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语言

  • 152 篇 中文
检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室"
152 条 记 录,以下是11-20 订阅
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基于单向散列链的定点布设无线传感器网络密钥分配方案
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计算机科学 2013年 第1期40卷 41-44,67页
作者: 覃荣华 何亮明 李宝清 袁晓兵 中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室 上海200050 中科院上海微系统与信息技术研究所无线传感器网络与通信重点实验室 上海200050
针对有重部署需求的定点布设无线传感器网络,提出基于单向散列链、支持身份认证的密钥分配方案。方案采用密钥链分段激活方式,可以有效抵制节点俘获攻击造成的安全威胁,安全性能好;支持节点重部署,从而可以保障有良好的网络覆盖率。
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高灵敏纳米金比色芯片检测乙型肝炎病毒DNA及其变异
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分析化学 2012年 第4期40卷 569-573页
作者: 邹能利 臧玉翠 毛红菊 赵国强 金庆辉 赵建龙 徐元森 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 郑州大学基础医学院微生物与免疫教研室
构建了新型纳米金比色芯片,利用Taq DNA连接酶的连接特异性,将其与乙型肝炎病毒DNA(HBV-DNA)靶序列完全互补杂交的捕获探针(固定在芯片上)和纳米金修饰的探针连接成一条链,从而将纳米金颗粒固定到芯片点阵上,再通过银染反应放大,形成裸... 详细信息
来源: 评论
无线传感器网络自适应差错控制技术研究
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技术通讯 2011年 第5期21卷 465-470页
作者: 王海林 李凤荣 吴明娟 张宝贤 刘海涛 中科院上海微系统与信息技术研究所中科院无线传感网与通信重点实验室 上海200050 中科院研究生院泛在与传感网研究中心 北京100049
基于1EEE802.15.4标准建立了自动请求重传(ARQ)和前向纠错(FEC)两种差错控制技术的能量效率模型,分析了各参数对两种技术能量效率的影响,得到了ARQ技术最优负载长度和FEC技术最优纠错码参数,进而提出了一种根据无线链路接收信... 详细信息
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一种新型数字式加速度传感器原理与设计
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传感技术学报 2007年 第9期20卷 1996-2000页
作者: 庞洁 Lukasz Pakula Paddy French 杨恒 王跃林 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 Delft University of Technology
建立了一种新型纯数字式加速度传感器的理论模型,通过检测吸合时间差检测加速度.该传感器不存在吸合电压的限制,避免了寄生电容的影响,其芯片面积远小于传统电容式加速度传感器;由于输出时间信号,可采用简单的纯数字接口电路检测.理论... 详细信息
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外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响
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发光学报 2013年 第4期34卷 474-479页
作者: 龙睿 王海龙 成若海 龚谦 严进一 汪洋 陈朋 宋志棠 封松林 山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系.山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算... 详细信息
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用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计
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稀有金属 2004年 第3期28卷 511-515页
作者: 劳燕锋 吴惠桢 中科院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室 上海200050
采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组... 详细信息
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基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器
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稀有金属 2004年 第3期28卷 590-591页
作者: 吕京涛 曹俊诚 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端加电场的依赖关系 ... 详细信息
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太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 585-587页
作者: 米贤武 曹俊诚 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要... 详细信息
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一维准周期光子晶体的太拉赫兹布洛赫振荡源
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稀有金属 2004年 第3期28卷 592-593页
作者: 张拥华 曹俊诚 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构... 详细信息
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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器
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光电子.激光 2014年 第7期25卷 1279-1283页
作者: 康传振 王海龙 龚谦 严进一 成若海 汪洋 柳庆博 曹春芳 岳丽 曲阜师范大学物理系、山东省激光偏光与信息技术重点实验室 山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室 上海200050
为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连... 详细信息
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