检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 147-150页

作者：薛忠营张波魏星张苗中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲... 详细信息

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。

关键词：外延应变锗硅 SGOI

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大位移MEMS静电梳齿驱动器的设计及制作

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功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 7-14页

作者：明安杰李铁王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而... 详细信息

文章提出了一种大位移低驱动电压的MEMS静电梳齿驱动器,对器件进行了设计、模拟、制作以及测试。梳齿驱动器的侧向不稳定性即侧向吸合现象限制了梳齿驱动器的最大驱动位移,发现侧向稳定因子S,随支撑梁刚度比ky/kx以及梳齿间隙g的增加而增加,随梳齿交叠长度的增加而减小;而驱动器的驱动电压随梳齿间隙的增加而升高。在以上研究的基础上,提出了一种采用小间隙无初始交叠、长度线性递增梳齿结构和高纵/横向刚度比的预弯曲支撑梁结构的梳齿驱动器。器件测试结果表明,驱动电压71V时,可以达到100μm的驱动位移,进一步测试表明,驱动器的基模共振频率为573Hz,Q值为35.88。

关键词： MEMS 梳齿驱动器侧向稳定性预弯曲梁

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表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器

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仪表技术与传感器 2014年第2期 14-15,19页

作者：张艳敏王权李昕欣江苏大学机械工程学院江苏镇江212013 传感技术国家重点实验室上海200050 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

设计了表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器芯片,采用由低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的低应力氮化硅(LS SiN)薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层,多晶硅薄膜淀积在LS SiN薄膜上,通过结构和位置的优化设计,干法腐蚀制作形成... 详细信息

设计了表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器芯片,采用由低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的低应力氮化硅(LS SiN)薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层,多晶硅薄膜淀积在LS SiN薄膜上,通过结构和位置的优化设计,干法腐蚀制作形成力敏电阻条。制作了压力量程从60 kPa到1 MPa的传感器芯片。试验测试了量程60 kPa压力传感器的长期稳定性,结果表明在室温环境下时,压力传感器显示了较稳定的长时输出,且用LPCVD低温二氧化硅密封的真空参考压力腔没有泄漏问题出现。该超小型传感器制造成本低,具有广泛应用的前景。

关键词：绝对压力传感器表面微机械加工矩形膜压阻芯片长期稳定性

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带温度补偿结构的高灵敏度光读出红外成像阵列器件设计

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功能材料与器件学报 2009年第1期15卷 46-52页

作者：李珂冯飞熊斌王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此... 详细信息

本文提出了一种光读出红外成像阵列器件的结构设计,该设计提高了器件的热-机械灵敏度,同时能有效降低周围环境温度变化所带来的影响。理论计算表明,该阵列器件的关键性能指标热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.39×10-3和2.42,此外,ANSYS模拟仿真的结果验证了该设计能抑制周围环境温度波动对器件红外目标探测的影响。

关键词：光读出红外成像阵列器件热-机械灵敏度噪声等效温差温度补偿

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基于连接酶检测反应的并行分型系统检测AGT M235T和ACE I/D基因多态性

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华东理工大学学报（自然科学版） 2006年第9期32卷 1050-1054页

作者：张世扬肖振贤赵建龙肖君华曹慧敏华东理工大学生物反应器工程国家重点实验室上海200237 中科院微系统与信息技术研究所上海200050

基因多态性蕴藏着大量遗传信息,分型技术是研究多态性的主要研究手段。本文建立了一个基于连接酶检测反应的基因多态性并行检测系统,该系统应用连接酶检测反应与基因芯片技术。对AGT M 235T 3种基因型和ACE I/D 3种基因型分型,同直接测... 详细信息

基因多态性蕴藏着大量遗传信息,分型技术是研究多态性的主要研究手段。本文建立了一个基于连接酶检测反应的基因多态性并行检测系统,该系统应用连接酶检测反应与基因芯片技术。对AGT M 235T 3种基因型和ACE I/D 3种基因型分型,同直接测序分型结果一致。将该系统应用于168份临床样本,经过统计学分析,用卡方检验发现高血压组和正常组AGT M 235T多态性存在显著差异(2χ=6.191,P<0.05),但ACE I/D多态性没有显著差异(χ2=5.241,P>0.05)。

关键词： AGT ACE 基因芯片连接酶检测反应

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一种用于核酸绝对定量检测的高鲁棒性液滴式数字PCR芯片

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高等学校化学学报 2020年第8期41卷 1760-1767页

作者：彭伙高则航廖承悦王晓冬周洪波赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210 北京旌微医学工程研究院有限公司北京100176

为满足液滴式数字聚合酶链式反应(PCR)技术对扩增反应过程中稳定保存液滴以及反应后高效检测的核心需求,构建了一种具有过滤气泡和增强荧光信号功能的液滴式数字聚合酶链式反应芯片.该芯片可在10 min内产生20多万个半径约为21μm的液滴... 详细信息

为满足液滴式数字聚合酶链式反应(PCR)技术对扩增反应过程中稳定保存液滴以及反应后高效检测的核心需求,构建了一种具有过滤气泡和增强荧光信号功能的液滴式数字聚合酶链式反应芯片.该芯片可在10 min内产生20多万个半径约为21μm的液滴.利用"玻璃天花板"的方式构建了独立于芯片主体材料的液滴收集腔,为液滴提供稳定的保存与反应环境;还构建了过滤结构,可有效过滤混入液相中的空气,提高芯片鲁棒性.同时,在液滴收集腔中引入反射层,增强荧光信号,使单个视野荧光成像时间缩短约40%,提高了检测效率.利用该芯片定量检测EGFR基因第21号外显子,检测信号与DNA浓度在10~1~10~5copies/μL范围内呈现良好的线性关系(R^2=0.998).该方案在载玻片大小的芯片上实现了液滴产生、PCR扩增和荧光信号读取,并具有较高的鲁棒性与检测效率,在核酸检测等方面具有应用潜力.

关键词：数字聚合酶链式反应液滴微流控芯片核酸定量检测脱氧核糖核酸

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脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究

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功能材料与器件学报 2006年第4期12卷 264-268页

作者：门传玲林成鲁上海理工大学动力学院上海200093 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长... 详细信息

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了A lN薄膜。X射线衍射(XRD)结果证实制备的A lN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善。电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的A lN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2。晶态A lN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的A lN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料。

关键词： AlN薄膜极化电学性能

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台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

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红外与激光工程 2011年第12期40卷 2309-2313页

作者：魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱... 详细信息

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。

关键词：传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触比接触电阻 AES

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Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究

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量子电子学报 2015年第5期32卷 635-640页

作者：张金凤王海龙龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应。计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。

关键词：光电子学结合能变分法激子 Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱

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无人机平台航空超导磁测系统与室内测试

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低温物理学报 2015年第4期37卷 267-270页

作者：常凯伍俊蒋坤侍文王会武荣亮亮孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统所-吉林大学“地球物理探测技术”联合实验室中国科学院大学

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT... 详细信息

基于无人机平台的超导航磁测量安全高效,灵敏度高且信息量丰富,探测优势明显.本文研发了一种基于低温超导的固定翼无人机平台的磁测系统,该系统可实现地磁场的垂直三分量磁场同步测量.系统磁场测量噪声水平0.3pT/Hz@1kHz,量程>60μT,采样率为1024Hz,重15kg.基于该系统初步开展了室内运动测试,实验结果表明该系统可实现运动平台三轴磁测量,适用于无人机航磁平台.

关键词：低温SQUID 物探应用固定翼无人机动态范围

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