检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2013年第2期19卷 54-58页

作者：高晓强王凯邓闯贺端威四川大学原子与分子物理研究所&物理科学与技术学院成都610065 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(M... 详细信息

采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜。通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平。

关键词：分子束外延迁移增强外延 InAs量子点

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5G超密集异构网络带内无线回传资源分配方案

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计算机工程 2021年第3期47卷 43-52页

作者：余钊贤易辉跃裴俊中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院无线传感网与通信重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海无线通信研究中心上海201210

为实现5G超密集异构网络中无线回传链路和接入链路之间的最优资源分配,研究多用户场景下双层异构网络的联合用户调度和功率分配问题,在队列稳定和无线回传资源有限的情况下,综合考虑用户调度、功率分配和干扰控制等因素,对带内无线回传... 详细信息

为实现5G超密集异构网络中无线回传链路和接入链路之间的最优资源分配,研究多用户场景下双层异构网络的联合用户调度和功率分配问题,在队列稳定和无线回传资源有限的情况下,综合考虑用户调度、功率分配和干扰控制等因素,对带内无线回传的最优资源分配问题进行数学建模并求解,基于李雅普诺夫优化理论提出联合用户调度和功率分配的优化算法。将优化问题解耦为网络内各个用户的调度以及宏基站和小基站的功率分配过程,采用MOSEK求解器和二分类方法获得用户调度向量,利用拉格朗日乘子法求解功率分配问题,并通过队列的时刻更新过程实现最优资源分配。仿真结果表明,在多用户场景下,该方案能够有效提升网络总吞吐量以及网络效用,并且毫米波频段的通信性能优于传统蜂窝网络频段。

关键词： 5G超密集异构网络无线回传用户调度功率分配李雅普诺夫优化

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基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计

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固体电子学研究与进展 2018年第4期38卷 262-267+273页

作者：韦俞鸿黄冰孙晓玮张润曦张健中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室中国科学院大学华东师范大学微电子电路与系统研究所杭州电子科技大学

提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,... 详细信息

提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25～45GHz的插入损耗为2.5～3.2dB,隔离度大于19dB。

关键词：单刀双掷开关超宽带 45nm绝缘体上硅负体偏置

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超细尖晶石型LiMn2O4的合成和性能研究

超细尖晶石型LiMn2O4的合成和性能研究

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第十二届中国固态离子学学术会

作者：陈立宝贺跃辉解晶莹中科院上海微系统与信息技术研究所中南大学粉末冶金国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

采用固相配位化学反应化学法,合成了超细的尖晶石型LiMn2O4正极材料。配位化合物前驱体在320℃开始氧化燃烧,尖晶石相LiMn2O4始形成。研究表明,LiMn2O4的最件合成温度为500-550℃,可得到纯净物相的LiMn2O4粉末。550℃下焙烧12 h所得的产... 详细信息

采用固相配位化学反应化学法,合成了超细的尖晶石型LiMn2O4正极材料。配位化合物前驱体在320℃开始氧化燃烧,尖晶石相LiMn2O4始形成。研究表明,LiMn2O4的最件合成温度为500-550℃,可得到纯净物相的LiMn2O4粉末。550℃下焙烧12 h所得的产物,粉末的粒度范围为0.08-0.5μm,为超细粉末,其比表面积为10.15 m2·g-1,锂元素含量为3.79%(w/o),与理论锂含量(3.84%)棚当。LiMn2O4粉末的形貌规整,颗粒内部有很多空隙,形成了多孔的结构,有利于电解液浸入和锂离子迁移。合成的LiMn2O4正极材料的首次放电比容量为124.2 m2·g-1,循环性能稳定。

关键词：尖晶石LiMn2O4 锂离子电池同相配位化学反应超细粉末

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电磁驱动电容检测微机械陀螺的设计

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微纳电子技术 2003年第7期40卷 309-311页

作者：宋朝辉贾孟军李昕欣中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

介绍了一种电磁驱动电容检测微机械陀螺的结构和工作原理。该陀螺的突出优点在于驱动和检测采用了相互独立的折叠梁和振动质量 ,故驱动和检测间的耦合大大地减小。本文从理论上分析了折叠梁结构参数对振动模态频率的影响 ,并针对初步确... 详细信息

介绍了一种电磁驱动电容检测微机械陀螺的结构和工作原理。该陀螺的突出优点在于驱动和检测采用了相互独立的折叠梁和振动质量 ,故驱动和检测间的耦合大大地减小。本文从理论上分析了折叠梁结构参数对振动模态频率的影响 ,并针对初步确定的结构尺寸 ,利用COVENTERWARE软件进行了静力学和动力学分析。

关键词：电磁驱动电容检测微机械陀螺折叠梁有限元分析结构工作原理

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一种微机械压阻式加速度传感器及其设计优化

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微纳电子技术 2003年第7期40卷 305-308页

作者：黄树森郭南翔黄晖宋朝辉李欣昕王跃林中科院上海微系统与信息技术研究所传感器国家重点实验室上海200050

给出了一种新型的微梁直拉直压的微机械压阻式加速度传感器的工作原理。该设计能同时提高传感器的灵敏度和自由振动频率。基于分析模型 ,本文还给出了传感器的结构优化和各种量程的设计规则。采用SOI硅片和深反应离子刻蚀 (DRIE)

关键词：微机械压阻式加速度传感器设计优化微粱直拉直压离子刻蚀振动频率

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SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究

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半导体技术 2006年第5期31卷 357-360页

作者：何玉娟师谦李斌林丽张正选华南理工大学微电子研究所广州510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件... 详细信息

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。

关键词： X射线总剂量辐射效应绝缘体上硅注氧隔离

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低温InGaAs/InAlAs超晶格的生长及特性分析

低温InGaAs/InAlAs超晶格的生长及特性分析

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第十届全国光电技术学术交流会

作者：尹嵘万文坚韩英军曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室

InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料。利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料,通过高分辨X射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响,优化了分子束外延生长工艺。同时在InGaAs中引入p型受主B... 详细信息

InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料。利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料,通过高分辨X射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响,优化了分子束外延生长工艺。同时在InGaAs中引入p型受主Be来补偿载流子浓度,以提高材料的暗电阻。最后获得了质量较好的低温InGaAs/InAlAs超晶格,方块电阻达到1.63×106Ω/□。基于这种超晶格制成的THz光电导天线有很高的应用前景。

关键词： InGaAs/InAlAs 超晶格分子束外延 X射线衍射

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采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

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材料科学与工程学报 2014年第6期32卷 787-791,802页

作者：周海飞龚谦王凯康传振严进一王庶民中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 查尔姆斯理工大学微米技术和纳米科学系瑞典哥德堡41296

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可... 详细信息

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。

关键词：分子束外延 InGaP InAlP 张应变Ge

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GD12-006低温InGaAs/InAIAs超晶格的生长及特性分析

GD12-006低温InGaAs/InAIAs超晶格的生长及特性分析

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第10届全国光电技术学术交流会

作者：尹嵘万文坚韩英军曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室上海 200050

InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料.利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料，通过高分辨×射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响，优化了分子束外延生长工艺.同时在InGaAs中引入p型... 详细信息

InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料.利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料，通过高分辨×射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响，优化了分子束外延生长工艺.同时在InGaAs中引入p型受主Be来补偿载流子浓度，以提高材料的暗电阻.最后获得了质量较好的低温InGaAs/InAIAs超晶格，方块电阻达到1.63×106Ω/口.基于这种超晶格制成的THz光电导天线有很高的应用前景.

关键词： InGaAs/InAIAs 超晶格分子束外延 X射线衍射

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