检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2006年第5A期19卷 1686-1688页

作者：曹共柏焦继伟陈云飞李铁杨恒王跃林中科院上海微系统与信息技术研究所东南大学机械工程学院教育部MEMS重点实验室南京210096

采用经典的分子动力学方法,分析了两端固支的纳米梁的力学行为特征.在初始应变下,梁的表面原子发生了重构,而初始应变能仅是重构能的1%,随着分子动力学迭代的开始,初始应变能逐渐转化为梁中原子的热运动动能和梁的谐振能量.从其能量的... 详细信息

采用经典的分子动力学方法,分析了两端固支的纳米梁的力学行为特征.在初始应变下,梁的表面原子发生了重构,而初始应变能仅是重构能的1%,随着分子动力学迭代的开始,初始应变能逐渐转化为梁中原子的热运动动能和梁的谐振能量.从其能量的变化曲线得到,梁的谐振频率为2.32×1010Hz.与连续介质近似结果对比发现,该谐振频率对应的杨氏模量为101GPa,小于体硅的131GPa,说明在该尺度下杨氏模量小于体材料.另外,分子动力学结果显示,发热是纳米梁耗散机制的重要方式,即谐振能量转化为梁中原子的热运动动能.

关键词：分子动力学有限元连续介质近似谐振频率

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新型高灵敏度GLV光学电流传感器设计与性能分析

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功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 39-45页

作者：鲁亮穆参军李四华吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中科院研究生院北京100039

本文结合GLV技术设计了一种适于检测高压交流电的新型光学电流传感器。这一设计具有温度稳定性好、大电流下灵敏度高、频率响应范围宽等特点,且测量芯片制作工艺简单、成本低廉。通过有限元分析和数值计算对器件的模态、工作性能、热膨... 详细信息

本文结合GLV技术设计了一种适于检测高压交流电的新型光学电流传感器。这一设计具有温度稳定性好、大电流下灵敏度高、频率响应范围宽等特点,且测量芯片制作工艺简单、成本低廉。通过有限元分析和数值计算对器件的模态、工作性能、热膨胀特性等进行了分析模拟,结果表明:测量芯片量程达500A^2000A,并可通过改变设计参数灵活调整;一阶固有频率接近60kHz,大电流下灵敏度接近0.2dB/A,外界温度变化±50K时传感器测试误差在0.7%以内。

关键词：光栅光阀(GLV) 光学电流传感器双端固支梁

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基于分水岭分割和尺度不变特征点的多目标全自主跟踪算法

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电子与信息学报 2012年第8期34卷 1827-1832页

作者：胡珂立谷宇章王营冠邹方圆金锋中国科学院无线传感网与通信重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 浙江省嘉兴市公安局交警支队嘉兴314000

该文针对多目标的鲁棒跟踪问题,设计了一种基于图像分水岭分割和尺度不变特征变换(SIFT)特征点的多目标全自主跟踪算法。为规避图像平坦区域,提出在原图上叠加规则坡度图的思想,并在浮点域进行一定尺度高斯模糊处理,将区域极小值点作为... 详细信息

该文针对多目标的鲁棒跟踪问题,设计了一种基于图像分水岭分割和尺度不变特征变换(SIFT)特征点的多目标全自主跟踪算法。为规避图像平坦区域,提出在原图上叠加规则坡度图的思想,并在浮点域进行一定尺度高斯模糊处理,将区域极小值点作为种子点完成分水岭分割,并将极值点作为目标特征点,通过前后帧分水岭映射生成特征点短时轨迹,自动检测运动目标。之后依据目标所处状态(是否发生遮挡)和分水岭分割图建立、更新目标SIFT特征池,结合分水岭映射、SIFT特征池匹配完成对目标的鲁棒跟踪。实验结果表明,该算法能有效完成视频中多目标的持续跟踪,并对目标遮挡有较好的鲁棒性。

关键词：多目标跟踪全自主分水岭分割尺度不变特征变换(SIFT)

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基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制

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功能材料与器件学报 2007年第4期13卷 367-370页

作者：孙佳胤陈静王曦王建峰刘卫朱建军杨辉中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中科院半导体研究所北京100083

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延... 详细信息

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力。

关键词：绝缘体上的硅氮化镓金属有机物化学气相外延降低应力

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Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文)

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 596-600页

作者：聂阳王智河白忠李配军邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

在09T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用AH模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,RT曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-... 详细信息

在09T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用AH模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,RT曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36+0.145T.p=0 .78 ,1 .88和q=1 .5 ,3 .5分别是高阻区和低阻区的拟合参数.

关键词：高温超导体传输性质

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用于TEM原位拉伸实验的集成单晶硅纳米梁MEMS测试芯片研究

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中国科学（E辑） 2009年第5期39卷 948-953页

作者：金钦华王跃林李铁李昕欣许钫钫上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家实验室上海200050 中国科学院硅酸盐研究所上海200050

透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结... 详细信息

透射电镜内的原位拉伸测试是研究纳米尺度的单晶硅材料的力学性质的一种很有发展前景的研究方法.开展了集成单晶硅纳米梁的微电子机械系统测试芯片的设计、制作,并完成了原位拉伸的测试实验.集成的微电子机械系统芯片由基于静电梳齿结构的驱动器、测力悬梁、单晶硅纳米梁及电子束透射窗等结构构成.利用SOI硅片和普通硅片采用体硅微加工工艺及硅键合工艺加工完成了芯片制造.通过透射电镜样品杆上的电极与微电子机械系统芯片导通,实现了对静电梳齿结构的驱动,完成了与其相连的单晶硅纳米梁的拉伸观测.对此微电子机械系统芯片的测试实验结果表明,随着驱动电压的增加,单晶硅纳米梁逐渐被拉动,原位拉伸实验得到了该纳米梁的应力-应变关系,对实验结果拟合后得到杨氏模量值为161GPa,在误差范围内与体硅一致.

关键词：微电子机械系统透射电镜单晶硅纳米梁原位拉伸实验

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基于点割集的无线带状传感网分布式寿命预测算法

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电子与信息学报 2010年第11期32卷 2599-2605页

作者：吴明娟张宝贤黄河清王海林刘海涛中科院上海微系统与信息技术研究所中国科学院无线传感网与通信重点实验室上海200050 中国科学院研究生院泛在与传感网研究中心北京100049

无线带状传感网是一种典型传感网应用模式,现有的网络生存时间模型大多面向特定的布设模型和工作模式,不能直接应用于带状传感网寿命预测。该文提出一种基于点割集的带状网分布式寿命预测算法。该算法仅利用邻居节点的位置和剩余生存时... 详细信息

无线带状传感网是一种典型传感网应用模式,现有的网络生存时间模型大多面向特定的布设模型和工作模式,不能直接应用于带状传感网寿命预测。该文提出一种基于点割集的带状网分布式寿命预测算法。该算法仅利用邻居节点的位置和剩余生存时间等局部信息求解点割集及局部网络生存时间,通过相邻节点间交互包含局部网络生存时间的信令,估计整个网络的剩余生存时间。仿真结果表明,与现有基于梯度的网络生命估计算法相比,该文算法能准确且实时地估计网络的生存时间。

关键词：无线带状传感网生存时间点割集

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具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）

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红外与毫米波学报 2017年第5期36卷 543-549页

作者：刘强蔡剑辉何佳铸王翼泽张栋梁刘畅任伟俞文杰刘新科赵清太上海大学物理系量子与分子结构国际中心材料基因研究院上海200444 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室深圳518060 德国于利希研究中心德国于利希52425

在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 详细信息

在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.

关键词： MoS2场效应晶体管良好的亚阈值斜率 SiO2栅介质界面态密度

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熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy的交流磁化性质

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 475-479页

作者：李配军王智河聂阳白忠邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 2. 中科院上海微系统与信息技术研究所

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U(J,H... 详细信息

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U(J,Hdc,T)(J-(Hdc-0.75(1-T2/Tc2)3/2,其中μ约为0.13与理论预期的μ=1/7相一致,表明该样品中可能存在涡旋玻璃相变.

关键词：高温超导体磁通钉扎

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利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计

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物理学报 2023年第12期72卷 279-285页

作者：杜安天刘若涛曹春芳韩实现王海龙龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049

利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超... 详细信息

利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超晶格生长模式的两种样品进行了表征,研究发现采用32周期InAs/GaAs数字合金超晶格样品的量子点密度非常高,发光性能良好.通过与常规生长方式所制备激光器的性能对比,发现采用InAs/GaAs数字合金超晶格生长InAs量子点的有源区也可以得到高质量的激光器.利用该方式生长的InAs量子点激光器的阈值电流为24 mA,相应的阈值电流密度仅为75 A/cm^(2),最高工作温度达到120℃.InAs/GaAs数字合金超晶格既可以保证生长过程中源炉的温度保持不变,还可以对InGaAs层的组分实现灵活调控.不需要改变生长速度,通过改变InAs/GaAs数字合金超晶格的周期数以及InAs层和GaAs层的厚度,便可以获得任意组分的InGaAs,从而得到不同发光波长的激光器.这种生长方式对量子点有源区的结构设计和外延生长提供了新思路.

关键词：量子点半导体激光器分子束外延数字合金超晶格

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