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  • 115 篇 中文
检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室"
115 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
基于低温超导量子干涉器件的脑听觉激励磁场探测
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物理学报 2012年 第2期61卷 158-162页
作者: 张树林 刘扬波 曾佳 王永良 孔祥燕 谢晓明 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
本文利用磁屏蔽和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息
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InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)
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红外与毫米波学报 2012年 第5期31卷 385-388,398页
作者: 王凯 顾溢 方祥 周立 李成 李好斯白音 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海200083
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A... 详细信息
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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用
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红外与激光工程 2012年 第2期41卷 279-283页
作者: 邓洪海 魏鹏 朱耀明 李淘 夏辉 邵秀梅 李雪 缪国庆 张永刚 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火... 详细信息
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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
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半导体技术 2012年 第4期37卷 254-257页
作者: 王中健 夏超 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 详细信息
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一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法
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功能材料与器件学报 2012年 第1期18卷 30-34页
作者: 张磊 刘卫丽 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室 上海200050 上海新安纳电子科技有限公司 上海201506 中国科学院研究生院 北京100049
在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有1... 详细信息
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Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)
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稀有金属材料与工程 2011年 第8期40卷 1344-1347页
作者: 徐大朋 万里 程新红 何大伟 宋朝瑞 俞跃辉 沈达身 温州大学 浙江温州325027 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 美国UAH大学 Alabama 35899
研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X ... 详细信息
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采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)
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红外与毫米波学报 2011年 第6期30卷 481-485页
作者: 顾溢 王凯 李成 方祥 曹远迎 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 上海200083 中国科学院研究生院 北京100039
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 详细信息
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一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究
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功能材料与器件学报 2011年 第5期17卷 526-532页
作者: 王鹏 刘勤 蒋寻涯 中科院上海微系统与信息技术研究所信息材料国家重点实验室 上海市200050
拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应。我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱... 详细信息
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单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)
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无机化学学报 2011年 第4期27卷 759-763页
作者: 张泽芳 俞磊 刘卫丽 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂得的产物进行了分析,结果... 详细信息
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体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料
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功能材料与器件学报 2011年 第2期17卷 147-150页
作者: 薛忠营 张波 魏星 张苗 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲... 详细信息
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