检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2007年第9期20卷 1996-2000页

作者：庞洁 Lukasz Pakula Paddy French 杨恒王跃林中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 Delft University of Technology

建立了一种新型纯数字式加速度传感器的理论模型,通过检测吸合时间差检测加速度.该传感器不存在吸合电压的限制,避免了寄生电容的影响,其芯片面积远小于传统电容式加速度传感器;由于输出时间信号,可采用简单的纯数字接口电路检测.理论... 详细信息

建立了一种新型纯数字式加速度传感器的理论模型,通过检测吸合时间差检测加速度.该传感器不存在吸合电压的限制,避免了寄生电容的影响,其芯片面积远小于传统电容式加速度传感器;由于输出时间信号,可采用简单的纯数字接口电路检测.理论分析表明,质量块在两个检测电极之间的吸合时间差ΔT与加速度成正比关系,通过检测ΔT的变化即可检测加速度,其灵敏度、非线性与传统电容式加速度传感器相当.设计了一个悬臂梁-质量块结构的加速度传感器,芯片有效面积仅为0.03mm2,模拟结果显示,工作电压为8V,加速度为1gn时,吸合时间的变化ΔT为1.0554μs.采用TTL电路进行检测,其分辨率可以达到0.01gn,满量程±10gn工作时,非线性度为1.23%.

关键词：加速度传感器数字式吸合时间吸合电压

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低电压驱动的MEMS F-P可调光学滤波器研究

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光电子．激光 2011年第7期22卷 965-971页

作者：翟雷应徐静李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

基于微机电系统(MEMS)技术,研制了一种新颖的光学腔与静电驱动器分离的Fabry-Pérot(F-P)可调谐滤波器。从光学设计、MEMS结构设计、制造工艺与器件测试等开展了F-P可调谐滤波器的研究,成功制备了工作在以1550 nm波长为中心、调谐... 详细信息

基于微机电系统(MEMS)技术,研制了一种新颖的光学腔与静电驱动器分离的Fabry-Pérot(F-P)可调谐滤波器。从光学设计、MEMS结构设计、制造工艺与器件测试等开展了F-P可调谐滤波器的研究,成功制备了工作在以1550 nm波长为中心、调谐范围为40 nm和驱动电压低于30 V的MEMS F-P可调滤波器。测试结果表明,其3 dB带宽为0.5 nm,单模光纤准直器封装的插入损耗低于8 dB,为研制实用的F-P可调滤波器奠定了良好的实验基础。

关键词：微机电系统(MEMS) Fabry-Pérot(F-P)腔可调光滤波器静电驱动

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外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响

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发光学报 2013年第4期34卷 474-479页

作者：龙睿王海龙成若海龚谦严进一汪洋陈朋宋志棠封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系.山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算... 详细信息

在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算,并与实验结果进行了对比。计算得到的外腔激光器的输出功率与实验结果符合得很好,忽略了非线性增益相关的增益抑制的单模调谐范围理论计算值稍小于实验结果。

关键词：量子点激光器外腔反馈输出功率调谐范围

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基于MEMS微镜的可调光学衰减器

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光电子．激光 2012年第12期23卷 2287-2291页

作者：刘英明徐静钟少龙翟雷应吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

设计并制作了一种基于微光机电系统(MEMS)微镜的可调光衰减器(VOA)。其中微镜的谐振频率为11.26kHz,采用垂直梳齿驱动器驱动。微镜采用体硅微加工工艺在绝缘体上硅(SOI)片上制作。采用制作的微镜和双光纤准直器装配成VOA,衰减器在扭转... 详细信息

设计并制作了一种基于微光机电系统(MEMS)微镜的可调光衰减器(VOA)。其中微镜的谐振频率为11.26kHz,采用垂直梳齿驱动器驱动。微镜采用体硅微加工工艺在绝缘体上硅(SOI)片上制作。采用制作的微镜和双光纤准直器装配成VOA,衰减器在扭转角度为0.3°时驱动电压只有4.4V,开启和关断时的响应时间分别为1.67ms和2.74ms,插入损耗为0.6dB,最大衰减值为40dB。

关键词：可调光衰减器(VOA) 微光机电系统(MEMS) 微镜垂直梳齿驱动器

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高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

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光电子．激光 2014年第7期25卷 1279-1283页

作者：康传振王海龙龚谦严进一成若海汪洋柳庆博曹春芳岳丽曲阜师范大学物理系、山东省激光偏光与信息技术重点实验室山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连... 详细信息

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续调谐测试和输出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长从999.2nm到1 023.8nm,并且实现了波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1 525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功率为15mW,单模边模抑制比(SMSR)高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。

关键词：量子点激光器(QDL) 外腔光栅边模抑制比(SMSR)

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基于DMD的外腔量子点激光器性能研究

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光电子．激光 2013年第6期24卷 1070-1074页

作者：成若海王海龙龚谦严进一汪洋柳庆博曹春芳岳丽山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了取得更加完善的外腔量子点激光器(QDL)测试数据,构建了基于数字微镜器件(DMD,digital micro-mirror device)的InAs/InP量子点外腔QDL。测量了其光谱特性以及调谐范围,得到了基于DMD的外腔QDL调谐范围和相应的模式变化。在理论和实... 详细信息

为了取得更加完善的外腔量子点激光器(QDL)测试数据,构建了基于数字微镜器件(DMD,digital micro-mirror device)的InAs/InP量子点外腔QDL。测量了其光谱特性以及调谐范围,得到了基于DMD的外腔QDL调谐范围和相应的模式变化。在理论和实验上与基于光栅的外腔QDL性能进行了比较,得到了在角色散和反射光谱中与光栅的区别,实现了将DMD应用于外腔QDL中而获得的一种新方法。

关键词：数字微镜器件(DMD) InAs InP量子点激光器(QDL) 外腔光谱角色散

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用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

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稀有金属 2004年第3期28卷 511-515页

作者：劳燕锋吴惠桢中科院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组... 详细信息

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而Ga组份为 0 .5 1～ 0 .5 7时 ,阱材料中产生的张应变量为 :0 .2 9%～ 0 .70 %。最后 ,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱 ,从而对x与Lw 组合值进行优化。

关键词：半导体激光器量子阱结构应变光增益谱

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基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器

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稀有金属 2004年第3期28卷 590-591页

作者：吕京涛曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ... 详细信息

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性。

关键词：太拉赫兹负微分电阻庚氏效应

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太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 585-587页

作者：米贤武曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要... 详细信息

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。

关键词：光吸收谱量子阱太拉赫兹

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一维准周期光子晶体的太拉赫兹布洛赫振荡源

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稀有金属 2004年第3期28卷 592-593页

作者：张拥华曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构... 详细信息

从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构和太拉赫兹频段的光学布洛赫振荡 ,并可望应用于太拉赫兹振荡源。

关键词：光子晶体太拉赫兹光学布洛赫振荡

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