检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 388-393页

作者：徐锐周东刘炳凯李豫东蔡娇刘海涛文林郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负... 详细信息

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负载电流条件下,输出电压的退化更显著,且退化程度更严重,对这一现象提出了详细解释。输入电流作为关断模式条件下的重要敏感参数,可以用来评估器件的可靠性。此外,由于退火效应,低剂量率下的输出电压退化程度小于高剂量率下的输出电压退化程度。因此,剂量率的选择对分析和评估DC-DC电源变换器的电离总剂量效应非常重要。

关键词：电离总剂量效应 DC-DC电源变换器输出电压辐射损伤机理

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双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究

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核技术 2021年第5期44卷 62-68页

作者：蔡娇姚帅陆妩于新王信李小龙刘默寒孙静郭旗新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后... 详细信息

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离子类型为钽(Ta)离子的协同辐照试验。试验结果表明:电离总剂量会导致运算放大器LM158的单粒子瞬态脉冲幅值减小和脉冲展宽,同时,相比于高剂量率辐照条件,低剂量率辐照条件下双极运算放大器LM158的瞬态脉冲宽度展宽50%。研究发现,电离总剂量在双极晶体管中累积的界面陷阱电荷是产生电离总剂量与单粒子瞬态协同效应的根本原因。

关键词：双极运算放大器电离总剂量单粒子瞬态协同效应

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编者按

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人工晶体学报 2023年第7期52卷 1163-1164+1162页

作者：苏良碧吴少凡潘世烈中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院福建物质结构研究所中国科学院国家光电子晶体材料工程技术研究中心中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院“特殊环境功能材料与器件”重点实验室

激光晶体和非线性光学晶体能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制等功能，是激光技术赖以发展的核心基础材料，对国民经济、社会发展和国家安全保障有着不可替代的支撑作用，也是世界科技强国高技术发展规划中的优先发展战略方向...

激光晶体和非线性光学晶体能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制等功能，是激光技术赖以发展的核心基础材料，对国民经济、社会发展和国家安全保障有着不可替代的支撑作用，也是世界科技强国高技术发展规划中的优先发展战略方向。我国人工晶体研究在世界范围内具有重要影响力，部分激光与非线性光学晶体的研发水平居国际前列。“十四五”以来，面向电子信息、通信、能源、人工智能等领域变革式发展的迫切需求，国家持续加大激光与非线性光学晶体的研发支持力度。

关键词：

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0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应

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红外与激光工程 2020年第7期49卷 175-180页

作者：蔡毓龙李豫东文林冯婕郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器应用于空间时容易受到空间质子辐照影响。在地面对某国产商用CMOS图像传感器开展质子辐照试验,试验中通过离线和在线采集图像两种方法研究其累积辐射效应和单粒子效应。通过分析辐照后暗信号变化... 详细信息

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器应用于空间时容易受到空间质子辐照影响。在地面对某国产商用CMOS图像传感器开展质子辐照试验,试验中通过离线和在线采集图像两种方法研究其累积辐射效应和单粒子效应。通过分析辐照后暗信号变化研究质子诱导累积辐射效应,并从总剂量和位移损伤两方面分析了暗信号分布规律和产生机理。在线采集图像表明:质子诱导CMOS图像传感器像素单元单粒子现象包括瞬态亮点、瞬态亮斑和瞬态亮线。结合质子和CMOS图像传感器相互作用物理过程解释上述不同形状单粒子瞬态现象产生机理。试验中没有观察到CMOS图像传感器外围电路出现质子诱导的单粒子闩锁和单粒子功能中断现象。

关键词： CMOS图像传感器单粒子效应累积辐射效应质子

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模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应

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辐射研究与辐射工艺学报 2021年第4期39卷 91-96页

作者：相传峰姚帅于新李小龙陆妩王信刘默寒孙静郭旗蔡娇杨圣新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU... 详细信息

以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU)试验,获得了0 V、1 V、2.5 V输入信号条件下的输出码值翻转。结果显示:累积400 Gy(Si)电离剂量后,AD574输出码值的翻转向中心码值右侧偏移,同时造成翻转次数的改变。本文初步分析了AD574的TID-SEU协合效应作用机制,认为该现象与模拟/数字转换器内部比较器单粒子瞬态的敏感性有关。累积总剂量后,比较器单粒子瞬态的幅值和宽度显著增大,会导致AD574输出码值翻转分布及次数的变化。该TID-SEU协合效应研究对宇航元器件的抗辐射加固保障提供了有益参考。

关键词：模拟数字转换器总剂量效应单粒子翻转协合效应

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基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm n-FinFETs总剂量效应模型研究

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现代应用物理 2024年第4期15卷 116-123页

作者：魏雪雯郑齐文崔江维李豫东郭旗中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 特殊环境条件功能材料与器件全国重点实验室乌鲁木齐830011 新疆极端环境电子学重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

建立了基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm FinFET总剂量效应模型,并对模型的有效性进行了验证。将辐照后器件等效为一个主晶体管与辐射导致的若干寄生晶体管并联,通过改变寄生晶体管的参数对辐照中的物理机制进行了模拟。对不同鳍片数... 详细信息

建立了基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm FinFET总剂量效应模型,并对模型的有效性进行了验证。将辐照后器件等效为一个主晶体管与辐射导致的若干寄生晶体管并联,通过改变寄生晶体管的参数对辐照中的物理机制进行了模拟。对不同鳍片数量的内核(core)和输入输出(input output,IO)n-FinFET建立了能够描述器件在不同漏源电压下工作性能的模型,仿真结果与实验数据对比表明,所建立的模型的相对均方根偏差小于15%。

关键词： FinFET 总剂量效应 SPICE模型辐射损伤器件可靠性

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BCD工艺栅极驱动器总剂量效应

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强激光与粒子束 2025年第5期37卷 86-93页

作者：许世萍崔江维郑齐文刘刚邢康伟李小龙施炜雷王信李豫东郭旗新疆极端环境电子学重点实验室特殊环境条件功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 北京燕东微电子科技有限公司北京100176

针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升... 详细信息

针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升的现象,同时发现总剂量辐射对输出电阻几乎无影响。对比两种栅极驱动器辐照前后的测试结果,证明环栅加固方法对抑制总剂量辐射引起的边缘漏电有一定的效果,但辐照总剂量达到500 krad(Si)时,加固器件发生功能失效。通过仿真模拟各级晶体管辐射损伤对器件最终输出结果的影响,确定初级施密特反相器内阈值电压漂移影响转换电压,而末级晶体管阈值电压漂移导致输出高电平下降。

关键词： BCD工艺栅极驱动器总剂量效应环栅加固器件

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增强型氮化镓功率器件的总剂量效应

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微电子学 2021年第3期51卷 444-448页

作者：陈思远于新陆妩王信李小龙刘默寒孙静郭旗中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结... 详细信息

研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。

关键词：氮化镓功率器件总剂量效应低剂量率损伤增强效应

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基于热敏电阻器的双ADC高精度温度采集系统设计

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仪表技术与传感器 2021年第9期 43-47,53页

作者：张旺东姚金城汤新强常爱民中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049

为了满足海洋研究中海洋温度测量的需要,设计了基于热敏电阻器的双ADC高精度温度采集系统。根据电阻比测温原理设计了恒流源激励单元、信号调理单元及高精度采集单元,为减小恒流源波动产生的影响,采用了双ADC同步采集的方式。通过对热... 详细信息

为了满足海洋研究中海洋温度测量的需要,设计了基于热敏电阻器的双ADC高精度温度采集系统。根据电阻比测温原理设计了恒流源激励单元、信号调理单元及高精度采集单元,为减小恒流源波动产生的影响,采用了双ADC同步采集的方式。通过对热敏电阻器件参数及设计要求进行分析计算,设计了以32位高精度模数转换器ADS1263为核心的采集电路,实现对电压信号的高精度采集。经分段线性拟合及系统标定后,系统的温度采集精度可达0.4 mK,满足海洋测温需求。

关键词：海洋温度高精度测温双ADC 热敏电阻电阻比

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DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型

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太赫兹科学与电子信息学报 2022年第6期20卷 549-556页

作者：王海洋郑齐文崔江维李小龙李豫东李博郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背... 详细信息

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背栅偏置电压补偿辐照导致的器件参数退化。本文研究了总剂量辐照对双埋氧层绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)总剂量损伤规律及背栅偏置调控规律,分析了辐射导致晶体管电参数退化机理,建立了DSOI晶体管总剂量效应模拟电路仿真器(SPICE)模型。模型仿真晶体管阈值电压与实测结果≤6 mV,同时根据总剂量效应模型给出了相应的背栅偏置补偿模型,通过晶体管背偏调控总剂量效应SPICE模型仿真输出的补偿电压与试验测试结果对比,N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的背偏调控模型误差为9.65%,P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)为5.24%,该模型可以准确反映DSOI器件辐照前后阈值特性变化,为器件的背栅加固提供参考依据。

关键词：双埋氧层绝缘体上硅总剂量辐照背偏调控模型

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