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  • 4 篇 中国科学技术大学
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作者

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语言

  • 152 篇 中文
检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室"
152 条 记 录,以下是111-120 订阅
排序:
无线传感器网络数据融合安全机制研究
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电视技术 2015年 第17期39卷 74-78页
作者: 陈超 邓斌 吴伊蒙 贾国庆 房卫东 青海民族大学物理与电子信息工程学院 青海西宁810006 上海大学特种光纤与光接入网省部共建重点实验室 上海201899 中科院上海微系统与信息技术研究所 上海200051 上海物联网有限公司 上海201800
由于WSN本身资源方面存在的局限性和脆弱性,使其安全问题成为一大挑战。随着WSN向大范围配置的方向发展,其安全问题越来越重要。围绕WSN的安全需求,结合WSN的分层网络结构,研究了其各层易遭受的攻击及防御对策。分析了基于明文的数据融... 详细信息
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基于QD-SOA光判决门的研究
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通信技术 2016年 第9期49卷 1122-1128页
作者: 杨文华 王海龙 王兆翔 韦志禄 龚谦 山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马赫-曾德尔干涉仪效应(MZI)的光判决门结构,仿真分析了注入电... 详细信息
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背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响
背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 罗杰馨 陈静 伍青青 柴展 余涛 王曦 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中科院北京研究生院北京 100049 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 2150006
由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应,在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中,正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影... 详细信息
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熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热
熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热
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第八届全国超导学术研讨会
作者: 白忠 王智河 李配军 聂阳 邱里 丁世英 张宏 南京大学固体微结构国家重点实验室 南京210093 中科院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
本文采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁... 详细信息
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基于QD-SOA-MZI结构的全光逻辑门的性能优化
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通信技术 2016年 第6期49卷 782-787页
作者: 王兆翔 王海龙 杨文华 韦志禄 龚谦 曲阜师范大学物理工程学院 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
基于QD-SOA的XPM效应,用细化分段方法对QD-SOA静态和动态过程建模,采用四阶龙格库塔法格式和牛顿迭代法求解光场传输方程和速率方程,模拟全光逻辑与门的逻辑功能。采用"功率对比度积"这一新型特征参数作为系统优化指标,讨论MZ... 详细信息
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微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术
微创手术式硅微机械加工(MISSM)技术
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第十二届全国敏感元件与传感器学术会议
作者: 王家畴 刘洁丹 李昕欣 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 上海交通大学微纳科技研究院 上海200240 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 上海交通大学微纳科技研究院 上海200240
介绍了一种新颖的微创手术式硅微机械加工-(MISSM)技术.该技术充分利用(111)硅片的晶向分布和各向异性湿法腐蚀的特性,通过在单晶硅片表面制作一系列微型释放窗口来定义结构尺寸的轮廓,进而实现在单晶硅片内部选择性腐蚀出不同结构尺寸... 详细信息
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SOI器件X射线与^(60)Co γ射线总剂量效应比较
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电子器件 2010年 第4期33卷 416-419页
作者: 何玉娟 罗宏伟 恩云飞 张正选 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室 广州510610 中科院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
为进行10keVX射线和60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI(Silicon-on-Insulator)n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,... 详细信息
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无线局域网定位技术研究
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无线通信技术 2004年 第3期13卷 33-37页
作者: 贾青 刘乃安 朱明华 西安电子科技大学ISN国家重点实验室 陕西西安710071 中科院微系统与信息技术研究所 上海200050
本文首先介绍了无线局域网定位的几种可行性方法 ,从原理上加以分析说明 ,阐明其优缺点 ,其次讨论了无线局域网定位在商业中应用 ,以及业界发展态势 。
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基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探
基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探
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第十三届全国超导学术研讨会
作者: 荣亮亮 常凯 王远 蒋坤 王永良 嵇艳鞠 谢晓明 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学 北京100039 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室 吉林大学 长春130000 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室
低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁...
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高K栅介质材料的研究进展
高K栅介质材料的研究进展
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2009上海半导体材料学术年会
作者: 徐大朋 程新红 何大伟 宋朝瑞 俞跃辉 温州大学物理电子信息学院 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
介绍高K材料引入的必要性及国内外的研究进展。分析了使用于做栅介质材料的种类。提出了高K栅介质材料研究中需要进一步解决的问题。
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