检索结果-内蒙古大学图书馆

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

作者：张梦映胡志远宁冰旭宋雷戴丽华刘小年张正选信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在... 详细信息

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对器件特性产生影响.研究表明,沟道越短,泄漏电流越大,辐照会增强短沟道效应.

关键词： CMOS器件总剂量效应短沟道效应绝缘埋层浅沟槽隔离沟道长度

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Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究

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量子电子学报 2015年第5期32卷 635-640页

作者：张金凤王海龙龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应。计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。

关键词：光电子学结合能变分法激子 Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱

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无人机平台航空超导磁测系统与室内测试

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低温物理学报 2015年第4期37卷 267-270页

作者：常凯伍俊蒋坤侍文王会武荣亮亮孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统所-吉林大学“地球物理探测技术”联合实验室中国科学院大学

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT... 详细信息

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT,采样率为1024Hz,重15kg.基于该系统初步开展了室内运动测试,实验结果表明该系统可实现运动平台三轴磁测量,适用于无人机航磁平台.

关键词：低温SQUID 物探应用固定翼无人机动态范围

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InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器

InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器

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第二十届全国半导体物理学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰周立奚苏萍杜奔中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程

N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程

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第二十届全国半导体物理学术会议

作者：马英杰顾溢张永刚陈星佑奚苏萍周立中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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不同初始应变的张应变锗量子点的应变分析

不同初始应变的张应变锗量子点的应变分析

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：陈其苗宋禹忻张振普岳丽刘娟娟芦鹏飞李耀耀龚谦王庶民中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室中国北京中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University

理论上证明1.4％的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,另外Ge与Si基CMOS工艺兼容. 张应变Ge优秀的电学性质与光学性质使之成为硅基光电集成绝佳的候选材料[2-4].量子点相对于薄膜...

理论上证明1.4％的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,另外Ge与Si基CMOS工艺兼容. 张应变Ge优秀的电学性质与光学性质使之成为硅基光电集成绝佳的候选材料[2-4].量子点相对于薄膜来说可具有更大的应变量,从而更容易实现间接带隙到直接带隙的转变.

关键词：

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基于介质粒子亚波长共振的片上光操控研究进展

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功能材料与器件学报 2015年第4期21卷 68-73页

作者：李友甘甫烷信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学研究生院北京100049

近年来,超构材料尤其是超构界面引起了物理学界的广泛关注,通过在界面处引入相位的不连续,从而实现对波前的任意操控并且实现各种特异的光学现象,这些超构界面采用金属纳米结构或者介质粒子,在界面处实现了高效的反常反射、折射和透射... 详细信息

近年来,超构材料尤其是超构界面引起了物理学界的广泛关注,通过在界面处引入相位的不连续,从而实现对波前的任意操控并且实现各种特异的光学现象,这些超构界面采用金属纳米结构或者介质粒子,在界面处实现了高效的反常反射、折射和透射。然而到目前为止,这些对光束的操控都是基于对平面外传播光束的作用。光子学发展的核心方向之一是实现片上的大规模光子集成,片上光操控能够为光子回路、滤波以及复用等功能器件提供新的机理和方法,因此探索在片内实现可集成的光束操控机理至关重要。本文将介绍利用高折射率介质粒子的共振特性,通过巧妙的设计实现片内操控的各种光学奇异现象和波前调控功能的理论和实验进展,通过在构成垂直超构界面的粒子中激发特殊的共振态从而引起奇异的散射场,获得了结构简单、高效、宽频而且在面内传输的新机理片上光学元件,其CMOS兼容和可片上集成的特性增加了在片上光互连的实际应用价值。

关键词：亚波长粒子共振超构材料超构界面负折射

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InGaAsBi薄膜材料的气态源分子束外延生长

InGaAsBi薄膜材料的气态源分子束外延生长

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

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光电子．激光 2014年第7期25卷 1279-1283页

作者：康传振王海龙龚谦严进一成若海汪洋柳庆博曹春芳岳丽曲阜师范大学物理系、山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连... 详细信息

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续调谐测试和输出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长从999.2nm到1 023.8nm,并且实现了波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1 525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功率为15mW,单模边模抑制比(SMSR)高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。

关键词：量子点激光器(QDL) 外腔光栅边模抑制比(SMSR)

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新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：宋禹忻王庶民陈其苗张振普王朋岳丽刘娟娟芦鹏飞李耀耀龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of TechnologyGothenburgSweden 北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室中国北京

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