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  • 1 篇 期刊文献

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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
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主题

  • 1 篇 绝缘体上漏源
  • 1 篇 场效应器件
  • 1 篇 浮体效应
  • 1 篇 自热效应
  • 1 篇 体硅mosfet
  • 1 篇 特性测量
  • 1 篇 绝缘体上硅
  • 1 篇 soi
  • 1 篇 dsoi

机构

  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 中科院上海微系统...

作者

  • 1 篇 李志坚
  • 1 篇 王曦
  • 1 篇 何平
  • 1 篇 董业民
  • 1 篇 林羲
  • 1 篇 田立林
  • 1 篇 陈猛

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"机构=中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室"
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排序:
DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较
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清华大学学报(自然科学版) 2003年 第7期43卷 1005-1008页
作者: 林羲 董业民 何平 陈猛 王曦 田立林 李志坚 清华大学微电子学研究所 北京100084 中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成... 详细信息
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