检索结果-内蒙古大学图书馆

2019年全国天线年会

作者：戴黎辉周永金特种光纤与光接入网重点实验室特种光纤与先进通信国际合作联合实验室上海先进通信与数据科学研究院上海大学传感技术联合国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

本文提出了一种高增益、小型化的宽带对拓Vivaldi天线,天线尺寸仅为94 mm×70 mm×1.6 mm。通过在天线的边缘加载表面等离激元超构材料,展宽了天线工作带宽,并提高了其增益。仿真结果表明,该天线阻抗带宽为1.8～10 GHz(S<-10... 详细信息

本文提出了一种高增益、小型化的宽带对拓Vivaldi天线,天线尺寸仅为94 mm×70 mm×1.6 mm。通过在天线的边缘加载表面等离激元超构材料,展宽了天线工作带宽,并提高了其增益。仿真结果表明,该天线阻抗带宽为1.8～10 GHz(S<-10 dB),在2～6 GHz范围内增益提高了2 dB。

关键词：对拓Vivaldi天线等离激元超构材料小型化高增益

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利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管

利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：梁晨周玉修王文荣王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件... 详细信息

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件中石墨烯呈现p型掺杂,迁移率为261 cm2/V*s.此器件制备方法工艺简单,成本低廉,有利于将来石墨烯电子器件的大规模应用.

关键词：场效应管石墨烯金属沉积工艺自对准硬掩膜版

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CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：高安然戴鹏飞鲁娜王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结... 详细信息

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结构尺度均一,工艺重复性好,具有优异的调制特性,易于集成和制作硅纳米器件.在此基础上,研究了硅纳米线的光电响应特性,响应度与加载电压的关系表明,随源漏电压的增大,器件的响应度逐渐减小,当栅极偏压小于10V时,电流响应度近似于线性增长,而偏压高于10V时,响应度趋于饱和.

关键词：半导体材料硅纳米线制备工艺光电响应特性

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一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管

一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：戴鹏飞高安然王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术国家重点实验室上海200050

本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究了场效应管的电学性能,结果表明,该器件的沟道电流变化率与其... 详细信息

本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究了场效应管的电学性能,结果表明,该器件的沟道电流变化率与其工作电压密切相关,可通过控制栅压增加此类器件传感器的灵敏度.

关键词：双栅场效应管硅纳米线互补金属氧化物半导体工艺电学性能

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基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器设计制造

基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器设计制造

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：郭联峰王翊戴正飞段国韬蔡伟平王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院固体物理研究所安徽合肥 230031

文中设计制造了基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度的二悬梁微加热器平台(MHP).利用模板法在MHP上原位制备二氧化锡(SnO2)有序多孔薄膜得到微纳融合气体传感器.在最... 详细信息

文中设计制造了基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度的二悬梁微加热器平台(MHP).利用模板法在MHP上原位制备二氧化锡(SnO2)有序多孔薄膜得到微纳融合气体传感器.在最佳工作温度下(250℃),此微纳融合气体传感器的功耗仅为24mW,响应时间约为2s,对1ppm的乙醇的灵敏度(Rair/Rgas)可达到3.47,有望在安全监控、环境保护等方面得到广泛应用.

关键词：气体传感器制造工艺微型加热器平台二氧化锡薄膜

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循环肿瘤细胞预测直肠癌新辅助放化疗疗效的临床研究

循环肿瘤细胞预测直肠癌新辅助放化疗疗效的临床研究

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中华医学会第十一次全国放射肿瘤治疗学学术会议

作者：孙文洁贾春平盛伟琪李刚章真复旦大学附属肿瘤医院中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

目的新辅助放化疗后进行根治性手术已经成为局部晚期直肠癌的标准治疗模式,准确预测新辅助放化疗的疗效有助于直肠癌患者个体化治疗的实施.本研究旨在探究循环肿瘤细胞(circulating tumor cells,CTCs)在评估和预测局部晚期直肠癌新辅...

目的新辅助放化疗后进行根治性手术已经成为局部晚期直肠癌的标准治疗模式,准确预测新辅助放化疗的疗效有助于直肠癌患者个体化治疗的实施.本研究旨在探究循环肿瘤细胞(circulating tumor cells,CTCs)在评估和预测局部晚期直肠癌新辅助放化疗疗效方面的价值.

关键词：

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高灵敏纳米金比色芯片检测乙型肝炎病毒DNA及其变异

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分析化学 2012年第4期40卷 569-573页

作者：邹能利臧玉翠毛红菊赵国强金庆辉赵建龙徐元森中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室郑州大学基础医学院微生物与免疫教研室

构建了新型纳米金比色芯片,利用Taq DNA连接酶的连接特异性,将其与乙型肝炎病毒DNA(HBV-DNA)靶序列完全互补杂交的捕获探针(固定在芯片上)和纳米金修饰的探针连接成一条链,从而将纳米金颗粒固定到芯片点阵上,再通过银染反应放大,形成裸... 详细信息

构建了新型纳米金比色芯片,利用Taq DNA连接酶的连接特异性,将其与乙型肝炎病毒DNA(HBV-DNA)靶序列完全互补杂交的捕获探针(固定在芯片上)和纳米金修饰的探针连接成一条链,从而将纳米金颗粒固定到芯片点阵上,再通过银染反应放大,形成裸眼可见的显色信息。通过点阵的位置及灰度,即可判断HBV-DNA靶序列的单碱基突变,并得出相对定量信息。本实验对不同浓度的HBV-DNA靶序列进行了检测。结果显示:此技术对单碱基突变有很强的特异性识别能力,并且具有较高的灵敏度(约10pmol/L),在10～100pmol/L浓度范围内表现出较好的线性关系。该技术检测时间短(<1h)、操作简单、不需要特殊的检测设备,具有很好的临床应用前景。

关键词：乙型肝炎病毒纳米金基因芯片 TaqDNA连接酶

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芯片级原子钟的气密性能分析

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真空科学与技术学报 2012年第2期32卷 132-139页

作者：张志强徐静李绍良吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室、微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

基于相干布居囚禁(CPT)原理芯片级原子钟(CSAC)原子腔体积小、采用微电子机械系统硅-玻璃键合工艺制造,其气密性是决定CSAC寿命的关键因素。本文提出了"多层缓冲原子腔"方案大幅度提高原子腔的气密性能,从而提高CPT CSAC的稳... 详细信息

基于相干布居囚禁(CPT)原理芯片级原子钟(CSAC)原子腔体积小、采用微电子机械系统硅-玻璃键合工艺制造,其气密性是决定CSAC寿命的关键因素。本文提出了"多层缓冲原子腔"方案大幅度提高原子腔的气密性能,从而提高CPT CSAC的稳定性和寿命。建立了一个"毛细管等效气流模型"模拟多层缓冲原子腔的泄漏以分析原子腔的气密性能,应用Matlab仿真对比了单层密封、多层密封、添加保护腔等不同方式下气密性能的改善幅度。仿真结果验证了"多层缓冲原子腔"在提高CPT CSAC物理系统气密性能方面的可行性和有效性,为原子腔的设计提供指导。

关键词：芯片级原子钟多层缓冲原子腔气密性毛细管等效气流模型 Matlab仿真

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基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

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功能材料与器件学报 2011年第3期17卷 313-318页

作者：黄占喜吴亚明李四华中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中科院研究生院北京10003

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底... 详细信息

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Re-active Ion Etching,DR IE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。

关键词： MEMS 光刻多掩膜体硅工艺

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低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：刘翔皋华敏李铁周萍王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院，北京，100039 传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

微全分析系统(μTAS)或芯片实验室(LOC)具有微型化、自动化、集成化与便携化的特点，近年来发展迅速，在生物检测、医疗诊断等方面显现出良好的应用前景。在这些系统中，精确操控微液体是最关键的部分。数字微流控芯片相对连续微流控芯... 详细信息

微全分析系统(μTAS)或芯片实验室(LOC)具有微型化、自动化、集成化与便携化的特点，近年来发展迅速，在生物检测、医疗诊断等方面显现出良好的应用前景。在这些系统中，精确操控微液体是最关键的部分。数字微流控芯片相对连续微流控芯片而言，没有可动部件，不需要复杂的微泵微阀结构和控制，成为当前研究的热点。本文基于静电力的驱动原理，只需单层控制电极，工艺简单，通过优化结构，采用高介电常数介质层和减少介质层厚度，大大降低了液滴驱动电压。

关键词：微全分析系统数字微流控芯片静电力驱动

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