绵阳621999 中国科学院微电子研究所北京100049

绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照响应特性,包括辐照偏置对SOI BOX PMOS的辐射响应灵敏度的影响、不同辐射剂量率环境下的SOI BOX PMOS的灵敏度响应差异、辐照后的SOI BOX PMOS的退火特性及其对辐射响应敏感度影响,以及SOI BOX PMOS沟道宽长比与其灵敏度的关系等,并对试验结果进行了必要的理论分析。实验结果表明:正偏置辐照的器件对电荷的收集响应灵敏度明显高于零偏置辐照的器件;阈值电压的辐照变化几乎不受退火效应影响;相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显。实验研究为新型辐射剂量探测仪的研制打下了基础。

关键词：辐照传感器基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管剂量计

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传感器敏感材料-NTC热敏陶瓷材料老化问题的研究综述

传感器敏感材料-NTC热敏陶瓷材料老化问题的研究综述

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2020年中国仪器仪表学会年会

作者：王兵姚金城常爱民中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100039 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011

正如多数传感器件遇到的问题一样,NTC热敏电阻的长期稳定性或老化问题仍然是其传感和控制应用的核心问题,特别是在航空航天、低温、医疗等先进领域。本文对引起尖晶石系列热敏陶瓷材料老化问题的原因给予了研究评述,并指出了降低老化问... 详细信息

正如多数传感器件遇到的问题一样,NTC热敏电阻的长期稳定性或老化问题仍然是其传感和控制应用的核心问题,特别是在航空航天、低温、医疗等先进领域。本文对引起尖晶石系列热敏陶瓷材料老化问题的原因给予了研究评述,并指出了降低老化问题的几条措施。

关键词： NTC陶瓷热敏电阻老化稳定性

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双极器件ELDRS效应研究进展

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原子核物理评论 2019年第4期36卷 477-483页

作者：陆妩李小龙于新王信刘默寒姚帅常耀东中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

电离总剂量是航天电子系统辐射效应研究的重要问题,其中双极器件因其特有的低剂量率损伤增强(Enhanced low Dose Rate Sensitivity,ELDRS)效应,已成为航天用双极器件抗电离总剂量效应发展重点突破的方向及难点问题。本文综述了ELDRS效... 详细信息

电离总剂量是航天电子系统辐射效应研究的重要问题,其中双极器件因其特有的低剂量率损伤增强(Enhanced low Dose Rate Sensitivity,ELDRS)效应,已成为航天用双极器件抗电离总剂量效应发展重点突破的方向及难点问题。本文综述了ELDRS效应及低剂量率加速评估技术的研究进展,并结合ELDRS效应难点问题,给出了最新关于ELDRS效应的研究结果。试验结果表明,采用变温辐照方法不仅可以保守地用于双极器件在0~200 krad(Si)范围的ELDRS效应评估,将评估时间从7.7个月缩短至11 h,还可将其应用于双极模拟电路总剂量和单粒子协同效应的评估,同样可以获得保守且快速的评估效果。

关键词：双极器件剂量率效应低剂量率损伤增强效应加速评估技术

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超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型

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太赫兹科学与电子信息学报 2019年第6期17卷 1107-1111页

作者：席善学郑齐文崔江维魏莹姚帅何承发郭旗陆妩中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器... 详细信息

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器件的总剂量辐射退化特性,建立了一个包含总剂量辐射效应的通用模拟电路仿真器(SPICE)模型。在BSIMSOI标准工艺集约模型的基础上,增加了STI寄生晶体管泄漏电流模型,并考虑了辐射陷阱电荷引起寄生晶体管的等效栅宽和栅氧厚度的变化。通过与不同漏压下、不同宽长比的器件退化特性的实验结果对比,该模型能够准确反映器件辐射前后的漏电流特性变化,为器件的抗辐射设计提供参考依据。

关键词：总辐照剂量绝缘体上硅模型浅沟槽隔离

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CaCu3Ti4O12基负温度系数热敏电阻材料研究进展

CaCu3Ti4O12基负温度系数热敏电阻材料研究进展

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2020年中国仪器仪表学会年会

作者：陈星宇张博常爱民中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100039 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐 830011

CaCu3Ti4O12(以下简称CCTO)陶瓷是一种电阻率、B值等可通过掺杂进行调控的新型负温度系数热敏电阻陶瓷材料。介绍了CCTO材料的性能特点以及结构特征，探讨了CCTO材料的负温度系数特性的研究现状，并展望了今后的研究路线和思路。

关键词： CaCu3Ti4O12 陶瓷 NTC热敏电阻材料常数B值电阻率

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新型白钨矿结构负温度系数热敏电阻陶瓷材料的制备及其电性能研究

新型白钨矿结构负温度系数热敏电阻陶瓷材料的制备及其电性能研究

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2020年中国仪器仪表学会年会

作者：李晓卉高博常爱民中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学材料科学与光电子学工程中心北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

本文采用传统固相法制备了新型白钨矿结构SrCe0.2Nb0.2WO8 负温度系数热敏电阻材料,利用TG/DSC,SEM,XRD,XPS和阻-温特性等测试手段,探索了粉体的最佳煅烧条件,表征了粉体的颗粒尺寸,陶瓷体的物相,形貌和陶瓷材料的电学特性.结合 TG/DSC,... 详细信息

本文采用传统固相法制备了新型白钨矿结构SrCe0.2Nb0.2WO8 负温度系数热敏电阻材料,利用TG/DSC,SEM,XRD,XPS和阻-温特性等测试手段,探索了粉体的最佳煅烧条件,表征了粉体的颗粒尺寸,陶瓷体的物相,形貌和陶瓷材料的电学特性.结合 TG/DSC,SEM,XRD分析结果得出：SrCe0.2Nb0.2WO8 敏电阻材料最佳的煅烧温度是 1100℃,最佳煅烧时间为3h.此热敏材料在300℃-1000℃呈现良好的NTC特性,电阻率ρ300℃和材料常数B300/500 在 106-107Ω·cm、6570±50K之间.是一种可用于高温区热敏电阻器的新型热敏电阻材料.

关键词：白钨矿结构SrCe0.2Nb0.2WO8 NTC热敏电阻电性能

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基于喷墨打印的Mn-Ni-Co-O NTC热敏电阻的合成及电学性能研究

基于喷墨打印的Mn-Ni-Co-O NTC热敏电阻的合成及电学性能研究

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2020年中国仪器仪表学会年会

作者：李海兵张惠敏常爱民中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011 中国科学院大学北京 100049 新疆维吾尔自治区计量测试研究院乌鲁木齐 83001 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011

本研究采用喷墨打印技术,将其应用于Mn-Ni-Co-O(MNC)系NTC热敏电阻的制备.采用反相微乳法和水热法合成 Mn1.95Ni0.84Co0.21O4 超细热敏电阻粉体材料,通过 XRD、SEM、TEM、激光粒度分析仪表征样品的晶体结构、粒径大小,晶粒尺寸分布.通... 详细信息

本研究采用喷墨打印技术,将其应用于Mn-Ni-Co-O(MNC)系NTC热敏电阻的制备.采用反相微乳法和水热法合成 Mn1.95Ni0.84Co0.21O4 超细热敏电阻粉体材料,通过 XRD、SEM、TEM、激光粒度分析仪表征样品的晶体结构、粒径大小,晶粒尺寸分布.通过沉降试验、运动粘度和表面张力的测量,探索有机溶剂、分散剂、助表面活性剂的影响,从而获得稳定分散的高固含量(20%wt)的陶瓷墨水.通过喷墨打印技术制备不同尺寸(98 μm,203 μm,247 μm)的MNC热敏电阻,研究烧结温度对微观结构的影响,测量其电学性能.结果显示：不同尺寸微珠陶瓷样品的R25 为15192-210050 Ω,B25/50 和Ea分别为4900 K、0.341 eV.不同尺寸的热敏电阻器实测电阻值与理论值基本一致,从而实现可控电阻率的热敏电阻的制备.

关键词：喷墨打印 NTC 可控制备热敏材料

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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估

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物理学报 2018年第9期67卷 196-203页

作者：李小龙陆妩王信郭旗何承发孙静于新刘默寒贾金成姚帅魏昕宇中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤... 详细信息

采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.

关键词：双极模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应加速评估方法

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空间重粒子入射屏蔽材料的蒙特卡罗模拟

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载人航天 2019年第2期25卷 159-163页

作者：荀明珠何承发郑玉展新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 北京空间飞行器总体设计部北京100094

针对空间辐射环境中银河宇宙射线重离子的屏蔽防护问题,使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟330 MeV/n ^(12)C粒子入射铝、聚乙烯、水、液态氢4种屏蔽材料,分析了^(12)C粒子在4种屏蔽材料内的深度剂量分布;在Geant4中建立MIRD人体模型... 详细信息

针对空间辐射环境中银河宇宙射线重离子的屏蔽防护问题,使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟330 MeV/n ^(12)C粒子入射铝、聚乙烯、水、液态氢4种屏蔽材料,分析了^(12)C粒子在4种屏蔽材料内的深度剂量分布;在Geant4中建立MIRD人体模型,分析了^(12)C粒子入射4种屏蔽材料后在人体睾丸器官内的吸收剂量;对每种次级粒子在器官内的吸收剂量进行比对,分析了^(12)C粒子入射PE材料产生的次级质子和次级中子能谱。结果表明:330 MeV/n ^(12)C粒子在液态氢中的入射深度为9.66 g/cm^2,在Al中的入射深度为液态氢中入射深度的2.63倍,^(12)C粒子入射5 g/cm^2Al屏蔽材料后在器官内的吸收剂量为2.98×10^(-14 ) Gy/Ion,在液态氢屏蔽后器官内的吸收剂量为2.29×10^(-14 ) Gy/Ion,与Al屏蔽相比吸收剂量降低23.2%。

关键词： Geant4 屏蔽材料 MIRD 人体模型深度剂量分布

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