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第十届全国分子束外延学术会议

作者：李好斯白音张永刚顾溢陈星佑周立中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

短波红外波段探测器在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InGaAs是制备该波段探测器的优良材料,InGaAs探测器具有可以室温工作,探测率高等特点,特别适用于空间遥感应用.对于遥感和成像用InGaAs探测器,要求器件具有低噪声和高... 详细信息

短波红外波段探测器在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InGaAs是制备该波段探测器的优良材料,InGaAs探测器具有可以室温工作,探测率高等特点,特别适用于空间遥感应用.对于遥感和成像用InGaAs探测器,要求器件具有低噪声和高响应度,也就是说具有较小的暗电流的同时能够具备较高的量子效率,从而增强对微弱信号的探测能力.InP基波长扩展InGaAs探测器通过增加InGaAs吸收层中In的组分使探测器的截止波长向长波扩展,由于吸收层与衬底之间存在较大的晶格失配,会在材料中引入位错,在有源区中形成复合中心,降低器件性能.空间遥感应用要求探测器具有极低的暗电流,钝化等器件制备工艺对于器件性能也具有举足轻重的影响,不理想的器件制备工艺会增大器件的暗电流,同时也会降低器件的光响应.本文中,对InP基扩展波长InGaAs探测器器件制备工艺进行总结研究,并对其器件光电性能进行了分析.本文使用了VG Semicon V80H GSMBE系统生长了InGaAs探测器材料，器件工艺流程中关键工艺为表面清洗，光刻腐蚀台面，钝化保护，电极制作，合金化等。

关键词：红外探测器砷镓铟材料制造工艺光电性能

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气态源分子束外延生长的InGaAsP中Be补偿掺杂机制

气态源分子束外延生长的InGaAsP中Be补偿掺杂机制

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第二十一届全国半导体物理学术会议

作者：马英杰张永刚顾溢奚苏萍陈星佑杜奔李爱珍中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

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GaSbBi薄膜的分子束外延生长

GaSbBi薄膜的分子束外延生长

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：岳丽张焱超陈熙仁张凡朱忠赟珅王利娟邵军王庶民中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海科技大学中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室瑞典查尔姆斯理工大学

将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为GaSb基激光器能带结构的设计提供了一种新的解决途径.由于Sb和Bi是Ⅴ族中紧相邻的两种元素,在GaSbBi薄膜的... 详细信息

将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为GaSb基激光器能带结构的设计提供了一种新的解决途径.由于Sb和Bi是Ⅴ族中紧相邻的两种元素,在GaSbBi薄膜的合成过程中,Sb与Bi竞争十分激烈,生长高Bi组分的GaSbBi薄膜一直是一项世界难题.现在对于GaSbBi的生长研究还没有像GaAsBi的那样多.目前,已经报道的提高Bi组分的方法有降低生长温度、降低生长速率和增加Bi的束流,但对Sb压对Bi组分的影响还没有人研究过.我们采用DCA P600固态分子束外延设备生长了GaSbBi材料。首先将n型GaSb衬底在660 oC 脱氧，然后生长200nm 的GaSb 缓冲层，然后降低衬底温度，再生长280nm厚的GaSbBi外延层。我们研究了降低生长温度、增加Bi的束流，以及降低 Sb 压来提高Bi组分，成功获得最大Bi组分达 13 ％的GaSbBi，室温发光波长达到3.0μm，对GaSbBi的生长规律、晶体结构、表面形貌和发光特性进行系统研究了。

关键词：锑化镓薄膜分子束外延生长晶体结构表面形貌发光特性

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低密度InAs/GaAs量子点的GSMBE生长

低密度InAs/GaAs量子点的GSMBE生长

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：岳丽龚谦严进一汪洋柳庆博成若海中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海2000

单个量子点的发光具有反聚束特征,可以为量子信息处理、量子保密通信提供可靠的单光子源.化合物半导体外延生长的量子点具有很多优点:如量子点单光子源具有高的振子强度、窄的谱线宽度、不会发生光褪色,并且易于集成等,量子点单光子源... 详细信息

单个量子点的发光具有反聚束特征,可以为量子信息处理、量子保密通信提供可靠的单光子源.化合物半导体外延生长的量子点具有很多优点:如量子点单光子源具有高的振子强度、窄的谱线宽度、不会发生光褪色,并且易于集成等,量子点单光子源被认为是最有潜力的单光子源.要孤立出单个量子点,关键是生长出低密度的量子点.本文利用气源分子束外延(GSMBE)技术,以Stranski-Kranstanow(S-K)应变自组织模式在GaAs衬底上低密度InAs量子点.采用低生长速率的方法,优化了量子点的生长速率,将量子点的密度控制在1×108cm-2,量子点常温发光波长在1218nm,可以用于制作单光子源.

关键词：化合物半导体砷化铟量子点砷化镓量子点外延生长单光子源

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含亚氨基抑制剂分子对钴电沉积的影响

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半导体技术 2023年第10期48卷 911-918页

作者：贺宇吴挺俊朱雷李鑫李卫民俞文杰上海理工大学材料与化学学院上海200093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院有限公司上海201899

金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸... 详细信息

金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸钴-硼酸体系中,研究了不同电流密度对电沉积得到的钴薄膜形貌、晶体结构、电阻率等的影响。并且分析了含亚氨基抑制剂分子苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并咪唑(MBI)对钴电化学反应的抑制作用,探究其对钴薄膜形貌、晶粒尺寸和电阻率的影响。结果表明,无抑制剂时,钴晶粒以Co(002)为主;BZI的抑制能力强于MBI;由于BZI的抑制能力过强,无法沉积完整的钴薄膜;抑制剂MBI的加入会增强钴薄膜晶体的(101)晶面的取向。

关键词：钴电沉积晶体结构电阻率抑制剂苯并咪唑(BZI) 2-巯基苯并咪唑(MBI)

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中国超导电子学研究及应用进展

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物理学报 2021年第1期70卷 178-203页

作者：李春光王佳吴云王旭孙亮董慧高波李浩尤立星林志荣任洁李婧张文贺青王轶文韦联福孙汉聪王华兵李劲劲屈继峰中国科学院物理研究所超导国家重点实验室北京100190 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 松山湖材料实验室东莞523808 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院紫金山天文台南京210023 西南交通大学信息科学与技术学院信息量子技术实验室成都610031 西南交通大学物理科学与技术学院量子光电实验室成都610031 东华大学理学院光子学实验室上海210031 南京大学超导电子学研究所南京210093 紫金山实验室南京211111 中国计量科学研究院北京100029

超导体的发现距今已有近110年了,高温超导体的发现也已经有30多年了.超导材料的电子学应用在最近一二十年取得了突破性进展.高温超导微波器件显示了比传统微波器件更优越的性能,已经在移动通信、雷达和一些特殊通信系统中取得了规模化应... 详细信息

超导体的发现距今已有近110年了,高温超导体的发现也已经有30多年了.超导材料的电子学应用在最近一二十年取得了突破性进展.高温超导微波器件显示了比传统微波器件更优越的性能,已经在移动通信、雷达和一些特殊通信系统中取得了规模化应用.超导量子干涉器件以其磁场和电流测量的超高灵敏度,成为地质勘探、磁共振成像和生物磁成像等领域不可替代的手段.包括超导隧道结混频器、超导热电子混频器、超导转变沿探测器及超导单光子探测器等在内的超导传感器/探测器可以探测全波段的电磁波及各种宇宙辐射,具有接近量子极限的超高灵敏度,在地球物理、天体物理、量子信息技术、材料科学及生物医学等众多前沿领域发挥越来越重要的作用.超导参量放大器已经成为实现超导量子计算的关键器件.超导集成电路技术已被列入国际器件与系统技术路线图,成为后摩尔时代微电子领域的前沿阵地之一.在计量科学中,超导约瑟夫森效应及约瑟夫森结阵器件被广泛应用于量子电压基准和国际单位制基本单位的重新定义中.在当前的量子信息技术热潮中,超导电子学扮演重要角色,同时量子热潮也大力推动了超导电子学的发展.本文主要对近几年我国超导电子学研究和应用的现状与进展进行概括总结.

关键词：超导电子学高温超导微波器件超导传感器/探测器超导数字电路

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EMD算法在超导瞬变电磁(TEM)中的应用

EMD算法在超导瞬变电磁(TEM)中的应用

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：徐婷谢晓明王会武常凯蒋坤侍文伍俊邱隆清荣亮亮孔祥燕上海超导中心中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

超导瞬变电磁应用的超导磁传感器的带宽需足够高(100 kHz以上),但同时大带宽磁场接收使数据极易受环境电磁干扰影响(尤其是晚期衰减信号).应用常规滤波方法对时非线性非平稳的超导TEM信号处理,易造成波形畸变,影响反演解释.经验模态分解...

超导瞬变电磁应用的超导磁传感器的带宽需足够高(100 kHz以上),但同时大带宽磁场接收使数据极易受环境电磁干扰影响(尤其是晚期衰减信号).应用常规滤波方法对时非线性非平稳的超导TEM信号处理,易造成波形畸变,影响反演解释.经验模态分解(EMD)方法完全基于数据驱动,自适应将信号从高频到低频分解成一系列模态函数分量,根据信号自身特性进行分量选择,不会造成波形畸变.

关键词：

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室温低阈值分布反馈量子级联激光器

室温低阈值分布反馈量子级联激光器

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐刚毅李爱珍李耀耀魏林张永刚李华信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所上海市200050

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得... 详细信息

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155-320K)实现单模激射,边模抑制比～***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：分布反馈量子级联激光器三阱耦合垂直跃迁光发射结构单模激射波导

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一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 520-525页

作者：张磊汪海波张泽芳王良咏刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 详细信息

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

关键词： PS/SiO2 复合磨料铜化学机械抛光

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LED用蓝宝石单晶衬底抛光工艺的研究

LED用蓝宝石单晶衬底抛光工艺的研究

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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：胡晓凯宋志棠刘卫丽汪海波张泽芳王良泳中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

本论文研究了蓝宝石抛光初始阶段抛光速率与下压力、抛光转速两项工艺参数的关系;分析了抛光过程中摩擦系数的动态变化规律.结果表明,抛光速率大致正比于下压力,即随压力增大抛光速率线性加快;而抛光转速对抛光速率则影响不大.摩擦系数... 详细信息

本论文研究了蓝宝石抛光初始阶段抛光速率与下压力、抛光转速两项工艺参数的关系;分析了抛光过程中摩擦系数的动态变化规律.结果表明,抛光速率大致正比于下压力,即随压力增大抛光速率线性加快;而抛光转速对抛光速率则影响不大.摩擦系数动态监测表明,随着抛光的进行,动摩擦系数缓慢增加.

关键词： sapphire CMP friction coefficient nano-silica slurry

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