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第十二届全国超导学术研讨会

作者：徐婷谢晓明王会武常凯蒋坤侍文伍俊邱隆清荣亮亮孔祥燕上海超导中心中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

超导瞬变电磁应用的超导磁传感器的带宽需足够高(100 kHz以上),但同时大带宽磁场接收使数据极易受环境电磁干扰影响(尤其是晚期衰减信号).应用常规滤波方法对时非线性非平稳的超导TEM信号处理,易造成波形畸变,影响反演解释.经验模态分解...

超导瞬变电磁应用的超导磁传感器的带宽需足够高(100 kHz以上),但同时大带宽磁场接收使数据极易受环境电磁干扰影响(尤其是晚期衰减信号).应用常规滤波方法对时非线性非平稳的超导TEM信号处理,易造成波形畸变,影响反演解释.经验模态分解(EMD)方法完全基于数据驱动,自适应将信号从高频到低频分解成一系列模态函数分量,根据信号自身特性进行分量选择,不会造成波形畸变.

关键词：

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室温低阈值分布反馈量子级联激光器

室温低阈值分布反馈量子级联激光器

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐刚毅李爱珍李耀耀魏林张永刚李华信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所上海市200050

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得... 详细信息

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155-320K)实现单模激射,边模抑制比～***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：分布反馈量子级联激光器三阱耦合垂直跃迁光发射结构单模激射波导

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SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究

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半导体技术 2006年第5期31卷 357-360页

作者：何玉娟师谦李斌林丽张正选华南理工大学微电子研究所广州510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件... 详细信息

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。

关键词： X射线总剂量辐射效应绝缘体上硅注氧隔离

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求索大脑智慧本质,照亮类脑智能之路

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生物化学与生物物理进展 2024年第10期51卷 2268-2273页

作者：郭爱克北京师范大学珠海校区自然科学高等研究院复杂系统国际科学中心珠海519000 中国科学院生物物理研究所脑与认知科学国家重点实验室北京100101 中国科学院神经科学研究所神经科学国家重点实验室上海200031 中国科学院上海微系统和信息技术研究所上海200050 中国科学院大学生命科学学院北京100049 上海大学生命科学学院上海200444

宇宙创生→生命爆发→智能演生→人工智能,这是一条演化的历史长河。时代在问,脑与心智从哪里来,将到哪里去?人工智能的前途和命运是怎样的?人类文明的前途和命运是怎样的?大脑智能和人工智能怎样才能相互照亮?是否有不依赖于大数据、... 详细信息

宇宙创生→生命爆发→智能演生→人工智能,这是一条演化的历史长河。时代在问,脑与心智从哪里来,将到哪里去?人工智能的前途和命运是怎样的?人类文明的前途和命运是怎样的?大脑智能和人工智能怎样才能相互照亮?是否有不依赖于大数据、大算力和大模型的智能路线?人工智能可否通过完全不同于生物进化的另一条道路通向“心智”?脑智创造力如何演化为新质生产力?这些问题的核心仍然是人类大脑在整体上是怎样工作的?本文将从微观—介观—宏观—宇观的尺度上来勾勒一幅复杂性与简约性辩证统一的图景。

关键词：心智复杂性自组织跨膜态神经流形脑-智方程动力学系统神经状态空间

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一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究

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功能材料与器件学报 2011年第5期17卷 520-525页

作者：张磊汪海波张泽芳王良咏刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表... 详细信息

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

关键词： PS/SiO2 复合磨料铜化学机械抛光

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LED用蓝宝石单晶衬底抛光工艺的研究

LED用蓝宝石单晶衬底抛光工艺的研究

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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：胡晓凯宋志棠刘卫丽汪海波张泽芳王良泳中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

本论文研究了蓝宝石抛光初始阶段抛光速率与下压力、抛光转速两项工艺参数的关系;分析了抛光过程中摩擦系数的动态变化规律.结果表明,抛光速率大致正比于下压力,即随压力增大抛光速率线性加快;而抛光转速对抛光速率则影响不大.摩擦系数... 详细信息

本论文研究了蓝宝石抛光初始阶段抛光速率与下压力、抛光转速两项工艺参数的关系;分析了抛光过程中摩擦系数的动态变化规律.结果表明,抛光速率大致正比于下压力,即随压力增大抛光速率线性加快;而抛光转速对抛光速率则影响不大.摩擦系数动态监测表明,随着抛光的进行,动摩擦系数缓慢增加.

关键词： sapphire CMP friction coefficient nano-silica slurry

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含亚氨基抑制剂分子对钴电沉积的影响

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半导体技术 2023年第10期48卷 911-918页

作者：贺宇吴挺俊朱雷李鑫李卫民俞文杰上海理工大学材料与化学学院上海200093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院有限公司上海201899

金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸... 详细信息

金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸钴-硼酸体系中,研究了不同电流密度对电沉积得到的钴薄膜形貌、晶体结构、电阻率等的影响。并且分析了含亚氨基抑制剂分子苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并咪唑(MBI)对钴电化学反应的抑制作用,探究其对钴薄膜形貌、晶粒尺寸和电阻率的影响。结果表明,无抑制剂时,钴晶粒以Co(002)为主;BZI的抑制能力强于MBI;由于BZI的抑制能力过强,无法沉积完整的钴薄膜;抑制剂MBI的加入会增强钴薄膜晶体的(101)晶面的取向。

关键词：钴电沉积晶体结构电阻率抑制剂苯并咪唑(BZI) 2-巯基苯并咪唑(MBI)

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一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法

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功能材料与器件学报 2012年第1期18卷 30-34页

作者：张磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院研究生院北京100049

在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有1... 详细信息

在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有11nm的氧化硅颗粒。而且,在相同的反应体系中,所制备的氧化硅颗粒能够作为晶种再次生长,通过滴加不同浓度的TEOS能够得到粒径大小可控的氧化硅颗粒。

关键词：单分散超小粒径氧化硅 PVP TEOS

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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘玉菲刘文平李四华吴亚明罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2小时,测得BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)×10-9atmcc/sHe;剪切力在9.0(∪)13.4MPa之间,完全达到了封装工艺要求;实验中封装成品率达到100﹪.表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法.文章还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.

关键词：低温键合气密性封装苯并环丁烯渗流模型气密性

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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 859-863页

作者：魏星乔忠良薄报学陈静张苗王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。

关键词：湿法刻蚀脉冲阳极氧化斜率效率

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