检索结果-内蒙古大学图书馆

上海交通大学学报 2013年第1期47卷 129-132,137页

作者：余金山梁盛铭马卓王育新张瑞涛刘涛李婷俞宙国防科学技术大学计算机学院长沙410073 中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进... 详细信息

提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时.

关键词：抖动流水线抗辐照加固设计模数转换器

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高精度电流舵型D/A转换器线性度测试技术

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微电子学 2013年第3期43卷 435-439,448页

作者：魏亚峰俞宙中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

线性度是D/A转换器静态误差的重要指标,包括积分非线性误差和微分非线性误差两个参数。高速高精度D/A转换器线性度的测量需要考虑较多因素,包括仪表精度、D/A转换器输出端接方式,甚至负载热效应等。提出了一种结合D/A转换器内部设计结构... 详细信息

线性度是D/A转换器静态误差的重要指标,包括积分非线性误差和微分非线性误差两个参数。高速高精度D/A转换器线性度的测量需要考虑较多因素,包括仪表精度、D/A转换器输出端接方式,甚至负载热效应等。提出了一种结合D/A转换器内部设计结构,并使外部负载的影响降至较低水平的最优线性度测试方法。该方法减少了发码数量,提高了测试效率,并且降低了负载温漂导致的热失衡所引入的误差。

关键词：电流舵 D A转换器线性度集成电路测试

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加快IC/IP研发,推动系统芯片发展

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微电子学 2013年第3期43卷 301-307页

作者：徐世六赖凡模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

运用翔实的事实和数据,分析研究集成电路技术和产业发展规律。提出发展我国集成电路(包括IP)产业的竞争力是推动自主可控系统芯片发展的较好途径。

关键词：集成电路知识产权单功能集成电路片上系统系统封装

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一种多电源信号处理系统的保护电路设计

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微电子学 2013年第3期43卷 401-404页

作者：杨毓军苏晨张俊安胡蓉彬刘军中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路重点实验室重庆400060

提出了一种采用0.18μm BiCMOS工艺的多电源信号处理系统的保护电路。保护电路检测各个电源,以确定不同电源的状态,然后给出准确的握手信号,以保障系统正常工作。该电路采用BiCMOS工艺,设计为IP核固化,面积小,可以方便地应用于多电源信... 详细信息

提出了一种采用0.18μm BiCMOS工艺的多电源信号处理系统的保护电路。保护电路检测各个电源,以确定不同电源的状态,然后给出准确的握手信号,以保障系统正常工作。该电路采用BiCMOS工艺,设计为IP核固化,面积小,可以方便地应用于多电源信号处理系统。设计的保护电路已用于数模混合信号芯片中,在0.18μm BiCMOS工艺上进行流片。对芯片样品电路进行测试,结果表明,保护电路IP核工作正常,能够对整个系统进行上电/掉电保护。

关键词：上电保护掉电保护知识产权核

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商用单片D/A转换器产品发展综述

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微电子学 2013年第6期43卷 827-831页

作者：张俊安杨毓军张瑞涛王友华刘军付东兵模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

论述了商用单片D/A转换器类产品的发展阶段、产品现状及未来发展趋势。以目前国际上商用单片D/A转换器产品公开发布的产品资料为基础,分四个阶段简要介绍了D/A转换器产品的特点、电路结构、速度精度、应用范围等;介绍了目前市场上销售... 详细信息

论述了商用单片D/A转换器类产品的发展阶段、产品现状及未来发展趋势。以目前国际上商用单片D/A转换器产品公开发布的产品资料为基础,分四个阶段简要介绍了D/A转换器产品的特点、电路结构、速度精度、应用范围等;介绍了目前市场上销售的各类D/A转换器产品的性能指标、结构特点及应用范围;讨论了商用单片D/A转换器产品的发展趋势。

关键词： D A转换器数据转换器模拟集成电路

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特定应用环境下高压电源调频控制器的设计

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微电子学 2013年第6期43卷 788-791页

作者：徐勇胡晓斌陈瑞鹏宗莉莉模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

设计了一种应用于特定环境的高可靠高压电源调频控制器,配合系统高压变压器,实现了输出电压为7 800±200V,输出高压建立时间小于1s,稳态输入平均电流小于0.3A。启动过程中,控制器可根据反馈电压的高低自动调节功率变换开关频率和占... 详细信息

设计了一种应用于特定环境的高可靠高压电源调频控制器,配合系统高压变压器,实现了输出电压为7 800±200V,输出高压建立时间小于1s,稳态输入平均电流小于0.3A。启动过程中,控制器可根据反馈电压的高低自动调节功率变换开关频率和占空比。同时,研制的调频控制器满足系统其他特定性能要求。

关键词：高压电源调频控制器 DC Dc变换器

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700V三层RESURF nLDMOS优化设计

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微电子学 2013年第2期43卷 278-281页

作者：孙鹏刘玉奎陈文锁重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保留一条N型导电通路,导通电阻有所降低。利用Sentaurus TCAD仿真软件,... 详细信息

提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保留一条N型导电通路,导通电阻有所降低。利用Sentaurus TCAD仿真软件,分析各参数对器件击穿电压和导通电阻的影响。与普通单RESURF和双RESURF结构相比,三层RESURF LDMOS器件的优值(FOM)得到提高,三种结构的优值之比为1∶1.75∶2.03。

关键词：横向双扩散金属-氧化物-半导体降低表面电场击穿电压比导通电阻

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dV_(ss)/dt触发N阱CMOS器件闩锁失效的研究

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微电子学 2013年第2期43卷 266-269页

作者：殷万军刘玉奎刘利重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak<Vss0(导通临界值约为-0.8V)时,CMOS器件发生闩锁效应。dVss/dt外界触发作用消失后,为了达到稳定闩锁效应状态,存储在寄生PNP... 详细信息

从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak中耗尽电容的电荷量Qc要大于Qc0(临界值),需要足够的脉冲宽度和较小的晶体管渡越时间。Silvaco瞬态仿真验证表明,该研究结果可用于改善CMOS集成电路的可靠性设计。

关键词： CMOS器件闩锁效应 dVss dt触发寄生可控硅模型瞬态仿真

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不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响

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微电子学 2013年第6期43卷 859-862,866页

作者：张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基... 详细信息

研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。

关键词： SiGeHBT Ge组分电流增益厄尔利电压截止频率

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选择性化学机械抛光制作微拱形结构

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传感器与微系统 2013年第4期32卷 116-118页

作者：杨增涛王华曾德平陈俊赵纯亮重庆医科大学生物医学工程学院省部共建超声医学工程国家重点实验室超声医学工程重庆市市级重点实验室重庆400016 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

为克服平面微机械结构无法释放残余应力、刚度小、跨度小,平面牺牲层工艺成拱出现非光滑台阶状边缘而造成器件失效或能量泄漏的缺点,改进现有成拱工艺在器件尺寸、结构稳定性及可靠性等方面的不足,提出一种用选择性化学机械抛光技术制... 详细信息

为克服平面微机械结构无法释放残余应力、刚度小、跨度小,平面牺牲层工艺成拱出现非光滑台阶状边缘而造成器件失效或能量泄漏的缺点,改进现有成拱工艺在器件尺寸、结构稳定性及可靠性等方面的不足,提出一种用选择性化学机械抛光技术制作微拱形结构的方法。该方法是在化学机械抛光过程中,加入对牺牲层材料和硅材料抛光速度具有差异性的选择性抛光液,在牺牲层和硅材料的边界处利用滑动摩擦过程中的物理和化学作用,在牺牲层处形成连续平滑的拱形凸起,最后在其上制作微拱形结构。实验结果证实:微拱形结构有一定的曲率,拱起高度约为3.5μm,跨度大于100μm,微拱形表面光滑且为连续的曲面。该方法可为MEMS传感器、微型压电驱动器、薄膜体声波谐振器及滤波器的微拱形结构的制作提供参考。

关键词：化学机械抛光微拱形结构牺牲层

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