检索结果-内蒙古大学图书馆

电视技术 2015年第17期39卷 74-78页

作者：陈超邓斌吴伊蒙贾国庆房卫东青海民族大学物理与电子信息工程学院青海西宁810006 上海大学特种光纤与光接入网省部共建重点实验室上海201899 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200051 上海物联网有限公司上海201800

由于WSN本身资源方面存在的局限性和脆弱性,使其安全问题成为一大挑战。随着WSN向大范围配置的方向发展,其安全问题越来越重要。围绕WSN的安全需求,结合WSN的分层网络结构,研究了其各层易遭受的攻击及防御对策。分析了基于明文的数据融... 详细信息

由于WSN本身资源方面存在的局限性和脆弱性,使其安全问题成为一大挑战。随着WSN向大范围配置的方向发展,其安全问题越来越重要。围绕WSN的安全需求,结合WSN的分层网络结构,研究了其各层易遭受的攻击及防御对策。分析了基于明文的数据融合安全机制和基于密文的数据融合安全机制,并在此基础上提出了相应的解决思路。

关键词：无线传感器网络安全机制数据融合

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基于QD-SOA光判决门的研究

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通信技术 2016年第9期49卷 1122-1128页

作者：杨文华王海龙王兆翔韦志禄龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马赫-曾德尔干涉仪效应(MZI)的光判决门结构,仿真分析了注入电... 详细信息

为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马赫-曾德尔干涉仪效应(MZI)的光判决门结构,仿真分析了注入电流、泵浦光功率和光场限制因子等对开关对比度的影响。结合QD-SOA的载流子恢复特性,在有源区注入补充电流,提高电子占有率,补充载流子消耗,为提高光判决门开关工作速度提供了有利条件。基于MZI效应光判决门分析了对比度(CR)对开关性能的影响,模拟仿真结果显示:在特定光场限制因子范围内,适当增加注入电流,可以提高开关对比度,优化光判决门开关窗口特性,从而得到更加理想的全光开关设计参数,对超高速信息处理、全光网络光判决技术等未来光网络发展具有重要的指导意义。

关键词：量子点半导体光放大器(QD-SOA) 光开关光判决门马赫-曾德尔干涉仪对比度(CR)

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背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响

背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：罗杰馨陈静伍青青柴展余涛王曦中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中科院北京研究生院北京 100049 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 2150006

由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影... 详细信息

由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影响.研究结果显示，对于0.13μm的PD SOI MOSFET，器件的记忆效应对背栅偏置敏感，但是ID-hygteresis随背栅偏置并不单调变化。基于背界面与Shockley-Reed-Hall(SRH)复合理论，揭示了PDSOI MOSFET记忆效应受背栅偏置影响的规律。

关键词：金属-氧化物-半导体场效应管记忆效应绝缘层上硅背栅偏置

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熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热

熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热

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第八届全国超导学术研讨会

作者：白忠王智河李配军聂阳邱里丁世英张宏南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2～180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁... 详细信息

本文采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2～180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热,并将实验结果与London模型的计算结果进行对比,发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果.

关键词：高温超导体熔融织构电子比热

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基于QD-SOA-MZI结构的全光逻辑门的性能优化

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通信技术 2016年第6期49卷 782-787页

作者：王兆翔王海龙杨文华韦志禄龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于QD-SOA的XPM效应,用细化分段方法对QD-SOA静态和动态过程建模,采用四阶龙格库塔法格式和牛顿迭代法求解光场传输方程和速率方程,模拟全光逻辑与门的逻辑功能。采用"功率对比度积"这一新型特征参数作为系统优化指标,讨论MZ... 详细信息

基于QD-SOA的XPM效应,用细化分段方法对QD-SOA静态和动态过程建模,采用四阶龙格库塔法格式和牛顿迭代法求解光场传输方程和速率方程,模拟全光逻辑与门的逻辑功能。采用"功率对比度积"这一新型特征参数作为系统优化指标,讨论MZI结构的时延时间、输入光功率等关键参数对此特征参数的影响,快速找到了时延、输入光功率的最优工作点,即当时延为15 ps、输入功率为15 dBm时,全光逻辑与门的性能最优。

关键词：量子点光放大器交叉相位调制全光逻辑门 QD-SOA-MZI结构

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微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术

微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术

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第十二届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：王家畴刘洁丹李昕欣中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 上海交通大学微纳科技研究院上海200240 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 上海交通大学微纳科技研究院上海200240

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工-(MISSM)技术.该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性,通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构尺寸的轮廓,进而实现在单晶硅片内部选择性腐蚀出不同结构尺寸... 详细信息

介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工-(MISSM)技术.该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性,通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构尺寸的轮廓,进而实现在单晶硅片内部选择性腐蚀出不同结构尺寸的腔体.同时,结合不同器件结构设计的需求,缝合微型释放窗口并进行后续工艺制作及最终可动结构释放.该技术采用微创手术式体硅工艺替代传统的表面微机械工艺,制作简单,既具有单硅片单面加工的优势又便于与IC工艺兼容.详细讲述了该工艺的成型机理和工艺流程,并针对其关键技术进行了系统的分析,取得了令人满意的结果.

关键词：传感器硅微机械加工微创手术式工艺流程释放窗口腔体结构

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SOI器件X射线与^(60)Co γ射线总剂量效应比较

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电子器件 2010年第4期33卷 416-419页

作者：何玉娟罗宏伟恩云飞张正选电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

为进行10keVX射线和60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI(Silicon-on-Insulator)n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,... 详细信息

为进行10keVX射线和60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI(Silicon-on-Insulator)n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,SOINMOS器件的前栅特性中X射线与60Coγ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×106rad(Si)时,前栅器件α值为0.6～0.75,背栅器件α值为0.76～1.0。

关键词：可靠性辐射总剂量效应 X射线 γ射线

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无线局域网定位技术研究

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无线通信技术 2004年第3期13卷 33-37页

作者：贾青刘乃安朱明华西安电子科技大学ISN国家重点实验室陕西西安710071 中科院微系统与信息技术研究所上海200050

本文首先介绍了无线局域网定位的几种可行性方法 ,从原理上加以分析说明 ,阐明其优缺点 ,其次讨论了无线局域网定位在商业中应用 ,以及业界发展态势。

关键词：无线局域网定位技术原理

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基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：荣亮亮常凯王远蒋坤王永良嵇艳鞠谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100039 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室吉林大学长春130000 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁...

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁场等特点和优势,适合瞬变电磁(TEM)应用.与传统的空心线圈接收相比,超导接收的晚期信号信噪比高,探测深度显著增大.本文基于欠阻尼低温SQUID和单片低噪声直读电路构建了高摆率、大带宽的超导瞬变电磁接收传感器,磁传感器本底噪声水平7fT/√Hz@1kHz,噪声转折频率20Hz,带宽4MHz,摆率3 nT·μs-1.我们在上海市横沙岛开展了验证实验,上海横沙岛地表电阻率为10欧姆米左右,为典型的低阻覆盖区,我们基于超导接收实现了1400米的有效探测深度,对比线圈700米探测深度,应用优势明显.

关键词：

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高K栅介质材料的研究进展

高K栅介质材料的研究进展

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2009上海半导体材料学术年会

作者：徐大朋程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉温州大学物理电子信息学院中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

介绍高K材料引入的必要性及国内外的研究进展。分析了使用于做栅介质材料的种类。提出了高K栅介质材料研究中需要进一步解决的问题。

关键词：高K栅介质 SiO2栅介质

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