检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2020年第5期41卷 603-609页

作者：雷琪琪郭旗艾尔肯·阿不都瓦衣提玛丽娅·黑尼李豫东王保顺王涛莫镜辉庄玉陈加伟中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 云南师范大学能源与环境科学学院云南昆明650500 新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐830046

为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨... 详细信息

为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减为初始值的85%和29%。GaAsN/GaAs量子阱电子辐照后650℃退火5 min,样品PL强度恢复到初始值,材料带隙没有发生变化。GaAsN/GaAs量子阱辐照后750℃和850℃各退火5 min后,样品PL强度随退火温度的升高不断减小,同时N原子外扩散使得样品带隙发生约4 nm蓝移。退火温度升高没有造成带隙更大的蓝移,这是由于进一步的温度升高产生了新的N—As间隙缺陷,抑制了N原子外扩散,同时导致GaAsN/GaAs量子阱光学性能退化。

关键词：稀氮光致发光电子辐照 GaAsN 退火

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22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究

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固体电子学研究与进展 2020年第5期40卷 384-388页

作者：王保顺崔江维郑齐文席善学魏莹雷琪琪郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器... 详细信息

为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器件热载流子退化减弱;总剂量辐照后,器件电学参数发生退化,主要表现为阈值电压正向漂移及饱和电流增大,这些参数变化主要与辐照在FinFET氧化物中引入的陷阱电荷相关。

关键词：鳍式场效应晶体管热载流子注入效应总剂量效应

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低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究

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微电子学 2020年第2期50卷 281-286页

作者：于新陆妩姚帅荀明珠王信李小龙孙静中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根... 详细信息

在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。

关键词：双极模拟集成电路单粒子瞬态效应等效LET 电荷收集

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Li2BaSiSe4:一种具有显著二次倍频效应的新型复合金属硒化物

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科学通报 2019年第16期64卷 1671-1678页

作者：李广卯武奎潘世烈中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室电子信息材料与器件重点实验室

红外激光变频技术急需新型的具有优良性能的非线性光学晶体,但获得能够实现大倍频和高激光损伤阈值平衡的新型红外非线性光学晶体依然是巨大的挑战,进一步的工作仍是科研工作者的研究热点.本文通过高温溶液法将高正电性的碱金属锂,碱土... 详细信息

红外激光变频技术急需新型的具有优良性能的非线性光学晶体,但获得能够实现大倍频和高激光损伤阈值平衡的新型红外非线性光学晶体依然是巨大的挑战,进一步的工作仍是科研工作者的研究热点.本文通过高温溶液法将高正电性的碱金属锂,碱土金属钡以及无机半导体硅与硒熔合高温反应得到了一种新型红外非线性光学晶体Li2Ba Si Se4,并获得了其光学性质的实验数据.经过漫反射数据转化得到的光学带隙实验值为2.47e V,2.09μm光源下的倍频效应与商业化使用的AgGaS2相当,约为KH2PO4(KDP)的30倍.第一性原理计算还分析了它的能带结构、态密度分布等.

关键词：红外非线性倍频效应晶体

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类KBe_2BO_3F_2结构硼酸盐深紫外非线性光学材料的研究进展

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物理学报 2019年第2期68卷 7-22页

作者：盖敏强王颖潘世烈中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

利用非线性光学(NLO)晶体材料和变频技术,可以把波长范围有限的激光光源扩展到紫外、深紫外区,这已成为深紫外光源的热点研究方向.然而,目前限制深紫外全固态激光器发展和应用的关键问题是缺乏能够在该波段进行频率转换并且产业化应用的... 详细信息

利用非线性光学(NLO)晶体材料和变频技术,可以把波长范围有限的激光光源扩展到紫外、深紫外区,这已成为深紫外光源的热点研究方向.然而,目前限制深紫外全固态激光器发展和应用的关键问题是缺乏能够在该波段进行频率转换并且产业化应用的NLO晶体材料.因此,该领域的各国科学家都在积极探索并发展新一代的深紫外NLO晶体材料.目前仅有KBe_2BO_3F_2 (KBBF)晶体能够实现Nd:YAG的直接六倍频深紫外激光(波长为177.3 nm)输出.然而, KBBF晶体存在严重的层状生长习性,并且其原料氧化铍有剧毒,从而极大地制约了其商业化生产和应用进程.根据阴离子基团理论,以BO_3基团为基本结构单元形成的类[Be_2BO_3F]层状结构特征仍然是目前最有利于产生深紫外谐波的适宜结构之一,因此,基于KBBF层状结构进行分子工程设计,并开发类KBBF结构的硼酸盐可能是探索新材料的优选策略.本文通过回顾类KBBF结构硼酸盐深紫外NLO晶体的发展历程,系统梳理该类晶体材料层状结构特点、不同层间连接方式和光学性能,分析限制深紫外NLO晶体发展的主要因素,讨论目前发展类KBBF结构硼酸盐深紫外NLO晶体材料的主要矛盾和解决策略,以期对未来新材料的创新探索提供借鉴.

关键词：深紫外非线性光学晶体 KBe2BO3F2 倍频效应

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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

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辐射研究与辐射工艺学报 2020年第5期38卷 60-66页

作者：王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 模拟集成电路重点实验室重庆400060

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数... 详细信息

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。

关键词： SiGe BiCMOS 偏置条件电离总剂量氧化物陷阱电荷界面态

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双极电子器件极低剂量率辐照损伤研究进展

双极电子器件极低剂量率辐照损伤研究进展

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中国核学会2021年学术年会

作者：刘默寒王信陆妩何承发郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室

近30年来,双极工艺器件的辐射效应研究主要集中在高、低剂量率(10mrad(Si)/s)辐照低总剂量下ELDRS效应的产生机理及影响因素。但近些年来研究发现,仍有许多问题有待解决。首先,随着剂量率的降低,辐射损伤饱和剂量也随之降低。第二,剂量... 详细信息

近30年来,双极工艺器件的辐射效应研究主要集中在高、低剂量率(10mrad(Si)/s)辐照低总剂量下ELDRS效应的产生机理及影响因素。但近些年来研究发现,仍有许多问题有待解决。首先,随着剂量率的降低,辐射损伤饱和剂量也随之降低。第二,剂量率越低,器件电参数的退化速率越快。第三,增强因子在极低的剂量率下继续增加。第四,在10mrad (Si)/s下评估下认为无ELDRS的器件在极低剂量率下也表现出ELDRS效应。以及,标准中使用10mrad(Si)/s对ELDRS进行评估测试是否低到足以代表真实空间剂量率环境。虽然对于大多数ELDRS敏感器件,在10mrad(Si)/s以下,低剂量率增强因子水平足够稳定,可以约束大部分ELDRS器件的低剂量率响应。然而,最近的实验中也发现,在低于10mrad (Si)/s下辐照的器件需要在更低的剂量率下进行更多的表征,以确定问题的严重程度。因此,需要在极低剂量率下对双极器件的ELDRS效应进行研究和评价,以避免过高估计器件的抗辐射性能。在这里,我们在不同的低剂量率下给出了一系列有价值的实验结果,并分析了它们对现有加速评估方法的影响。

关键词：低剂量率辐射损伤增强效应双极工艺饱和效应加速评估空间应用

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变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响

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原子能科学技术 2019年第6期53卷 1122-1126页

作者：姚帅陆妩于新李小龙王信刘默寒孙静常耀东席善学何承发郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制作用;低电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有促进作用。... 详细信息

利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制作用;低电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有促进作用。电离辐照诱发的界面态缺陷电荷是TID-SET协同效应产生的根本原因,电压比较器的输出级结构导致了偏置状态对TID-SET协同效应的不同影响。

关键词：变温辐照方法双极电压比较器电离总剂量单粒子瞬态偏置状态协同效应

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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

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电子学报 2019年第5期47卷 1065-1069页

作者：席善学陆妩郑齐文崔江维魏莹姚帅赵京昊郭旗中国科学院大学北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011

研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10μm/0.35μm的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的泄漏电流.辐照前体偏压为负时的转移特性曲线相比于体电压为零时发生了正向漂移.当体电压Vb=-1.1V时部分耗尽器件变为全耗尽器件,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区宽度的继续增加,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移.

关键词：总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离

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高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制

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发光学报 2019年第9期40卷 1115-1122页

作者：慎小宝李豫东玛丽娅·黑尼赵晓凡莫敏·赛来许焱雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提郭旗陆书龙中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐830046 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123

为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析... 详细信息

为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论。结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压V oc、短路电流I sc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×10 16 e/cm 2时,电池光电转化效率为零,电池失效。光谱响应方面,注量小于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同。辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因。

关键词： InGaAs单结太阳电池高注量电子位移损伤载流子寿命载流子去除效应

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