检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2010年第1期16卷 47-51页

作者：张帅张正选毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX... 详细信息

介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。

关键词： SOI SIMOX Pseudo—MOSFET 隐埋氧化层

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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

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半导体技术 2012年第4期37卷 254-257页

作者：王中健夏超徐大伟程新红宋朝瑞俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 详细信息

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。

关键词：绝缘体上硅横向扩散金属氧化物半导体击穿电压线性渐变掺杂注氧键合

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面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究

面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究

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第二十一届全国半导体物理学术会议

作者：王浩敏陈令修贺立王慧山谢晓明江绵恒中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

石墨烯纳米带是超窄的条带状石墨烯,其具有优异的电学性能,有可能成为未来高性能半导体器件的理想基础材料。理想的石墨烯纳米带根据其边界手性不同展现出金属性或者半导体性。因此,为了实现石墨烯的能带及电学性质调控,制备具有特定手...

石墨烯纳米带是超窄的条带状石墨烯,其具有优异的电学性能,有可能成为未来高性能半导体器件的理想基础材料。理想的石墨烯纳米带根据其边界手性不同展现出金属性或者半导体性。因此,为了实现石墨烯的能带及电学性质调控,制备具有特定手性的石墨烯纳米带成为关键。利用传统光刻方法得到的纳米带通常边界参差不齐。而其他制备方法也很难获得具有确定手性且宽度小于10 纳米的石墨烯纳米带。近期有报道利用衬底催化设计出分子交联的方法成功制备出具有确定手性的石墨烯纳米带,但是如何将纳米带无损地转移至指定衬底并进行排布仍然是巨大的挑战。显然以上方法对于石墨烯在未来电子器件的应用上仍有存在较大局限。如何在绝缘衬底表面直接制备性能优良的石墨烯纳米带仍然是科学界亟待攻克的难题。本文作者采用化学气相沉积法在六角氮化硼表面成功制备边界平整且宽度可控的石墨烯纳米带。他们采用六角氮化硼表面沿着锯齿型方向的纳米沟槽为模板,实现单层石墨烯纳米带面内外延生长。该方法得到的石墨烯纳米带在室温下也能展示出高达104 的开关比,700 cm2/Vs 的载流子迁移率和近50 纳米的载流子平均自由程。该多维度异质结纳米带仅具有几个苯环宽度,可以打开带隙。其器件制备工艺与目前的大规模集成电路制造工艺相兼容,该制备方法的突破有可能为石墨烯纳米带在数字集成电路应用开辟新的道路。

关键词：

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面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究

面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：王浩敏陈令修贺立王慧山谢晓明江绵恒中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文作者采用化学气相沉积法在六角氮化硼表面成功制备边界平整且宽度可控的石墨烯纳米带。他们采用六角氮化硼表面沿着锯齿型方向的纳米沟槽为模板，实现单层石墨烯纳米带面内外延生长。该方法得到的石墨烯纳米带在室温下也能展示出高... 详细信息

本文作者采用化学气相沉积法在六角氮化硼表面成功制备边界平整且宽度可控的石墨烯纳米带。他们采用六角氮化硼表面沿着锯齿型方向的纳米沟槽为模板，实现单层石墨烯纳米带面内外延生长。该方法得到的石墨烯纳米带在室温下也能展示出高达104的开关比，700cm2/Vs的载流子迁移率和近50纳米的载流子平均自由程。该多维度异质结纳米带仅具有几个苯环宽度，可以打开带隙。其器件制备工艺与目前的大规模集成电路制造工艺相兼容，该制备方法的突破有可能为石墨烯纳米带在数字集成电路应用开辟新的道路。

关键词：石墨烯纳米带制备工艺异质结构物理性能

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InP基扩展波长InGaAs探测器的温度特性分析

InP基扩展波长InGaAs探测器的温度特性分析

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：周立张永刚顾溢陈星佑曹远迎李好斯白音中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

1～3μm的短波红外波段覆盖了很多物质的特征吸收谱线,同时也是重要的大气窗口,在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InP基In0.53Ga0.47As探测器(截止波长1.7μm)已经广泛应用与光纤通讯等商业领域,其器件性能也有了详细的研... 详细信息

1～3μm的短波红外波段覆盖了很多物质的特征吸收谱线,同时也是重要的大气窗口,在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InP基In0.53Ga0.47As探测器(截止波长1.7μm)已经广泛应用与光纤通讯等商业领域,其器件性能也有了详细的研究分析.对于In组分大于0.53的InxGa1-xAs探测器,InxGa1-xAs材料和InP衬底的失配会引入大量的位错,降低器件的性能.本文中,制备了In组分为0.83(截止波长2.6μm)InP基扩展波长InGaAs探测器,并分别对其电学和光学温度特性进行了分析.本文使用了VG Semicon V80H GSMBE系统生长了InGaAs PIN探测器，探测器台面直径为300μm。77K到300K温度范围的I-V特性曲线温度间隔为25K。

关键词：光纤通信铟砷化镓探测器电学性能温度特性

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晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究

晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：吴天如张学富袁清红卢光远谢晓明江绵恒中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文作者对石墨烯单晶的快速可控制备提出了独创性的研究思路和制备方案。通过向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金表面局域提供碳源，产生局部碳浓度过饱和，成功解决了石墨烯单个核心控制形核这一技术难题。研究发现，Cu85Ni15衬底上石... 详细信息

本文作者对石墨烯单晶的快速可控制备提出了独创性的研究思路和制备方案。通过向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金表面局域提供碳源，产生局部碳浓度过饱和，成功解决了石墨烯单个核心控制形核这一技术难题。研究发现，Cu85Ni15衬底上石墨烯的生长遵循一种全新的等温析出机制。由于溶解在合金衬底内的碳原子参与了表面的石墨烯反应，导致石墨烯单晶的快速生长，速度高达180μm/min。基于全新的机理和参数优化，经过-2.5小时的生长成功制备了-1.5英寸的石墨烯单晶，生长速度和单晶大小都创造了新的世界纪录。单晶石墨烯室温下的载流子迁移率为10,000-20,000cm2V-1s-1。通过单核控制制备晶圆级石墨烯可以视为是三维硅单晶技术在二维材料中的再现，对于推动石墨烯在电子学领域的应用具有重要意义。

关键词：石墨烯单晶生长形核控制性能表征

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无屏蔽环境下基于SQUID的极低场磁共振研究

无屏蔽环境下基于SQUID的极低场磁共振研究

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第十一届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：邱隆清刘超谢晓明中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器

InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器

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第二十届全国半导体物理学术会议

作者：顾溢张永刚陈星佑马英杰周立奚苏萍杜奔中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程

N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程

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第二十届全国半导体物理学术会议

作者：马英杰顾溢张永刚陈星佑奚苏萍周立中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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氧化物LaNiO3薄膜的分子束外延生长和电子结构表征

氧化物LaNiO3薄膜的分子束外延生长和电子结构表征

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：杨海峰刘正太樊聪沈大伟中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

近年来随着分子束外延技术的迅猛发展,人们开始尝试在单原子层的尺度上设计和生长超晶格材料,以求得到具有更高Tc的新型超导材料,揭示超导的物理本质.经理论计算,LaNiO3 /LaA1O3超晶格薄膜材料,通过引入绝缘层LaA1O3将导电的金属层LaNiO...

近年来随着分子束外延技术的迅猛发展,人们开始尝试在单原子层的尺度上设计和生长超晶格材料,以求得到具有更高Tc的新型超导材料,揭示超导的物理本质.经理论计算,LaNiO3 /LaA1O3超晶格薄膜材料,通过引入绝缘层LaA1O3将导电的金属层LaNiO3隔开,从而具有与铜氧化合物类似的由dx2-y2轨道形成的费米面和反铁磁有序态,可能存在高温超导.本报告主要介绍利用氧化物分子束外延技术在不同衬底上进行高质量LaNiO3(100)薄膜生长和表面、结构的表征.同时利用我们独特的高分辨的原位角分辨光电子能谱仪,对LaNiO3薄膜的低能电子结构进行观测,从而直接为上述理论计算提供了依据.

关键词：

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