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Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)

稀有金属材料与工程 2011年第8期40卷 1344-1347页

作者：徐大朋万里程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉沈达身温州大学浙江温州325027 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 美国UAH大学 Alabama 35899

研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X ... 详细信息

研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。

关键词： HfO2 Al2O3 60Co γ射线辐射

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大范围连续调谐的InAs／InP(100)外腔量子点激光器

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光电子．激光 2016年第9期27卷 903-907页

作者：高金金严进一柳庆博赵旺鹏荣春朝龚谦中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

实现了一种工作在连续波(CW)模式下InAs/InP(100)外腔量子点激光器(EC-QDL)。激光器采用小型化的Littrow外腔结构,中心波长为1.6μm且输出光方向固定。在室温条件下,对InAs/InP(100)量子点外腔激光器进行了一系列性能测试。实验结果表明... 详细信息

实现了一种工作在连续波(CW)模式下InAs/InP(100)外腔量子点激光器(EC-QDL)。激光器采用小型化的Littrow外腔结构,中心波长为1.6μm且输出光方向固定。在室温条件下,对InAs/InP(100)量子点外腔激光器进行了一系列性能测试。实验结果表明,器件的单模大范围波长调谐达56.5nm,覆盖波长从1 566.9到1 623.4nm,获得30GHz的无跳模连续调谐范围,在中心波长1.6μm附近单模输出功率达8 mW,并在无跳模连续调谐范围内获得了30dB以上的边模抑制比(SMSR)。

关键词：量子点激光器(QDL) 外腔光栅边模抑制比(SMSR)

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外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响

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发光学报 2013年第4期34卷 474-479页

作者：龙睿王海龙成若海龚谦严进一汪洋陈朋宋志棠封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系.山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算... 详细信息

在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算,并与实验结果进行了对比。计算得到的外腔激光器的输出功率与实验结果符合得很好,忽略了非线性增益相关的增益抑制的单模调谐范围理论计算值稍小于实验结果。

关键词：量子点激光器外腔反馈输出功率调谐范围

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干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究

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物理学报 2007年第2期56卷 1027-1031页

作者：曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室武汉邮电科学研究院武汉430074

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.

关键词：干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱损伤

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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

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光电子．激光 2014年第7期25卷 1279-1283页

作者：康传振王海龙龚谦严进一成若海汪洋柳庆博曹春芳岳丽曲阜师范大学物理系、山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连... 详细信息

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续调谐测试和输出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长从999.2nm到1 023.8nm,并且实现了波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1 525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功率为15mW,单模边模抑制比(SMSR)高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。

关键词：量子点激光器(QDL) 外腔光栅边模抑制比(SMSR)

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用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

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稀有金属 2004年第3期28卷 511-515页

作者：劳燕锋吴惠桢中科院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组... 详细信息

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而Ga组份为 0 .5 1～ 0 .5 7时 ,阱材料中产生的张应变量为 :0 .2 9%～ 0 .70 %。最后 ,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱 ,从而对x与Lw 组合值进行优化。

关键词：半导体激光器量子阱结构应变光增益谱

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基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器

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稀有金属 2004年第3期28卷 590-591页

作者：吕京涛曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ... 详细信息

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性。

关键词：太拉赫兹负微分电阻庚氏效应

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基于DMD的外腔量子点激光器性能研究

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光电子．激光 2013年第6期24卷 1070-1074页

作者：成若海王海龙龚谦严进一汪洋柳庆博曹春芳岳丽山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了取得更加完善的外腔量子点激光器(QDL)测试数据,构建了基于数字微镜器件(DMD,digital micro-mirror device)的InAs/InP量子点外腔QDL。测量了其光谱特性以及调谐范围,得到了基于DMD的外腔QDL调谐范围和相应的模式变化。在理论和实... 详细信息

为了取得更加完善的外腔量子点激光器(QDL)测试数据,构建了基于数字微镜器件(DMD,digital micro-mirror device)的InAs/InP量子点外腔QDL。测量了其光谱特性以及调谐范围,得到了基于DMD的外腔QDL调谐范围和相应的模式变化。在理论和实验上与基于光栅的外腔QDL性能进行了比较,得到了在角色散和反射光谱中与光栅的区别,实现了将DMD应用于外腔QDL中而获得的一种新方法。

关键词：数字微镜器件(DMD) InAs InP量子点激光器(QDL) 外腔光谱角色散

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一维准周期光子晶体的太拉赫兹布洛赫振荡源

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稀有金属 2004年第3期28卷 592-593页

作者：张拥华曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构... 详细信息

从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构和太拉赫兹频段的光学布洛赫振荡 ,并可望应用于太拉赫兹振荡源。

关键词：光子晶体太拉赫兹光学布洛赫振荡

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太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 585-587页

作者：米贤武曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要... 详细信息

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。

关键词：光吸收谱量子阱太拉赫兹

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