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    • 1 篇 生物工程
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主题

  • 5 篇 ingaas
  • 5 篇 总剂量效应
  • 4 篇 squid
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  • 3 篇 光致发光谱
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  • 3 篇 太拉赫兹
  • 3 篇 损伤
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  • 3 篇 浅沟槽隔离
  • 3 篇 氧化层陷阱正电荷
  • 3 篇 soi
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  • 2 篇 光栅制备
  • 2 篇 应变
  • 2 篇 应变量子阱

机构

  • 39 篇 中国科学院研究生...
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  • 23 篇 中国科学院上海微...
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  • 8 篇 信息功能材料国家...
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  • 4 篇 信息功能材料国家...
  • 3 篇 中国科学院上海高...
  • 3 篇 山东省激光偏光与...
  • 3 篇 中国科学院红外成...
  • 3 篇 中科院上海微系统...
  • 3 篇 山东省激光偏光与...
  • 2 篇 查尔姆斯理工大学
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  • 2 篇 上海理工大学
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作者

  • 20 篇 龚谦
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  • 14 篇 谢晓明
  • 13 篇 王海龙
  • 11 篇 宋志棠
  • 11 篇 顾溢
  • 8 篇 王凯
  • 8 篇 李耀耀
  • 8 篇 严进一
  • 8 篇 张正选
  • 7 篇 王庶民
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  • 6 篇 周立
  • 6 篇 陈明
  • 6 篇 荣亮亮
  • 5 篇 徐安怀

语言

  • 115 篇 中文
检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室"
115 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应
STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应
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2016年上海研究生学术论坛——电子科学与技术
作者: 张梦映 胡志远 宁冰旭 宋雷 戴丽华 刘小年 张正选 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在... 详细信息
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Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究
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量子电子学报 2015年 第5期32卷 635-640页
作者: 张金凤 王海龙 龚谦 曲阜师范大学物理工程学院 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减... 详细信息
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无人机平台航空超导磁测系统内测试
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低温物理学报 2015年 第4期37卷 267-270页
作者: 常凯 伍俊 蒋坤 侍文 王会武 荣亮亮 孔祥燕 谢晓明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中科院上海微系统所-吉林大学“地球物理探测技术”联合实验室 中国科学院大学
基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT... 详细信息
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InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器
InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器
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第二十届全国半导体物理学术会议
作者: 顾溢 张永刚 陈星佑 马英杰 周立 奚苏萍 杜奔 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
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N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程
N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程
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第二十届全国半导体物理学术会议
作者: 马英杰 顾溢 张永刚 陈星佑 奚苏萍 周立 中科院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
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不同初始应变的张应变锗量子点的应变分析
不同初始应变的张应变锗量子点的应变分析
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第十一届全国分子束外延学术会议
作者: 陈其苗 宋禹忻 张振普 岳丽 刘娟娟 芦鹏飞 李耀耀 龚谦 王庶民 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国上海 北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室 中国北京 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University
理论上证明1.4%的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,另外Ge与Si基CMOS工艺兼容. 张应变Ge优秀的电学性质与光学性质使之成为硅基光电集成绝佳的候选材料[2-4].量子点相对于薄膜...
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基于介质粒子亚波长共振的片上光操控研究进展
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功能材料与器件学报 2015年 第4期21卷 68-73页
作者: 李友 甘甫烷 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 中国科学院大学研究生院 北京100049
近年来,超构材料尤其是超构界面引起了物理学界的广泛关注,通过在界面处引入相位的不连续,从而实现对波前的任意操控并且实现各种特异的光学现象,这些超构界面采用金属纳米结构或者介质粒子,在界面处实现了高效的反常反射、折射和透射... 详细信息
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InGaAsBi薄膜材料的气态源分子束外延生长
InGaAsBi薄膜材料的气态源分子束外延生长
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第十一届全国分子束外延学术会议
作者: 周书星 艾立鹍 徐安怀 王庶民 齐鸣 中科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海市长宁路865号200050
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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器
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光电子.激光 2014年 第7期25卷 1279-1283页
作者: 康传振 王海龙 龚谦 严进一 成若海 汪洋 柳庆博 曹春芳 岳丽 曲阜师范大学物理系、山东省激光偏光与信息技术重点实验室 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室 上海200050
为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连... 详细信息
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新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点
新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点
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第十一届全国分子束外延学术会议
作者: 宋禹忻 王庶民 陈其苗 张振普 王朋 岳丽 刘娟娟 芦鹏飞 李耀耀 龚谦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国上海 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of TechnologyGothenburgSweden 北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室中国北京
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