检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2018年第6期48卷 722-727页

作者：陈光炳徐代果李曦模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了... 详细信息

基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了动态比较器输入管的跨导,解决了动态比较器的速度与噪声折中的难题。基于65nm CMOS工艺,设计了一种10位120MS/s SAR ADC。在1V电源电压下,功耗为1.2mW,信号噪声失真比SNDR>55dB,无杂散动态范围SFDR> 68dB,在奈奎斯特采样情况下,优值(FoM)为22fJ/(conv·step)。

关键词：衬底电压自举高线性低阻抗开关高速低噪声比较器

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军用射频集成电路技术发展趋势

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微电子学 2018年第5期48卷 663-666页

作者：刘沛王健安赖凡中国航天标准化与产品保证研究院北京100071 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者。长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目。射频集成电路(RFIC)是实现通信、雷达、电子... 详细信息

目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者。长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目。射频集成电路(RFIC)是实现通信、雷达、电子战系统的关键器件,是DARPA大力发展的重要技术之一。通过分析DARPA军用RFIC系列项目的现状和未来发展规划,提出了高速、高频、宽带、智能化的RFIC技术发展趋势。

关键词：射频集成电路 DARPA 智能化

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一种带高阶补偿的低温漂基准电压源

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微电子学 2018年第2期48卷 162-166页

作者：田金鹏秦少宏李儒章臧剑栋彭毅德重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真... 详细信息

在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃~125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10^(–6)/℃。

关键词：带隙基准电压源低温漂系数 2阶补偿高阶补偿

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P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究

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微电子学 2017年第4期47卷 581-585页

作者：冯建吴建吴雪谭开洲王斌杨永晖中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条... 详细信息

针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层。通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 k Gy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 Me V·cm^2/mg。该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统。

关键词：功率器件抗辐射加固局部厚场氧化层 N体区栅氧化层

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一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺

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微电子学 2017年第1期47卷 122-125页

作者：张杨波唐昭焕阚玲任芳中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介... 详细信息

针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81V、电容密度为0.394fF/μm^2的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。

关键词：氮氧化硅相对介电常数电容密度介质 MOS电容

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一种全MOS型超低功耗基准电压源设计

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微电子学 2017年第2期47卷 164-167页

作者：周勇胡刚毅沈晓峰胡云斌顾宇晴陈遐迩重庆大学重庆400044 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55... 详细信息

在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃~125℃,该基准源的温度系数为2.67×10^(-5)/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。

关键词：全MOS带隙基准源超低功耗低温度系数

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一种0.6V CMOS基准电压源的设计

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微电子学 2017年第2期47卷 160-163页

作者：胡云斌胡永贵周勇顾宇晴陈振中重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0... 详细信息

基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0.6~2.0V范围内变化,基准输出电压仅变化了1.75mV;在0.6V电源电压下,-20℃~125℃温度范围内,温度系数为2.8×10^(-5)/℃,电源抑制比为52.47dB@10kHz,整个电路的功耗仅为12μW。

关键词：低压基准电压源 CMOS 低压运放衬底偏置

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一种缓冲器阻抗动态调整的LDO

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微电子学 2017年第6期47卷 739-742页

作者：胡云斌胡永贵周前能重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了... 详细信息

提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了LDO瞬态响应性能。基于TSMC 0.18μm 3.3VCMOS工艺进行设计,该LDO的输出电压为1.8V,压差电压为0.2V,最大输出电流为100mA。仿真结果显示,LDO的静态电流只有5μA,当负载电流在10ns内从0mA跳变到100mA时,输出欠冲和过冲电压分别为88.2mV和34.8mV。

关键词：低压差线性稳压器源级跟随器快速瞬态响应

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高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源

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微电子学 2017年第3期47卷 355-358页

作者：周勇胡云斌胡刚毅沈晓峰顾宇晴倪亚波重庆大学光电工程学院重庆400044 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在... 详细信息

在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在0.9~3V变化时,该电压源均可正常工作,输出电压约为558mV。1.2V电源电压下,在-55℃~100℃温度范围内,该电压源的温度系数为2.3×10-5/℃,低频电源抑制比为-81dB,总功耗约为127nW。

关键词：低温度系数高电源抑制比全MOS 超低功耗

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高速电流舵D/A转换器技术发展动态

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微电子学 2017年第4期47卷 437-444,456页

作者：张俊安冯雯雯刘军付东兵杨毓军罗璞李广军电子科技大学通信与信息工程学院成都611731 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

综合论述了高速电流舵结构D/A转换器设计中的多项关键技术。以近年发表的高速电流舵结构D/A转换器的论文和公开的专利为基础,以电流舵结构D/A转换器设计中所遇到的多种非理想因素为依据,分类介绍了每种关键技术的原理、特点,并给出评价... 详细信息

综合论述了高速电流舵结构D/A转换器设计中的多项关键技术。以近年发表的高速电流舵结构D/A转换器的论文和公开的专利为基础,以电流舵结构D/A转换器设计中所遇到的多种非理想因素为依据,分类介绍了每种关键技术的原理、特点,并给出评价,提出了这些技术在电路级实现时需要考虑的因素。

关键词：高速电流舵D/A转换器发展动态关键技术

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