检索结果-内蒙古大学图书馆

通信技术 2018年第12期51卷 2819-2823页

作者：张书玉王海龙密术超赵建平龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

光信号的动态啁啾特性会引起光信号的波形发生独特的变化,以复杂的方式影响传输性能。为了分析这一特性,通过求解速率方程和光的传输方程和实验数据作比较,研究了QD-SOA的动态啁啾特性,分析了增益恢复时间和啁啾的关系。结果表明,QD-SO... 详细信息

光信号的动态啁啾特性会引起光信号的波形发生独特的变化,以复杂的方式影响传输性能。为了分析这一特性,通过求解速率方程和光的传输方程和实验数据作比较,研究了QD-SOA的动态啁啾特性,分析了增益恢复时间和啁啾的关系。结果表明,QD-SOA有较好的蓝移啁啾特性;通过减小泵浦光功率、增大探测光功率和减小电流强度可以减小啁啾,而减小泵浦光功率和减小电流强度所带来的增益恢复时间的增大可以通过适当增加蓝移啁啾来改善。

关键词：光通信量子点半导体光放大器啁啾增益恢复时间

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基于QD-SOA的波长转换特性的消光比研究

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通信技术 2013年第9期46卷 107-110页

作者：史尚尚王海龙孙丽芹龚谦封松林曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在量子点半导体光放大器(QD-SOA)的静态模型基础上,建立了动态模型。讨论了基于QD-SOA的交叉增益调制(XGM)的波长转换特性原理。采用细化分段方法及四阶龙格-库塔法求解速率方程及光场传输方程,给出了变换前后的波形对照。通过改变QD-SO... 详细信息

在量子点半导体光放大器(QD-SOA)的静态模型基础上,建立了动态模型。讨论了基于QD-SOA的交叉增益调制(XGM)的波长转换特性原理。采用细化分段方法及四阶龙格-库塔法求解速率方程及光场传输方程,给出了变换前后的波形对照。通过改变QD-SOA的自身及外部参数,讨论了输出探测光消光比的影响因素,结果表明增大泵浦光功率、减小探测光功率、增大注入电流及有源区长度都可以增大消光比,从而能够增强信号的抗干扰能力。

关键词：细化分段方法量子点半导体光放大器交叉增益调制波长转换消光比

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基于QD-SOA交叉相位调制全光逻辑或门啁啾特性的研究

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通信技术 2020年第1期53卷 15-19页

作者：孔雪纯王海龙王玉倩杨帅龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用马赫-曾德尔干涉仪(Mach-Zehnder Interferometer,MZI)结构实现了基于量子点半导体光放大器(Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)交叉相位调制(Cross-Phase Modulation,XPM)全光逻辑或门。变换光啁啾在一定程度上影响系统的传输性能与输出波形,通过求解跃迁速率方程,建立QD-SOA仿真模型,研究全光逻辑或门的啁啾特性,并仿真分析了有源区长度、背景光功率、脉冲宽度以及注入电流对啁啾的影响。结果表明:有源区长度设置在1.0~2.0 mm、背景光功率设置在小于0 dBm、脉冲宽度设置在1.0 ps左右,QD-SOA-XPM全光逻辑或门的性能较好。

关键词：量子点半导体光放大器交叉相位调制全光逻辑或门啁啾

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器件无关的经典/量子鉴熵实验

器件无关的经典/量子鉴熵实验

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第十七届全国量子光学学术会议

作者：朱锋张巍陈思井尤立星黄翊东王镇清华信息科学与技术国家实验室清华大学电子工程系信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

器件无关的量子信息处理仅基于观测的数据。其中的器件被认为是黑盒子,不需要假设黑盒子内遵循的物理原理和工作模式。器件无关的概念最早是为研究量子密钥分配过程的安全性提出的[1]。而后,这一概念被应用到了对信息资源的鉴定上,比如... 详细信息

器件无关的量子信息处理仅基于观测的数据。其中的器件被认为是黑盒子,不需要假设黑盒子内遵循的物理原理和工作模式。器件无关的概念最早是为研究量子密钥分配过程的安全性提出的[1]。而后,这一概念被应用到了对信息资源的鉴定上,比如对纠缠度的鉴定[2]和对系统维度[3]的鉴定。这种器件无关的资源鉴定是通过提出一个鉴定函数实现的。以鉴

关键词：维函数纠缠度

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低维量子结构中杂质态的理论计算

低维量子结构中杂质态的理论计算

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第十届全国青年计算物理学术会议

作者：王海龙胡敏龚谦王庶民曲阜师范大学物理工程学院中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

低维量子结构材料(量子阱、量子线、量子点和量子环等)在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景,近年来一直是半导体领域的研究热点。杂质在半导体光电子器件中起着非常重要的作用,它的存在可以极大的影响低维量子结构材料的电学和光... 详细信息

低维量子结构材料(量子阱、量子线、量子点和量子环等)在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景,近年来一直是半导体领域的研究热点。杂质在半导体光电子器件中起着非常重要的作用,它的存在可以极大的影响低维量子结构材料的电学和光学特性。从理论上研究低维量子结构中的杂质态,对新型半导体器件设计具有重要的理论价值和指导意义。外加电场可以改变电子的分布几率,影响电子波函数的分布,进而影响杂质结合能。通过调节外加磁场的强

关键词：杂质态低维量子结构电子波函数理论计算

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色散旋性材料及磁畴的能带结构与本征模式的厄米矩阵求法

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功能材料与器件学报 2013年第5期19卷 222-226页

作者：张小刚李伟蒋寻涯中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学复旦大学信息科学与技术院光源与照明工程系复旦大学教育部高级光源研究中心

我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表... 详细信息

我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表明该模式具有单向传输的特性。

关键词：本征模厄米矩阵旋磁材料能带结构单向传输本征值问题磁畴磁场方向本征方程微扰理论

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国内外光刻胶产业分析及发展建议

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功能材料与器件学报 2020年第6期26卷 382-386页

作者：朱宇波黄嘉晔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院有限公司上海200050

光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产能向中国大陆转移,我国对光刻胶的需求稳步增加,实现进口替代的需求迫切。本文针对光刻胶产业,从全球产业... 详细信息

光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产能向中国大陆转移,我国对光刻胶的需求稳步增加,实现进口替代的需求迫切。本文针对光刻胶产业,从全球产业情况、相关产业巨头、产业特点以及国内光刻胶产业面临的问题方面进行综合阐述,最后提供了国内光刻胶产业的发展建议。

关键词：光刻胶集成电路制造产业分析

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无屏蔽环境下基于SQUID的极低场NMR系统优化研究

无屏蔽环境下基于SQUID的极低场NMR系统优化研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：徐璐邱隆清董慧刘超张懿谢晓明中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity & Bioelectro 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 peter Grünberg Institute(PGI-8) Forschungszentrum Jülich(FZ peter Grünberg Institute(PGI-8) Forschungszentrum Jülich(FZJ)JülichGermany Joint Research Laborato

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管直流特性高速固态器件 Medici软件

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不同面积顶电极本征Josephson结的电流电压特性

不同面积顶电极本征Josephson结的电流电压特性

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第十届超导学术交流会

作者：王兴尤立星杨晓燕信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院研究生院北京 100190 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过... 详细信息

采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过准粒子电阻Rqp(T)与～V曲线得到了mesa的实际温度Tmesa,并由Tmesa与热功率耗散P的关系得到了mesa的热阻α。

关键词：本征Josephson结顶电极电流电压特性热效应热功率耗散

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