检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 426-429页

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性

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干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 467-470页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究

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功能材料与器件学报 2006年第4期12卷 264-268页

作者：门传玲林成鲁上海理工大学动力学院上海200093 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长... 详细信息

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的A lN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2。晶态A lN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的A lN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料。

关键词： AlN薄膜极化电学性能

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掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 309-313页

作者：刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(1... 详细信息

采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.

关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

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硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 400-402页

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了... 详细信息

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

关键词：化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

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ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤

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Journal of Semiconductors 2006年第1期27卷 178-182页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋黄占超刘成张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039 武汉邮电科学研究院

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深... 详细信息

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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室温低阈值分布反馈量子级联激光器

室温低阈值分布反馈量子级联激光器

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐刚毅李爱珍李耀耀魏林张永刚李华信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所上海市200050

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得... 详细信息

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155-320K)实现单模激射,边模抑制比～***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：分布反馈量子级联激光器三阱耦合垂直跃迁光发射结构单模激射波导

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

关键词：异质结双极晶体管直流特性高速固态器件 Medici软件

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Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘奇斌张楷亮王良咏封松林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI12... 详细信息

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI1287,主要测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位,动电位扫描.开路电位结果显示在PH值等于10时,出现钝化行为,当PH等于11时,钝化开始向活化转变,当PH为12时,薄膜一直处于活化状态.在动电位扫描过程中,在不同的PH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状是相似的,变化也不大,说明薄膜腐蚀的反应机理是相同的.利用电化学实验结果,配置出GST抛光液,用于相变存储器的结构制作过程中.

关键词： Ge2Sb2Te5 相变存储器化学机械抛光电化学抛光液

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基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器

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稀有金属 2004年第3期28卷 590-591页

作者：吕京涛曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ... 详细信息

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性。

关键词：太拉赫兹负微分电阻庚氏效应

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