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机构

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  • 2 篇 上海理工大学
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作者

  • 20 篇 龚谦
  • 18 篇 张永刚
  • 14 篇 谢晓明
  • 13 篇 王海龙
  • 11 篇 宋志棠
  • 11 篇 顾溢
  • 8 篇 王凯
  • 8 篇 李耀耀
  • 8 篇 严进一
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语言

  • 115 篇 中文
检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室"
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面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究
面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究
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第二十一届全国半导体物理学术会议
作者: 王浩敏 陈令修 贺立 王慧山 谢晓明 江绵恒 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
石墨烯纳米带是超窄的条带状石墨烯,其具有优异的电学性能,有可能成为未来高性能半导体器件的理想基础材料。理想的石墨烯纳米带根据其边界手性不同展现出金属性或者半导体性。因此,为了实现石墨烯的能带及电学性质调控,制备具有特定手...
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面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究
面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 王浩敏 陈令修 贺立 王慧山 谢晓明 江绵恒 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文作者采用化学气相沉积法在六角氮化硼表面成功制备边界平整且宽度可控的石墨烯纳米带。他们采用六角氮化硼表面沿着锯齿型方向的纳米沟槽为模板,实现单层石墨烯纳米带面内外延生长。该方法得到的石墨烯纳米带在温下也能展示出高... 详细信息
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晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究
晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 吴天如 张学富 袁清红 卢光远 谢晓明 江绵恒 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文作者对石墨烯单晶的快速可控制备提出了独创性的研究思路和制备方案。通过向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金表面局域提供碳源,产生局部碳浓度过饱和,成功解决了石墨烯单个核心控制形核这一技术难题。研究发现,Cu85Ni15衬底上石... 详细信息
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气态源分子束外延生长的InGaAsP中Be补偿掺杂机制
气态源分子束外延生长的InGaAsP中Be补偿掺杂机制
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第二十一届全国半导体物理学术会议
作者: 马英杰 张永刚 顾溢 奚苏萍 陈星佑 杜奔 李爱珍 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
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GaSbBi薄膜的分子束外延生长
GaSbBi薄膜的分子束外延生长
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 岳丽 张焱超 陈熙仁 张凡 朱忠赟珅 王利娟 邵军 王庶民 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海科技大学 中科院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 中科院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 瑞典查尔姆斯理工大学
将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为GaSb基激光器能带结构的设计提供了一种新的解决途径.由于Sb和Bi是Ⅴ族中紧相邻的两种元素,在GaSbBi薄膜的... 详细信息
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大范围连续调谐的InAs/InP(100)外腔量子点激光器
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光电子.激光 2016年 第9期27卷 903-907页
作者: 高金金 严进一 柳庆博 赵旺鹏 荣春朝 龚谦 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
实现了一种工作在连续波(CW)模式下InAs/InP(100)外腔量子点激光器(EC-QDL)。激光器采用小型化的Littrow外腔结构,中心波长为1.6μm且输出光方向固定。在温条件下,对InAs/InP(100)量子点外腔激光器进行了一系列性能测试。实验结果表明... 详细信息
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可调谐双波长半导体外腔激光器性能研究
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光电子.激光 2016年 第7期27卷 716-721页
作者: 赵旺鹏 王海龙 龚谦 严进一 高金金 荣春朝 曲阜师范大学物理系 山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
提出并实现了利用笼式共轴搭建的傅里叶变换外腔结构(FTECS)产生大范围电流下双模式强度保持相等的双波长激光器,通过改变电流实现输出功率连续可调的双模输出,可以作为混频太赫兹(THz)源的种子源,对多波长脉冲设备的研究有借鉴意义。... 详细信息
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基于QD-SOA光判决门的研究
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通信技术 2016年 第9期49卷 1122-1128页
作者: 杨文华 王海龙 王兆翔 韦志禄 龚谦 山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马赫-曾德尔干涉仪效应(MZI)的光判决门结构,仿真分析了注入电... 详细信息
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基于QD-SOA-MZI结构的全光逻辑门的性能优化
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通信技术 2016年 第6期49卷 782-787页
作者: 王兆翔 王海龙 杨文华 韦志禄 龚谦 曲阜师范大学物理工程学院 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
基于QD-SOA的XPM效应,用细化分段方法对QD-SOA静态和动态过程建模,采用四阶龙格库塔法格式和牛顿迭代法求解光场传输方程和速率方程,模拟全光逻辑与门的逻辑功能。采用"功率对比度积"这一新型特征参数作为系统优化指标,讨论MZ... 详细信息
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器件无关的经典/量子鉴熵实验
器件无关的经典/量子鉴熵实验
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第十七届全国量子光学学术会议
作者: 朱锋 张巍 陈思井 尤立星 黄翊东 王镇 清华信息科学与技术国家实验室清华大学电子工程系 信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所
器件无关的量子信息处理仅基于观测的数据。其中的器件被认为是黑盒子,不需要假设黑盒子内遵循的物理原理和工作模式。器件无关的概念最早是为研究量子密钥分配过程的安全性提出的[1]。而后,这一概念被应用到了对信息资源的鉴定上,比如... 详细信息
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