检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 449-455页

作者：王海洋郑齐文崔江维李豫东郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著... 详细信息

研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。

关键词：绝缘体上硅掩埋氧化物背栅调控总剂量辐照

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静水压力变化对NTC热敏电阻器电学特性影响

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海洋与湖沼 2022年第3期53卷 569-577页

作者：刘遵京王军华汤新强霍鹏刘熠姚金城常爱民中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830000 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830000 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830000 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100000

负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)热敏电阻器由于在窄温区内具有极高的灵敏度,在海洋领域中有着广泛的应用,但深海应用中固有的高静水压力,对器件的测温准确度造成不利影响。为了更好地认识这种现象,以珠状NTC热敏电... 详细信息

负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)热敏电阻器由于在窄温区内具有极高的灵敏度,在海洋领域中有着广泛的应用,但深海应用中固有的高静水压力,对器件的测温准确度造成不利影响。为了更好地认识这种现象,以珠状NTC热敏电阻器为研究对象,利用海洋环境高压模拟装置,开展了静水压力作用对器件电学特性影响的研究,固定环境温度25℃和0℃,压力范围0~60 MPa,步长5 MPa。结果显示,随着静水压力的增大,NTC热敏电阻器的电阻值减小;环境温度25℃和0℃时,5~60 MPa的静水压力造成的漂移分别为-0.11%~-2.81%、-0.19%~-2.78%,等效于温度漂移分别为0.024~0.624℃、0.036~0.535℃。这为热敏电阻器在深海温度准确测量的提升提供了指引,有利于在海洋测温领域中更好的应用。

关键词： NTC热敏电阻器深海温度高压模拟装置压力效应

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碳化硅功率MOSFET的阈值和开关响应的辐射损伤对比

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固体电子学研究与进展 2022年第5期42卷 412-416页

作者：冯皓楠杨圣梁晓雯孙静张丹蒲晓娟余学峰中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数(阈值电压)和动态参数(开关响应)的影响。实验结果表明,在经历一定时间的^(60)Coγ射线辐照过... 详细信息

对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数(阈值电压)和动态参数(开关响应)的影响。实验结果表明,在经历一定时间的^(60)Coγ射线辐照过后,器件的各项静态参数发生了不同程度的退化,同时器件的开启延迟略微缩短,关断延迟骤增,总开关损耗增大。γ射线辐照导致器件静态特性退化的同时其动态特性也在改变,但两者退化规律具有一定的差异性。

关键词：碳化硅总剂量效应静态参数动态特性

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辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2143-2150页

作者：刘炳凯李豫东文林周东郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号(DC-RTS)问题,对0.18μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC-RTS特征参数进行分析。试验结果表明:由于位移损伤和电离总剂量效应产生的... 详细信息

针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号(DC-RTS)问题,对0.18μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC-RTS特征参数进行分析。试验结果表明:由于位移损伤和电离总剂量效应产生的RTS缺陷不同,两种DC-RTS在台阶、最大跳变幅度、平均时间等参数存在差异。相比于位移损伤产生的DC-RTS,电离总剂量产生的DC-RTS具有跳变幅度小、平均时间长的波动特点,导致此类DC-RTS难以检测分析。像素积分期间传输栅电压会对电离总剂量诱发的DC-RTS产生影响。上述工作为深入认识CMOS图像传感器DC-RTS现象、探索相关抑制技术提供重要参考。

关键词： CMOS图像传感器位移损伤效应电离总剂量效应暗电流随机电报信号

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850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应和仿真

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核技术 2022年第11期45卷 31-36页

作者：陈加伟李豫东玛丽娅·黑尼郭旗刘希言中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072

为了探究850 nm垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机理,开展了3 MeV和10 MeV质子辐照实验,获得了光输出功率和阈值电流等参数随质子注量的退化规律,同时发现光输出功率和... 详细信息

为了探究850 nm垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机理,开展了3 MeV和10 MeV质子辐照实验,获得了光输出功率和阈值电流等参数随质子注量的退化规律,同时发现光输出功率和阈值电流在相同位移损伤剂量(Displacement Damage Dose,DDD)下的退化程度基本一致。在实验的基础上使用Silvaco软件进行建模与仿真计算,结果与实验结果具有较高一致性,在仿真模型中提取了陷阱密度、施主与受主电离密度、镜面损失、辐射复合速率和光子数等微观参数,在实验规律基础上深入探究了参数退化规律与辐射损伤机制。仿真结果发现这些微观参数随质子注量增加均有不同程度的变化。该结果对于进一步深入理解VCSEL退化机制具有重要意义的参考价值。

关键词：垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser VCSEL) 辐射效应位移损伤效应 Silvaco

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不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2183-2190页

作者：相传峰李小龙陆妩王信刘默寒于新蔡娇张瑞勤何承发荀明珠刘海涛张巍于刚郭旗中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐830046

本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP(gated lateral PNP,GLPNP)双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制。试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因... 详细信息

本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP(gated lateral PNP,GLPNP)双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制。试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因素。在低剂量阶段,高温辐照会导致GLPNP双极晶体管辐射损伤加快,在高剂量阶段,适当降低温度会促进界面陷阱电荷的生长。

关键词：温度效应总剂量效应界面陷阱电荷 GLPNP双极晶体管

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电子辐照PDMS力学性能影响实验研究

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应用力学学报 2022年第6期39卷 1007-1013页

作者：邱剑吕世豪玛丽娅师岩高存法南京航空航天大学机械结构力学及控制国家重点实验室南京210016 韶关学院化学与土木工程学院韶关512005 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受... 详细信息

聚二甲基硅氧烷(PDMS)以其良好的延展性和机械性能,在柔性电子、柔性太阳电池、微流体芯片等领域取得了广泛的应用。PDMS可用于航天复合材料和柔性展开机构中,而航天器在空间运行时,需要考虑空间辐照环境的长期作用。本研究针对PDMS受电子辐照作用后的力学性能变化开展研究:(1)首先将树脂和固化剂按不同配比混合,按国标进行了哑铃状PDMS拉伸试样的制备,进行了单轴拉伸试验;(2)将不同配比PDMS拉伸样品进行了不同剂量的电子辐照试验,并对辐照后样品进行了拉伸试验。采用扫描电子显微镜对辐照前后样品断口形貌进行了观测,并进行了元素成分分析;(3)基于Neo-Hookean模型对单轴拉伸的应力应变关系进行了推导,并与实验数据进行了对比。结果表明,电子辐照能显著影响PDMS的力学性能和表面形貌。辐照后的PDMS试样呈现硬化,弹性模量随辐照剂量增加而提高,而断裂伸长率随辐照剂量增加而减少。

关键词：辐照 PDMS 拉伸试验 Neo-Hookean模型

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22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究

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微电子学 2022年第6期52卷 1076-1080页

作者：崔旭崔江维郑齐文魏莹李豫东郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐... 详细信息

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐照后器件阈值电压负向漂移;鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大。通过分析陷阱电荷作用过程,揭示了产生上述试验现象的原因。

关键词：体硅nFinFET 总剂量辐射效应辐照偏置

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编者按

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人工晶体学报 2023年第7期52卷 1163-1164+1162页

作者：苏良碧吴少凡潘世烈中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院福建物质结构研究所中国科学院国家光电子晶体材料工程技术研究中心中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院“特殊环境功能材料与器件”重点实验室

激光晶体和非线性光学晶体能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制等功能，是激光技术赖以发展的核心基础材料，对国民经济、社会发展和国家安全保障有着不可替代的支撑作用，也是世界科技强国高技术发展规划中的优先发展战略方向...

激光晶体和非线性光学晶体能够实现激光增益、频率转换、强度与相位调制等功能，是激光技术赖以发展的核心基础材料，对国民经济、社会发展和国家安全保障有着不可替代的支撑作用，也是世界科技强国高技术发展规划中的优先发展战略方向。我国人工晶体研究在世界范围内具有重要影响力，部分激光与非线性光学晶体的研发水平居国际前列。“十四五”以来，面向电子信息、通信、能源、人工智能等领域变革式发展的迫切需求，国家持续加大激光与非线性光学晶体的研发支持力度。

关键词：

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NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究

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固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 388-393页

作者：徐锐周东刘炳凯李豫东蔡娇刘海涛文林郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负... 详细信息

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负载电流条件下,输出电压的退化更显著,且退化程度更严重,对这一现象提出了详细解释。输入电流作为关断模式条件下的重要敏感参数,可以用来评估器件的可靠性。此外,由于退火效应,低剂量率下的输出电压退化程度小于高剂量率下的输出电压退化程度。因此,剂量率的选择对分析和评估DC-DC电源变换器的电离总剂量效应非常重要。

关键词：电离总剂量效应 DC-DC电源变换器输出电压辐射损伤机理

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