检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2018年第1期48卷 115-119,125页

作者：刘元文林李豫东何承发郭旗孙静冯婕曾俊哲马林东张翔王田珲中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

空间高能质子作用于电荷耦合器件(CCD)产生的热像素是空间成像系统性能退化的主要原因之一。为深入认识质子辐射导致CCD产生热像素的规律和机制,对行间转移CCD进行了不同能量(3,10,23MeV)的质子辐射试验,研究了辐射导致CCD暗信号的退化... 详细信息

空间高能质子作用于电荷耦合器件(CCD)产生的热像素是空间成像系统性能退化的主要原因之一。为深入认识质子辐射导致CCD产生热像素的规律和机制,对行间转移CCD进行了不同能量(3,10,23MeV)的质子辐射试验,研究了辐射导致CCD暗信号的退化和热像素产生的规律。试验结果表明,在较低辐射注量1E9p/cm^2下,CCD的暗信号退化很小,但热像素急剧增加。质子辐射能量越大,产生的热像素数量越多。结合粒子输运计算与理论分析表明,热像素产生原因是质子与半导体材料中的原子非弹性碰撞而形成的团簇缺陷。

关键词：电荷耦合器件质子辐射效应热像素

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国产大尺寸钛宝石晶体助力世界最强脉冲激光放大输出

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人工晶体学报 2019年第5期48卷 809-811页

作者：杭寅徐民张连翰何明珠蔡双李善明李晓清梁晓燕冷雨欣李儒新潘世烈张方方中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室上海201800 中国感光学会影像信息功能材料与技术专业委员会《人工晶体学报》中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室上海201800 中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国晶体学会中国稀土学会稀土晶体专业委员会全国人工晶体标准化技术委员会全国半导体设备与材料标准化技术委员会中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会中国光学学会光学材料专业委员会

自主研发成功热交换法生长大尺寸钛宝石晶体设备,生长出完整无开裂的钛宝石激光晶体毛坯,经加工获得尺寸达φ235mm×72mm的晶体元件。在180mm口径范围内,晶体光学均匀性达到5.52×10^-5,晶体应力双折射为5.0nm/cm。大尺寸钛宝... 详细信息

自主研发成功热交换法生长大尺寸钛宝石晶体设备,生长出完整无开裂的钛宝石激光晶体毛坯,经加工获得尺寸达φ235mm×72mm的晶体元件。在180mm口径范围内,晶体光学均匀性达到5.52×10^-5,晶体应力双折射为5.0nm/cm。大尺寸钛宝石晶体应用于上海超强超短激光实验装置,获得339J激光脉冲能量输出,峰值功率达10.3PW。

关键词：钛宝石晶体热交换法超强超短激光十拍瓦

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不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应

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太赫兹科学与电子信息学报 2018年第1期16卷 181-185页

作者：张兴尧郭旗李豫东文林新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆维吾尔自治区乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆维吾尔自治区乌鲁木齐830011

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参... 详细信息

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同。

关键词：铁电存储器总剂量辐射偏置

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基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现

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发光学报 2017年第6期38卷 828-834页

作者：荀明珠李豫东郭旗何承发于新于钢文林张兴尧中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011

基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数... 详细信息

基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取试验装置,兼备晶圆级器件电离总剂量辐照、器件参数在线测试分析功能,并且具有通用性强、测量范围宽、结构一体化、操作自动化等特点。对设备在50 kV管压下产生的X射线能谱、剂量率、束斑的测量以及对晶圆级MOS器件进行I-V、C-V、低频噪声特性的测试分析结果表明,该设备符合ASTM F1467测试标准,且能满足晶圆级器件辐射效应参数提取要求,可为大规模集成电路抗辐射设计加固提供良好的试验条件。

关键词：抗辐射加固试验装置晶圆级器件 X射线辐照辐射效应参数提取

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In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究

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光学学报 2017年第2期37卷 191-198页

作者：玛丽娅郭旗艾尔肯李豫东李占行文林周东中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm^2的电子束辐照实验。实验结果显示,电子束轰击量子阱材料,通过能量传递在材料中引入缺陷,导致光致发光减弱;电子束辐照后的量子阱中同时存... 详细信息

对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm^2的电子束辐照实验。实验结果显示,电子束轰击量子阱材料,通过能量传递在材料中引入缺陷,导致光致发光减弱;电子束辐照后的量子阱中同时存在应力释放和原子互混现象,导致量子阱的发光峰先红移后蓝移;辐照后的量子阱发光波长取决于应变弛豫和扩散的共同作用。

关键词：材料辐射损伤光致发光谱量子阱

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CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究

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发光学报 2017年第2期38卷 182-187页

作者：玛丽娅李豫东郭旗刘昌举文林汪波中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 重庆光电技术研究所重庆400060

对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量... 详细信息

对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火时间的延长而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷导致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增大导致产生-复合中心的增加所引起。

关键词：电子辐照 CMOS有源像素传感器暗信号

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不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析

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现代应用物理 2018年第2期9卷 65-68页

作者：李豫东文林郭旗何承发周东冯婕张兴尧于新中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率... 详细信息

对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

关键词：质子电荷耦合器件辐射效应注量率缺陷

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超深亚微米CMOS场效应晶体管剂量率效应数值模拟

超深亚微米CMOS场效应晶体管剂量率效应数值模拟

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：郑齐文崔江维魏莹于钢余学峰陆妩何承发郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

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宽长比对n型SOI MOSFET总剂量辐射损伤影响的TCAD仿真

宽长比对n型SOI MOSFET总剂量辐射损伤影响的TCAD仿真

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：魏莹崔江维郑齐文孙静余学峰陆妩郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

随着绝缘层上硅(SOI)工艺的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在空间应用增多，其电离总剂量效应(TID)越来越受到关注。利用TCAD仿真工具，构建了 SOI MOSFET的三维仿真结构，并将SiO2材料等效为宽禁带的半导体材料，通过引入TID... 详细信息

随着绝缘层上硅(SOI)工艺的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在空间应用增多，其电离总剂量效应(TID)越来越受到关注。利用TCAD仿真工具，构建了 SOI MOSFET的三维仿真结构，并将SiO2材料等效为宽禁带的半导体材料，通过引入TID的产生率模型、缺陷模型、载流子传输模型等，计算获得了不同宽长比下器件的TID损伤特性。

关键词：电离总剂量效应 SOI MOSFET TCAD仿真

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电离与位移辐射效应对CCD光谱响应影响的仿真分析

电离与位移辐射效应对CCD光谱响应影响的仿真分析

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：魏莹文林崔江维孙静余学峰陆妩郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

电荷耦合器件(CCD)作为卫星中重要的光学器件，在空间辐射环境中主要受到电离总剂量辐射效应和位移辐射效应的影响。利用TCAD仿真方法，通过构建CCD像素单元的三维仿真模型，并引入辐射效应仿真模型，分别获得了 CCD在电离效应和位移效... 详细信息

电荷耦合器件(CCD)作为卫星中重要的光学器件，在空间辐射环境中主要受到电离总剂量辐射效应和位移辐射效应的影响。利用TCAD仿真方法，通过构建CCD像素单元的三维仿真模型，并引入辐射效应仿真模型，分别获得了 CCD在电离效应和位移效应作用下光谱响应特性的变化，仿真结果与试验结果趋势一致。通过仿真比较了 CCD受辐射效应影响前后内部参数的变化，发现电离总剂量辐射效应使靠近器件表面的Si/SiO2界面附近形成耗尽层，进而导致CCD在短波长下的光响应电流增大;位移效应使距离器件表面几个微米处的p/n结耗尽层中复合率增大，导致CCD在中间波长范围的光响应电离减小。仿真结果与分析为CCD辐射损伤机理提供了研究基础。

关键词：电荷耦合器件电离总剂量辐射效应位移辐射效应光谱响应

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