检索结果-内蒙古大学图书馆

现代应用物理 2017年第4期8卷 48-51页

作者：马腾崔江维郑齐文魏莹赵京昊梁晓雯余学峰郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷... 详细信息

利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。

关键词：辐射诱导泄漏电流栅氧经时击穿可靠性质子辐照部分耗尽SOI

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流变相法制备NiMn2O4热敏陶瓷材料及电学性能研究

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功能材料 2016年第8期47卷 8248-8252页

作者：张奇男姚金城陈龙常爱民陈惠敏昌吉学院物理系新疆昌吉831100 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

采用流变相法制备了NiMn2O4负温度系数热敏电阻材料,重点研究了不同煅烧温度和烧结温度对NiMn2O4热敏电阻材料微观形貌和电学性能的影响,并且借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征。研究结果表明,煅烧温度为850℃时,粉体主要... 详细信息

采用流变相法制备了NiMn2O4负温度系数热敏电阻材料,重点研究了不同煅烧温度和烧结温度对NiMn2O4热敏电阻材料微观形貌和电学性能的影响,并且借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征。研究结果表明,煅烧温度为850℃时,粉体主要由立方尖晶石相和少量的NiO相组成;当烧结温度为1 150℃时,陶瓷样品具有最低的室温电阻率、最高的材料常数B值以及最低的电阻漂移率（ΔR/R）,分别为2 679Ω·cm、3 878K和0.75%-0.86%。而且不同烧结温度下的陶瓷样品电导激活能都在0.33eV左右。因此,流变相法制备的NiMn2O4陶瓷材料具有良好的热稳定性以及热敏性能,满足市场发展的需要。

关键词：流变相热敏电阻电阻率稳定性

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InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：周书星齐鸣艾立鹍徐安怀王庶民郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响... 详细信息

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是五族元素中最大最重的元素,当被引入三五族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,价带边上升,剪裁能带.在本文中，详细介绍利用V90GSMBE生长掺碳InGaAsBi薄膜的研究。实验证明在InGaAs掺碳中引入稀铋可以提高掺碳效率和固溶度，275℃生长条件下，获得应力匹配的n型InGaAsBi薄膜，其体电子浓度可以达到1x1021cm3，通过传输线模型测试得到其比接触电阻为2.86e-08Ω·cm2。

关键词：半导体薄膜铟镓砷铋晶体生长掺碳效率固溶度欧姆接触特性

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质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析

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物理学报 2015年第2期64卷 253-259页

作者：文林李豫东郭旗任迪远汪波玛丽娅中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题,为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律,对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices,CCD)进行了10 Me V质子辐照试验、退火试验及辐射效应理... 详细信息

针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题,为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律,对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices,CCD)进行了10 Me V质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究.试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特性的变化.试验结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复.通过对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型,得到了暗信号及电荷转移效率随辐照注量退化的半经验公式.上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考.

关键词：电荷耦合器件质子辐照电离效应位移损伤

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电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

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物理学报 2015年第11期64卷 231-238页

作者：曾骏哲何承发李豫东郭旗文林汪波玛丽娅王海娇中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照... 详细信息

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律.研究结果显示,暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致;退火后暗信号大幅度降低,辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%;退火后电荷转移效率恢复较小,电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷.通过总结试验规律,推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子kdamage.

关键词：电荷耦合器件质子辐照位移效应输运仿真

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In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究

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物理学报 2015年第15期64卷 244-250页

作者：玛丽娅李豫东郭旗艾尔肯王海娇汪波曾骏哲中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/I... 详细信息

为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/In P材料在1 Me V电子束辐照下的不同变化规律;对比分析了参数退化的物理机理.结果显示:试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化.体材料最先出现快速退化,而五层量子阱在注量达到6×1014cm-2时,就已经退化至辐照前的9%.经分析认为原因有:1)电子束进入样品后,与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,致使产生的激子数量减少,光致发光强度降低;电子束辐照在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致载流子迁移率降低.2)量子阱的二维限制作用使载流子运动受限,从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率;敏感区域截面积相同条件下,体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重.3)量子阱的层数越多,则异质结界面数越多,相应的产生的界面缺陷数量也随之增多,辐射损伤越严重.

关键词： In0.53Ga0.47As/In P 量子阱电子束辐照光致发光谱

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质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析

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物理学报 2015年第19期64卷 165-172页

作者：曾骏哲李豫东文林何承发郭旗汪波玛丽娅魏莹王海娇武大猷王帆周航中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主... 详细信息

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律.研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致;退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%;中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号.质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的.

关键词：电荷耦合器件质子辐照中子辐照输运仿真

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电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

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物理学报 2015年第13期64卷 294-300页

作者：姜柯陆妩胡天乐王信郭旗何承发刘默涵李小龙中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化... 详细信息

本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.

关键词： NPN输入双极运算放大器电子辐射辐射效应退火

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90nm PMOSFET总剂量辐照与NBTI效应研究

90nm PMOSFET总剂量辐照与NBTI效应研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：崔江维郑齐文余徳昭周航王信魏莹余学峰郭旗刘默寒中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

负偏压温度不稳定性(NBTI)是微纳米MOS 器件主要的可靠性问题之一。当PMOSFET处于高温下的负偏压应力时,Si-SiO2 界面的感生陷阱电荷会造成器件参数退化,这和总剂量辐射(TID)损伤的原理类似。二者的相关性及可能的作用关系研究,对于辐... 详细信息

负偏压温度不稳定性(NBTI)是微纳米MOS 器件主要的可靠性问题之一。当PMOSFET处于高温下的负偏压应力时,Si-SiO2 界面的感生陷阱电荷会造成器件参数退化,这和总剂量辐射(TID)损伤的原理类似。二者的相关性及可能的作用关系研究,对于辐射环境下器件的可靠性评估具有重要意义。已有少量文献报道TID 对NBTI 的影响,指出辐射会加剧器件的NBTI 损伤。然而,本文对90nm 工艺不同宽长比的PMOSFET 进行了总剂量辐照后的负偏压(NBT)应力试验,测试了器件的转移、输出、跨导特性曲线,结果表明辐照减弱了器件的NBTI 敏感性。

关键词： NBTI 总剂量辐射可靠性

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共沉淀法制备Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4 NTC热敏陶瓷材料

共沉淀法制备Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4 NTC热敏陶瓷材料

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第十四届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：谢鲜鲜王军华胡振华常爱民闫世友中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011

采用共沉淀法制备Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4系列NTC热敏陶瓷材料,重点研究了不同预烧温度、烧结温度对Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4陶瓷体系电性能的影响,并通过XRD、SEM等对该体系的相结构和表面微观结构进行表征.结合TG-DSC和XRD曲线得到该材... 详细信息

采用共沉淀法制备Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4系列NTC热敏陶瓷材料,重点研究了不同预烧温度、烧结温度对Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4陶瓷体系电性能的影响,并通过XRD、SEM等对该体系的相结构和表面微观结构进行表征.结合TG-DSC和XRD曲线得到该材料体系在700℃煅烧时得到具有单一的NiFe2O4立方尖晶石结构,经SEM分析在1250℃下烧结可以得到晶粒大小均匀,排列较为致密的陶瓷体,对烧结后的陶瓷体进行电学性能测试,发现该材料的ρ25变化范围为89～141KΩ·cm,B值得变化范围为3821～3885K,因此,Zn0.2Fe1.05NiMn0.75O4系列NTC热敏陶瓷材料是一种具有实际应用价值的NTC热敏电阻材料.

关键词：氧化物热敏陶瓷共沉淀法相结构表面微观结构电学性能负温度系数

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