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    • 1 篇 生物工程
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主题

  • 5 篇 ingaas
  • 5 篇 总剂量效应
  • 3 篇 化学机械抛光
  • 3 篇 缓冲层
  • 3 篇 浅沟槽隔离
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  • 2 篇 存储单元
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  • 2 篇 simox材料
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机构

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  • 1 篇 中国科学院长春光...
  • 1 篇 武汉邮电科学研究...
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 中国科学院上海技...

作者

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  • 4 篇 宁冰旭
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  • 3 篇 刘卫丽
  • 3 篇 封松林
  • 3 篇 吴惠桢

语言

  • 44 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院研究生院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室"
44 条 记 录,以下是41-50 订阅
排序:
硅衬底超精密CMP中抛光液的研究
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Journal of Semiconductors 2006年 第z1期27卷 400-402页
作者: 钟旻 张楷亮 宋志棠 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了... 详细信息
来源: 评论
ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2006年 第1期27卷 178-182页
作者: 曹萌 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 刘成 张军 江山 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院研究生院 北京100039 武汉邮电科学研究院
为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深... 详细信息
来源: 评论
两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
收藏 引用
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息
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Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究
Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
作者: 刘奇斌 张楷亮 王良咏 封松林 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心 信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院
Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI12... 详细信息
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