检索结果-内蒙古大学图书馆

有机化学 2014年第12期34卷 2537-2542页

作者：罗倩谢永新陈朝阳闫世友邓文叶刘义王璐璐中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

采用不同取代的二苯醚己二炔化合物及N-磺酰基取代的苯胺己二炔为底物,以ICl为亲电试剂,在温和条件下通过亲电碘环化能快速实现一系列双碘代苯并吡喃衍生物及双碘代1,2-二氢喹啉衍生物的合成;该反应操作简单、条件温和、收率良好,产物... 详细信息

采用不同取代的二苯醚己二炔化合物及N-磺酰基取代的苯胺己二炔为底物,以ICl为亲电试剂,在温和条件下通过亲电碘环化能快速实现一系列双碘代苯并吡喃衍生物及双碘代1,2-二氢喹啉衍生物的合成;该反应操作简单、条件温和、收率良好,产物结构经NMR,IR及MS分析数据得以证实.

关键词：二炔二醚亲电碘环化 1,2-二氢喹啉苯并吡喃

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Ca_3Co_4O_9热电材料前驱体制备及性能表征

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电子元件与材料 2015年第7期34卷 15-18页

作者：姬鹏霞张惠敏常爱民中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011

分别采用固相反应法和空间俘获法制备了Ca3Co4O9前驱体,并经冷等静压后常压烧结工艺制备了块体陶瓷样品。利用TG-DSC、XRD、SEM等方法对前驱体进行了表征,同时测试了陶瓷样品的热电性能。结果表明:空间俘获法可获得纯相、晶粒较小的前... 详细信息

分别采用固相反应法和空间俘获法制备了Ca3Co4O9前驱体,并经冷等静压后常压烧结工艺制备了块体陶瓷样品。利用TG-DSC、XRD、SEM等方法对前驱体进行了表征,同时测试了陶瓷样品的热电性能。结果表明:空间俘获法可获得纯相、晶粒较小的前驱粉体,同时降低了合成温度,而且合成样品的Seebeck系数和功率因子明显高于固相反应法。在976 K获得最大Seebeck系数和功率因子分别为179μV/K、7.5×10–7 W/(cm·K2),较固相反应优化60%、16倍;电阻率略有升高。

关键词：热电材料 Ca3Co4O9 空间俘获法固相反应法热电性能 Seebeck系数

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固相球磨-水热法制备Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4纳米粉体及其NTC性能

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功能材料 2014年第20期45卷 20146-20149页

作者：马仁君常爱民高博孔雯雯夏军波中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

采用固相球磨-水热法制备了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4纳米粉体,研究了水热反应温度对产物粉体结构和形貌的影响,讨论了固相球磨-水热反应机理。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和直流阻温测试仪对样品结构、形貌和电性能进行表征,结果表明... 详细信息

采用固相球磨-水热法制备了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4纳米粉体,研究了水热反应温度对产物粉体结构和形貌的影响,讨论了固相球磨-水热反应机理。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和直流阻温测试仪对样品结构、形貌和电性能进行表征,结果表明固相球磨-水热法由于结合了固相球磨法和一步水热法的优势,因此可在低结晶温度下获得粒径小、分散度高的四方尖晶石结构纳米粉体。电学性能测试结果表明在193～373 K测试温区内,样品所制得陶瓷材料具有明显的负温度系数热敏电阻特性,材料常数B值处于3396～3 625 K。

关键词：固相球磨-水热法纳米粉体 Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 负温度系数热敏电阻

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^(60)Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究

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物理学报 2014年第5期63卷 303-309页

作者：汪波李豫东郭旗刘昌举文林玛丽娅孙静王海娇丛忠超马武英中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 重庆光电技术研究所重庆400060

对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化... 详细信息

对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化的物理机理.实验发现,随着辐照剂量的增加,暗信号和暗信号非均匀性显著退化,并且静态偏置条件下器件的辐射损伤最大.暗信号退化的主要原因是光电二极管pn结和复位晶体管源端N+/Psub结表面边界周围的SiO2产生了大量的界面态;暗信号非均匀性显著退化是由于光电二极管的暗信号增大引起.上述工作可为深入研究CMOS有源像素传感器的抗辐射加固及其辐射损伤评估提供参考.

关键词： CMOS有源像素传感器暗信号 ^60Co-γ射线损伤机理

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0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究

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原子能科学技术 2014年第10期48卷 1886-1890页

作者：吴雪陆妩王信郭旗张兴尧于新中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐... 详细信息

为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加;2)NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大;3)栅极电流辐照后稍有增加,失配随栅极电压的增加而增大。而PMOS差分对管在整个辐照过程中,无论是曲线还是参数均未出现明显变化,且失配亦未随辐照总剂量的增加而增大。

关键词： MOS差分对管 60^Coγ辐射失配

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半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

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发光学报 2014年第4期35卷 465-469页

作者：丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静周航中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐... 详细信息

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。

关键词：总剂量辐射效应 MOS晶体管三极管不同温度辐照

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栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究

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物理学报 2014年第11期63卷 218-223页

作者：马武英王志宽陆妩席善斌郭旗何承发王信刘默寒姜柯中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第24研究所重庆400060

为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝化层的存在对于双... 详细信息

为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝化层的存在对于双极晶体管的辐射响应具有很大影响,有钝化层的器件在电离辐射环境中会产生更多的界面态,其抗辐射能力大大减弱;2)针对国产栅控横向PNP晶体管在低剂量率辐照时会发生峰值电流展宽效应,文中对展宽效应潜在机理进行了分析,并针对展宽效应提出了新的分离方法.这不但对设计抗辐射加固器件提供了依据,而且为进一步深入研究双极器件的低剂量率辐射损伤增强效应提供了强有力工具.

关键词：栅控双极PNP晶体管 60Coγ辐照辐射损伤

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丙二醇嵌段聚醚改性有机硅复配消泡剂的研制

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化学研究与应用 2014年第7期26卷 1099-1102页

作者：罗倩谢永新陈朝阳闫世友邓文叶刘义中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室、新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐新疆830011

研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件：聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2～3,HLB值范围在8.5... 详细信息

研制了一种高效聚醚改性有机硅消泡剂,考察了白炭黑硅膏、乳化剂以及注水量对消泡剂复配的影响,确定了在室温下消泡剂复配的最适用条件：聚醚接枝聚硅氧烷与硅膏用量质量比为5∶5,聚醚接枝聚硅氧烷与水的质量比为1∶2～3,HLB值范围在8.5～9.5的乳化剂用量为消泡剂总量的4～6%。

关键词：丙二醇嵌段聚醚接枝聚硅氧烷白炭黑硅膏乳化剂水消泡剂

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丙烯酸酯／苯乙烯改性水性醇酸树脂的结构与性能

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涂料工业 2014年第7期44卷 46-51页

作者：孙潇潇谢永新陈朝阳闫世友罗倩李鹏冲刘义新疆电子信息材料与器件实验室、中科院特殊环境功能材料与器件重点实验室、中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中石油管道物资装备总公司河北廊坊065000

采用两步法合成了一系列组分不同的水溶性苯乙烯/丙烯酸酯改性醇酸树脂。采用FTIR、1H-NMR和GPC分别对树脂的结构、组成及相对分子质量进行了表征。测定了由合成树脂制备的清漆的性能,包括漆膜干燥时间、铅笔硬度、附着力、耐水和耐碱... 详细信息

采用两步法合成了一系列组分不同的水溶性苯乙烯/丙烯酸酯改性醇酸树脂。采用FTIR、1H-NMR和GPC分别对树脂的结构、组成及相对分子质量进行了表征。测定了由合成树脂制备的清漆的性能,包括漆膜干燥时间、铅笔硬度、附着力、耐水和耐碱性能。结果表明:改性醇酸树脂具有良好的物理机械性能。

关键词：水溶性醇酸树脂苯乙烯丙烯酸酯快干性硬度

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CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究

CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究

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第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：玛丽娅李豫东郭旗刘昌举文林汪波中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所

对某国产CMOS图像传感器进行了1MeV、1.8MeV两种不同能量的电子辐照试验,分析了器件的电子辐照效应与损伤机理。辐照等效电离剂量为70krad(Si),在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,重点考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参... 详细信息

对某国产CMOS图像传感器进行了1MeV、1.8MeV两种不同能量的电子辐照试验,分析了器件的电子辐照效应与损伤机理。辐照等效电离剂量为70krad(Si),在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,重点考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数。实验结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光谱响应特性无特别明显变化。经分析,暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷所致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增加导致产生-复合中心的增加所引起。

关键词： CMOS有源像素传感器电子辐照电离效应暗电流氧化物陷阱电荷界面态缺陷

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