检索结果-内蒙古大学图书馆

中国惯性技术学报 2016年第3期24卷 399-403页

作者：陈方刘卫平刘礼张勇军中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 上海航天电子通讯设备研究所上海201109 北京科技大学高效轧制国家工程研究中心北京100083

基于Sigma-delta Modulator(Σ△M)原理的数字闭环微机械加速度计不仅实现了力反馈闭环控制,同时直接完成信号的模数转换。基于全差分式电容微加速度设计了一种2-2级联式(MASH)高阶Σ△M闭环系统——MASH_(2-2),并与传统的单环路二阶、... 详细信息

基于Sigma-delta Modulator(Σ△M)原理的数字闭环微机械加速度计不仅实现了力反馈闭环控制,同时直接完成信号的模数转换。基于全差分式电容微加速度设计了一种2-2级联式(MASH)高阶Σ△M闭环系统——MASH_(2-2),并与传统的单环路二阶、四阶Σ△M闭环系统(SD2、SD4)进行了仿真分析比较,研制了原理样机。微加速度计是基于结构层厚度50mm的SOI硅片通过DRIE刻蚀、气态HF释放等一系列微加工工艺得到,系统电路以数字化方式集成在FPGA中。常压下测试结果表明,样机的灵敏度为0.876 V/g,噪声基底为-110 d B,零偏不稳定性为20mg,静态温漂为40.8mg/℃,量程为±20 g。

关键词： Σ△M 微机械加速度计数字闭环模数转换 MASH_(2-2)

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新型MEMS质量传感器的研究

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仪表技术与传感器 2011年第8期 1-3,16页

作者：熊磊焦继伟葛道晗宓斌伟张轩雄上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海200093 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室上海200050

研究了一种新型MEMS质量传感器的设计、仿真与制造。这种用于流体中微小分子质量检测的MEMS器件,具有高度对称的中空圆盘结构,以谐振的方式工作于简并/解并模态,能在测量时实现对环境波动的自我补偿。器件的中空腔内可以流过被测流体,... 详细信息

研究了一种新型MEMS质量传感器的设计、仿真与制造。这种用于流体中微小分子质量检测的MEMS器件,具有高度对称的中空圆盘结构,以谐振的方式工作于简并/解并模态,能在测量时实现对环境波动的自我补偿。器件的中空腔内可以流过被测流体,腔外的真空环境使得圆盘谐振器受到更小的阻尼。利用ANSYS对圆盘在质量吸附前后的模态及频率分裂进行仿真,计算结果显示对质量的测量灵敏度达pg量级。采用MEMS双牺牲层工艺方法成功制作出具有双层结构的空心圆盘谐振器。

关键词： MEMS 谐振器质量传感器自补偿

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组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)

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红外与毫米波学报 2013年第6期32卷 481-485,490页

作者：方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面... 详细信息

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.

关键词： InAlAs 缓冲层 X射线衍射光致发光

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基于渗透脱水的自动化蛋白质结晶高通量筛选芯片

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高等学校化学学报 2012年第10期33卷 2178-2183页

作者：罗娅慧李刚陈强赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

构建了一种基于渗透脱水模式的自动进样微流控结晶芯片.该芯片通过真空预脱气将包含蛋白质和结晶剂的液滴自动分配至结晶微腔阵列中,然后利用集成的一排包含不同浓度盐溶液的透析管道,通过渗透脱水方式经一层聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜实... 详细信息

构建了一种基于渗透脱水模式的自动进样微流控结晶芯片.该芯片通过真空预脱气将包含蛋白质和结晶剂的液滴自动分配至结晶微腔阵列中,然后利用集成的一排包含不同浓度盐溶液的透析管道,通过渗透脱水方式经一层聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜实现液滴的逐渐浓缩,使之趋于过饱和状态,进而形成结晶.此芯片可一次筛选较宽范围的过饱和状态,实现蛋白质结晶的快速优化.利用模式蛋白溶菌酶的结晶实验验证了该芯片的性能。

关键词：自动进样高通量筛选渗透脱水蛋白质结晶

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Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文)

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 596-600页

作者：聂阳王智河白忠李配军邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

在09T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用AH模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,RT曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-... 详细信息

在09T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用AH模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,RT曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36+0.145T.p=0 .78 ,1 .88和q=1 .5 ,3 .5分别是高阻区和低阻区的拟合参数.

关键词：高温超导体传输性质

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新型高灵敏度GLV光学电流传感器设计与性能分析

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功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 39-45页

作者：鲁亮穆参军李四华吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中科院研究生院北京100039

本文结合GLV技术设计了一种适于检测高压交流电的新型光学电流传感器。这一设计具有温度稳定性好、大电流下灵敏度高、频率响应范围宽等特点,且测量芯片制作工艺简单、成本低廉。通过有限元分析和数值计算对器件的模态、工作性能、热膨... 详细信息

本文结合GLV技术设计了一种适于检测高压交流电的新型光学电流传感器。这一设计具有温度稳定性好、大电流下灵敏度高、频率响应范围宽等特点,且测量芯片制作工艺简单、成本低廉。通过有限元分析和数值计算对器件的模态、工作性能、热膨胀特性等进行了分析模拟,结果表明:测量芯片量程达500A^2000A,并可通过改变设计参数灵活调整;一阶固有频率接近60kHz,大电流下灵敏度接近0.2dB/A,外界温度变化±50K时传感器测试误差在0.7%以内。

关键词：光栅光阀(GLV) 光学电流传感器双端固支梁

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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

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功能材料 2010年第7期41卷 1208-1210页

作者：张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜... 详细信息

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。

关键词：氮化镓绝缘体上硅侧向外延

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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响

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物理学报 2012年第5期61卷 92-96页

作者：胡志远刘张李邵华张正选宁冰旭毕大炜陈明邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的... 详细信息

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.

关键词：总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷金属氧化物半导体场效晶体管

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基于低温超导量子干涉器件的脑听觉激励磁场探测

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物理学报 2012年第2期61卷 158-162页

作者：张树林刘扬波曾佳王永良孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率激励下,N100m峰出现延时,100 Hz和1000 Hz之间的延时差别达到25 ms.相比于1 kHz特定频率的声音激励,1—4 kHz随机变频下的N100m峰幅度增强,出现了数毫秒的延时.本研究为下一步利用软件梯度计进行多通道脑磁系统和听觉机理研究奠定了一定的基础.

关键词：超导量子干涉器件脑磁梯度计听觉激励

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基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制

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功能材料与器件学报 2007年第4期13卷 367-370页

作者：孙佳胤陈静王曦王建峰刘卫朱建军杨辉中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中科院半导体研究所北京100083

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延... 详细信息

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力。

关键词：绝缘体上的硅氮化镓金属有机物化学气相外延降低应力

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