检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2015年第11期49卷 2087-2092页

作者：姜柯陆妩马武英郭旗何承发王信曾俊哲刘默涵中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM... 详细信息

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。

关键词： PNP输入双极运算放大器质子辐射 60 Coγ射线辐射辐射效应

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质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究

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物理学报 2015年第8期64卷 189-195页

作者：汪波李豫东郭旗刘昌举文林任迪远曾骏哲玛丽娅中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 重庆光电技术研究所重庆400060

对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASS... 详细信息

对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.

关键词：互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号质子辐射位移效应

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总剂量辐射致0.13um PD SOI NMOSFET热载流子增强效应研究

总剂量辐射致0.13um PD SOI NMOSFET热载流子增强效应研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：周航郑齐文崔江维余学峰郭旗任迪远余德昭苏丹丹中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所件乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所件乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011

空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,SOI 技术由此进入空间科学应用舞台,这使得器件在应用中面临着深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战,进行SOI NMOSFET 电辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI 器件... 详细信息

空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,SOI 技术由此进入空间科学应用舞台,这使得器件在应用中面临着深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战,进行SOI NMOSFET 电辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI 器件空间应用的综合可靠性进行评估。通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现了总剂量损伤导致的热载流子损伤增强效应,通过试验后的机理分析得到了该效应是STI 辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起。与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数VT、GMmax、IDSAT 退化较多。文章还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论。

关键词： SOINMOSFET 电离辐射热载流子

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流变相法制备Mn1,2 Cox Ni1.8-xO4 (O.6≤x≤1.8)系列热敏陶瓷材料及电学性能研究

流变相法制备Mn1,2 Cox Ni1.8-xO4 (O.6≤x≤1.8)系列热敏陶瓷材...

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第十四届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：张奇男陈龙姚金城常爱民陈惠敏中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 昌吉学院昌吉学院物理系昌吉831100 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 昌吉学院昌吉学院物理系昌吉831100

采用流变相法制备了Mn1,2CoxNi1.8-xO4(0.6≤x≤1.8)热敏电阻材料,研究了不同组分对Mn-Co-Ni-O系材料的晶体结构、电学性能和老化性能的影响,借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征.研究结果表明:经1200℃烧结后所有组分陶瓷材... 详细信息

采用流变相法制备了Mn1,2CoxNi1.8-xO4(0.6≤x≤1.8)热敏电阻材料,研究了不同组分对Mn-Co-Ni-O系材料的晶体结构、电学性能和老化性能的影响,借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征.研究结果表明:经1200℃烧结后所有组分陶瓷材料均形成了单一的立方尖晶石相,没有任何杂相的存在.随着Co元素含量的增加,室温电阻率呈先减小后增大的趋势,变化范围为228～686Ω·cm,B25/50值在3072～4007K较宽范围内可调.在x=0.6时的材料组分表现出最高的热稳定性,电阻率漂移率(△R/R)仅有0.43％.因此,通过流变相法制备的Mn-Co-Ni-O三元体系陶瓷材料具有良好的热稳定性能,具有实际应用价值.

关键词：三元体系热敏材料锰钴镍氧化物陶瓷流变相法晶体结构电学性能老化性能

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锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真

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物理学报 2015年第11期64卷 421-427页

作者：李培郭红霞郭旗文林崔江维王信张晋新中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 西北核技术研究所西安710024 西安交通大学西安710049

本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影... 详细信息

本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影响.结果表明,引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力,加固后Si Ge HBT伪集电极通过扩散机理,大量收集单粒子效应产生的电荷,有效地减少了实际集电极的电荷收集量,发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低,加固设计后Si Ge HBT的单粒子效应敏感区域缩小,有效的提高了Si Ge HBT器件抗单粒子效应辐射性能.此项工作的开展为Si Ge HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.

关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计伪集电极

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硼钒晶体Na3VO2B6O11的机理研究:确定非线性光学性能材料“新热点”

硼钒晶体Na3VO2B6O11的机理研究:确定非线性光学性能材料“新热点...

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第八届国际分子模拟与信息技术应用学术会议

作者：苏欣杨志华李明宪潘世烈王颖范晓云黄正军张兵兵中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 台湾淡江大学物理系台北25137 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

一种新(NLO)钒硼酸盐晶体的非线性光学机理的研究,Na3VO2B6O11(NVB),扭曲的VO4基团对于结构性能关系的综合分析,通过实验测量相结合,电子结构计算,SHG的加权和电子密度的线性和非线性光学性质的实空间原子贡献分析.发现(VO4)3-阴离子基... 详细信息

一种新(NLO)钒硼酸盐晶体的非线性光学机理的研究,Na3VO2B6O11(NVB),扭曲的VO4基团对于结构性能关系的综合分析,通过实验测量相结合,电子结构计算,SHG的加权和电子密度的线性和非线性光学性质的实空间原子贡献分析.发现(VO4)3-阴离子基团的二次谐波产生(SHG)的反应中的贡献比(BO3)3-阴离子基团更加明显,从而发挥其效应在NVB的倍频效应中热点的重要角色.与阴离子(BO3)3-组具有双折射的贡献占主导地位,而V5+离子线性光学的贡献则可忽略.

关键词：钒硼酸盐晶体结构非线性光学阴离子基团

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CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应

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强激光与粒子束 2015年第9期27卷 202-206页

作者：汪波李豫东郭旗文林孙静王帆张兴尧玛丽娅中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输... 详细信息

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。

关键词： CMOS有源像素传感器中子辐照像素单元饱和输出电压位移效应

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总剂量辐射对65nm静态随机存储器单粒子效应影响研究

总剂量辐射对65nm静态随机存储器单粒子效应影响研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：郑齐文崔江维郭旗王亮岳素格赵元富刘杰陆妩余学峰周航中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 北京微电子技术研究所北京100076 中国科学院近代物理研究所兰州730000 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

本文研究了总剂量辐射损伤对65nm 工艺静态随机存储器(SRAM)单粒子效应影响。试验结果表明累积总剂量辐射使65nm 工艺SRAM 器件单粒子翻转截面增大。总剂量辐射导致的存储单元晶体管阈值电压漂移、关态漏电上升使SRAM 对单粒子效应更为... 详细信息

本文研究了总剂量辐射损伤对65nm 工艺静态随机存储器(SRAM)单粒子效应影响。试验结果表明累积总剂量辐射使65nm 工艺SRAM 器件单粒子翻转截面增大。总剂量辐射导致的存储单元晶体管阈值电压漂移、关态漏电上升使SRAM 对单粒子效应更为敏感。

关键词：静态随机存储器总剂量辐照单粒子效应

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1MeV电子辐照下晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究

1MeV电子辐照下晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池...

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：李占行艾尔肯.阿不都瓦衣提玛丽娅.黑尼方亮高伟高慧孟宪松郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国电子科技集团公司第十八研究所天津300381

本文对MOCVD 方法制备的晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge 三结太阳电池进行了1.0MeV 电子辐射效应研究.辐照通量选取为1.01011 e/cm2.s,辐照注量范围为：—.对辐照前后电池的I-V 特性和光谱响应进行了测试分析.研究结果表明：在电子... 详细信息

本文对MOCVD 方法制备的晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge 三结太阳电池进行了1.0MeV 电子辐射效应研究.辐照通量选取为1.01011 e/cm2.s,辐照注量范围为：—.对辐照前后电池的I-V 特性和光谱响应进行了测试分析.研究结果表明：在电子辐照下,两种电池的I-V 特性参数(开路电压Voc,短路电流Isc,最大输出功率Pmax)均发生了衰降,且晶格失配电池的I-V 特性参数衰降略大于晶格匹配电池.在光谱响应方面,对于顶电池,晶格匹配电池的衰降要大于晶格失配电池;对中间电池而言,前者的衰降要小于后者;另外Ge 底电池的光谱响应表现特殊,辐照后光谱响应变强.

关键词： GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池晶格匹配晶格失配光谱响应辐射效应

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NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

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核技术 2015年第1期38卷 17-22页

作者：张兴尧郭旗陆妩于新新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究... 详细信息

对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。测试结果表明:界面态陷阱电荷引起了电路模块中的电荷泵和灵敏放大器MOS管阈值漂移,进而性能恶化、器件功能失效。退火期间由于界面态陷阱电荷没有发生大量退火,致使电路模块性能没有完全恢复,电流参数没有明显下降。

关键词： NROM存储器 SONOS存储器总剂量辐射退火特性电荷泵灵敏放大器

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