检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2015年第5期45卷 676-680页

作者：张俊安李广军张瑞涛杨毓军付东兵电子科技大学通信与信息工程学院成都611731 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

综合论述了单片直接数字频率合成器(DDS)产品的现状、应用范围以及发展趋势。以目前国际上单片DDS产品公开发布的产品介绍资料为基础,根据DDS产品的性能和功能进行统计和分析,得到关于DDS产品的一些有用的结论。以DDS的不同功能特点为依... 详细信息

综合论述了单片直接数字频率合成器(DDS)产品的现状、应用范围以及发展趋势。以目前国际上单片DDS产品公开发布的产品介绍资料为基础,根据DDS产品的性能和功能进行统计和分析,得到关于DDS产品的一些有用的结论。以DDS的不同功能特点为依据,分别介绍了其在不同领域的应用情况,最后给出单片DDS产品的发展趋势预测。

关键词：直接数字频率合成器综述现状发展趋势

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一种基于电容匹配算法的低噪声SAR ADC设计

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微电子学 2014年第5期44卷 573-577页

作者：徐代果陈光炳刘涛中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

设计了一个12位,采样速率为120kS/s的SAR ADC。提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化。通过对比较器的设计,解决了在噪声环境下,影响比较器性能的电荷注入、带宽、转换... 详细信息

设计了一个12位,采样速率为120kS/s的SAR ADC。提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化。通过对比较器的设计,解决了在噪声环境下,影响比较器性能的电荷注入、带宽、转换速度等问题。在0.35μm2P5MCMOS工艺下进行了流片,测试结果表明,设计的SAR ADC的DNL和INL均小于±1LSB,功耗为1.5mW。

关键词： SAR ADC 电容匹配低噪声比较器

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基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究

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微电子学 2014年第1期44卷 105-109页

作者：陈佳乔哲唐昭焕王斌谭开洲中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMO... 详细信息

分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。

关键词： VDMOS 单粒子效应锎源单粒子烧毁单粒子栅穿

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一种新颖的600V浮空埋层结构

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微电子学 2014年第3期44卷 377-379页

作者：刘嵘侃谭开洲唐昭焕刘勇冉明中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

提出了一种新颖的低导通电阻600V器件结构。该结构采用了掺杂深槽和分裂浮空埋层结构,可以克服普通分裂浮空埋层结构划片道边缘漏电大的问题,同时仍然保持了普通分裂浮空埋层结构具有的较低导通电阻的优势。数值仿真表明,采用这种结构的... 详细信息

提出了一种新颖的低导通电阻600V器件结构。该结构采用了掺杂深槽和分裂浮空埋层结构,可以克服普通分裂浮空埋层结构划片道边缘漏电大的问题,同时仍然保持了普通分裂浮空埋层结构具有的较低导通电阻的优势。数值仿真表明,采用这种结构的600V器件外延层比导通电阻在相同耐压下比理想平行平面结结构小43%,从73.3mΩ·cm2降低到41.7mΩ·cm2。

关键词：比导通电阻分裂浮空埋层耐压超结

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ADC模拟输入阻抗测试及窄带网络匹配技术

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微电子学 2014年第5期44卷 687-691页

作者：李静俞宙中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

讨论了高速流水线ADC模拟输入前端的一般结构及其等效模型,在此基础上介绍了该类型ADC模拟输入端的阻抗测量原理和一种适用于窄带应用的ADC模拟输入端谐振匹配网络设计方法。最后,以某14位250MS/s无缓冲ADC为例,详细介绍了模拟输入阻抗... 详细信息

讨论了高速流水线ADC模拟输入前端的一般结构及其等效模型,在此基础上介绍了该类型ADC模拟输入端的阻抗测量原理和一种适用于窄带应用的ADC模拟输入端谐振匹配网络设计方法。最后,以某14位250MS/s无缓冲ADC为例,详细介绍了模拟输入阻抗测量以及匹配设计步骤,并给出匹配优化后的测试结果。

关键词： A/D转换器模拟输入网络阻抗测试阻抗匹配

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一种基于双沿输出的14位4GS/s RF DAC设计

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微电子学 2014年第4期44卷 413-415,419页

作者：刘军付东兵万贤杰模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种基于双沿输出的14位4 GS/s RF DAC电路设计。该电路采用0.18μm CMOS工艺实现,电路主要包含LVDS接收同步、高速温度计译码器、高速MUX、数据同步电路、DAC核等单元。该电路实现4 GS/s数据率的核心是双沿输出技术。采用该技术... 详细信息

介绍了一种基于双沿输出的14位4 GS/s RF DAC电路设计。该电路采用0.18μm CMOS工艺实现,电路主要包含LVDS接收同步、高速温度计译码器、高速MUX、数据同步电路、DAC核等单元。该电路实现4 GS/s数据率的核心是双沿输出技术。采用该技术只需处理2 GHz时钟,与传统单沿输出DAC相比,时钟频率减少了一半。测试电路能在4 GS/s数据率下正常工作。

关键词：数模转换器双沿输出

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一种高压集成电容结构的可靠性研究

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微电子学 2014年第1期44卷 115-117,126页

作者：王坤谭开洲唐昭焕殷万军罗俊黄磊王斌重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得... 详细信息

针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得出一系列上升沿时间小于200ns的电容结构下极板最大可靠宽度。

关键词：高压集成电路电容可靠性

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一种应用于LDO的动态补偿技术

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微电子学 2014年第5期44卷 640-643页

作者：吴唱王菡胡刚毅苏丹杨皓元罗凯王川重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆大学重庆400044

通过对传统LDO频率补偿电路的极点、零点进行分析,提出一种新型动态补偿技术,显著改善了电路的性能指标。采用0.6μm BiCMOS工艺模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1mA变化至300mA时,非主极点能跟随负载电流的增加向高频移动,系统环路... 详细信息

通过对传统LDO频率补偿电路的极点、零点进行分析,提出一种新型动态补偿技术,显著改善了电路的性能指标。采用0.6μm BiCMOS工艺模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1mA变化至300mA时,非主极点能跟随负载电流的增加向高频移动,系统环路单位增益带宽在195~555kHz之间,相位裕度保持在50°以上,保证了LDO在全负载范围内均能稳定工作。

关键词：低压差线性稳压器极点零点动态补偿

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一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布

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微电子学 2014年第4期44卷 527-530页

作者：张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge... 详细信息

介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。

关键词： SiGe HBT Ge组分厄尔利电压击穿电压

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12位800 MS/s ADC设计

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微电子学 2014年第5期44卷 578-581页

作者：张正平徐骅王永禄马莉杨世福中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆西南集成电路设计有限责任公司模拟集成电路重点实验室重庆市77103部队重庆美亚电子有限公司

提出了一种基于0.18μm CMOS工艺设计的12位800MS/s高速ADC。采用独特的折叠/内插与流水线相组合的结构,兼具折叠/内插结构的高转化率与流水线结构的高分辨率的优点。介绍了ADC的总体结构,分析了采样保持电路的设计原理,阐述了折叠/插... 详细信息

提出了一种基于0.18μm CMOS工艺设计的12位800MS/s高速ADC。采用独特的折叠/内插与流水线相组合的结构,兼具折叠/内插结构的高转化率与流水线结构的高分辨率的优点。介绍了ADC的总体结构,分析了采样保持电路的设计原理,阐述了折叠/插值与流水线结构电路的机理,描述了数字自校正原理。在采样率800MS/s和模拟输入397MHz条件下进行版图后仿真,SFDR达到62dB。

关键词：高速 ADC 折叠/内插流水线

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