检索结果-内蒙古大学图书馆

稀土 2025年

作者：黄敏丁勇王春国刘雷孙颖莉张健闫阿儒中国科学院宁波材料技术与工程研究所稀土永磁材料联合创新中心中科院磁性材料与器件重点实验室浙江省磁性材料与应用技术重点实验室中国科学院大学

通过磁控溅射的方法在Nd-Fe-B磁体表面分别制备了Tb70Cu10Al10Zn10和Tb100薄膜,研究了热处理工艺对两类扩散磁体微结构和矫顽力的影响。结果表明,经过高温热处理制备的Tb70Cu10Al10Zn10和Tb100扩散态磁体的矫顽力增幅分别为6.8k Oe和5.7... 详细信息

通过磁控溅射的方法在Nd-Fe-B磁体表面分别制备了Tb70Cu10Al10Zn10和Tb100薄膜,研究了热处理工艺对两类扩散磁体微结构和矫顽力的影响。结果表明,经过高温热处理制备的Tb70Cu10Al10Zn10和Tb100扩散态磁体的矫顽力增幅分别为6.8k Oe和5.7k Oe。在此基础上,各自继续进行低温回火形成的回火态磁体的矫顽力又分别增加1.4k Oe和0.5k Oe。两级热处理在多元扩散磁体中更有优势。显微组织分析表明,重稀土核壳结构是扩散态磁体矫顽力提升的重要原因,而连续薄层分布的晶界相是回火态磁体矫顽力进一步提升的关键因素。其中,对矫顽力增幅起主导作用的重稀土核壳结构形成于高温热处理阶段。但是,壳层厚度和壳层分布深度在低温回火阶段亦有微量调整,而晶界相形貌的优化只发生在低温回火阶段。与扩散态磁体相比,回火态磁体中分布的晶界相更细小弥散。特别是Tb70Cu10Al10Zn10回火态磁体,两级热处理优化了晶界相形貌分布,扩散源中微量元素的适度添加促进了连续薄层晶界相的形成,这也是其矫顽力进一步提升的根本原因。

关键词：热处理工艺钕铁硼磁控溅射晶界扩散矫顽力

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超高行频高灵敏度短波红外焦平面读出电路研究

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半导体光电 2025年第1期46卷 167-171页

作者：景松黄松垒李淘杨睿杰张镇锋李雪中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 无锡中科德芯感知科技有限公司无锡214000

针对食品色选以及医疗成像的应用,设计了一款适用于短波红外InGaAs焦平面的高行频高灵敏度1024×1元线列读出电路。读出电路输入级采用CTIA结构,具有较高的注入效率,针对微光、强光等不同应用场景,设计四档积分电容,其中最高增益档... 详细信息

针对食品色选以及医疗成像的应用,设计了一款适用于短波红外InGaAs焦平面的高行频高灵敏度1024×1元线列读出电路。读出电路输入级采用CTIA结构,具有较高的注入效率,针对微光、强光等不同应用场景,设计四档积分电容,其中最高增益档积分电容为10 fF。研究单元电路输出级瞬态响应,优化开关管尺寸、设计高带宽运放以减小关键节点时间常数,进而降低输出级运放噪声,提高动态范围。优化读出电路版图电源网络,抑制功耗过高引起的压降问题。经标准CMOS 0.18μm工艺开展读出电路加工,并与像元中心距12.5μm光敏芯片匹配耦合,读出电路采用边积分边读出工作模式。结果表明,1024×1元线列焦平面功耗为118.8 mW,动态范围为71 dB,积分电容为10 fF档位时噪声小于3.13 mV,实现了40 kHz超高行频读出。

关键词：读出电路高行频动态范围低噪声电源压降

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碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析

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红外与毫米波学报 2022年第6期41卷 1009-1021页

作者：乔辉王妮丽兰添翼赵水平田启智陆液王仍霍勤施帆汤亦聃储开慧贾嘉周青孙晓宇姜佩璐罗毅陈心恬李向阳中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞... 详细信息

针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。

关键词：碲镉汞光导器件失效分析

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碲镉汞富碲垂直液相外延技术

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红外与毫米波学报 2009年第5期28卷 325-329页

作者：杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强中科院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应... 详细信息

研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.

关键词：半导体技术碲镉汞外延材料液相外延垂直浸渍外延

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钙钛矿太阳能电池中S形伏安特性研究

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物理学报 2015年第3期64卷 54-59页

作者：石将建卫会云朱立峰许信徐余颛吕松涛吴会觉罗艳红李冬梅孟庆波中国科学院物理研究所中科院清洁能源重点实验室北京市新能源材料与器件重点实验室北京凝聚态国家实验室北京100190

本文从理论模拟和实验角度研究了钙钛矿太阳能电池的伏安特性,并着重探讨了由于界面电荷输运受限而产生的S形特征.理论模拟表明,当电池界面电荷输运速度逐渐降低时,出现界面电荷积累,影响电池输出性能.实验研究表明,当电池的背接触,光... 详细信息

本文从理论模拟和实验角度研究了钙钛矿太阳能电池的伏安特性,并着重探讨了由于界面电荷输运受限而产生的S形特征.理论模拟表明,当电池界面电荷输运速度逐渐降低时,出现界面电荷积累,影响电池输出性能.实验研究表明,当电池的背接触,光阳极等界面电荷输运速度受限时,即出现S形伏安特性,降低电池效率.然而,由于电子和空穴在界面输运性质方面的差异,以及电池中可能存在的独特的界面能带结构,不同界面电荷输运受限而产生的S形伏安曲线又各具特征,与电池内部实际的电荷分布以及输运方向有关.本文的研究结果有助于阐明钙钛矿太阳能电池中存在的影响电荷输运的界面因素,进而为界面设计和界面优化提供理论依据.

关键词：钙钛矿太阳能电池界面电荷输运 S形伏安特性

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基于15位像素级模数转换器的640×512规格中波红外成像用48 mW数字读出电路

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红外与毫米波学报 2022年第4期41卷 785-791页

作者：于善哲张雅聪牛育泽周晔卓毅马丁鲁文高陈中建李向阳北京大学集成电路学院微米/纳米加工技术国家级重点实验室北京100871 中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

提出了一种用于中波红外成像的基于15位像素级单斜率模数转换器的低功耗数字读出电路。像素级模数转换器采用一种新型功耗自适应的脉冲输出型比较器,只有当斜坡电压信号接近积分电压时,比较器才产生功耗。此外,比较器输出脉冲信号,降低... 详细信息

提出了一种用于中波红外成像的基于15位像素级单斜率模数转换器的低功耗数字读出电路。像素级模数转换器采用一种新型功耗自适应的脉冲输出型比较器,只有当斜坡电压信号接近积分电压时,比较器才产生功耗。此外,比较器输出脉冲信号,降低了15位量化结果存储器上消耗的动态功耗。该存储器采用三管动态结构,仅占约54μm^(2)面积,以满足15μm像素中心距的面积约束。量化结果以电流模式读出到列级,避免相邻列总线间的电压串扰。基于0.18μm CMOS工艺,采用该结构,设计并制造了640×512规格的数字读出电路。测试结果表明,在120 Hz的帧频下,功耗仅为48 mW,总积分电容为740 fF,电荷处理能力为8.8 Me^(-)。在满阱状态,等效到积分电容的噪声电压为116μV,峰值信噪比为84 dB。

关键词：红外焦平面阵列数字读出电路像素级单斜率模数转换器功耗自适应比较器

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不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响

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红外与毫米波学报 2022年第2期41卷 425-429页

作者：沈川刘仰融孙瑞赟卜顺栋陈路何力红外材料与器件重点实验室中科院上海技术物理研究所上海200083 国科大杭州高等研究院浙江杭州310024

对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝... 详细信息

对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。

关键词：碲镉汞 Hg空位钝化层热退火

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分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究

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红外与毫米波学报 2022年第5期41卷 799-803页

作者：沈川杨辽刘仰融卜顺栋王高陈路何力中科院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室上海200083 国科大杭州高等研究院浙江杭州310024

对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火... 详细信息

对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变。并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数。同时,通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟,验证了As掺杂结深推进工艺的重要性。

关键词：碲镉汞 As扩散热退火暗电流

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量子点敏化太阳能电池研究进展

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物理化学学报 2016年第1期32卷 201-213页

作者：卫会云王国帅吴会觉罗艳红李冬梅孟庆波中国科学院物理研究所中科院清洁能源前沿研究重点实验室北京市新能源材料与器件重点实验室北京100190

量子点敏化太阳能电池(QDSCs)因其制备成本低、工艺简单及量子点(QDs)本身的优异性能(如尺寸效应、多激子效应)等优点,近年来受到广泛关注。在此类电池中,无机半导体量子点敏化剂作为吸光材料,其自身的光电性质、制备方法、表面缺陷、... 详细信息

量子点敏化太阳能电池(QDSCs)因其制备成本低、工艺简单及量子点(QDs)本身的优异性能(如尺寸效应、多激子效应)等优点,近年来受到广泛关注。在此类电池中,无机半导体量子点敏化剂作为吸光材料,其自身的光电性质、制备方法、表面缺陷、化学稳定性及其在TiO_2光阳极上的敏化方法等是影响电池性能的关键。本文综述了无机半导体量子点敏化剂(包括窄带隙二元量子点、多元合金量子点及Type-II核壳量子点)的最新研究进展,重点介绍了胶体量子点的制备方法;分类阐释了量子点在TiO_2光阳极表面的沉积与敏化方法,特别是双官能团辅助自组装吸附法;总结了针对提高电子注入效率和减少复合的量子点表面修饰方法;最后简要介绍了QDSCs的电解质和对电极的研究进展。

关键词：量子点敏化太阳能电池无机半导体量子点胶体量子点双官能团辅助自组装表面修饰

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难熔金属替代对烧结NdFeB磁体磁性及腐蚀行为的影响（英文）

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稀有金属材料与工程 2015年第10期44卷 2376-2380页

作者：周巧英陈仁杰刘壮郭帅闫阿儒李东中国科学院磁性材料与器件重点实验室、浙江省磁性材料及其应用技术重点实验室、中科院宁波材料技术与工程研究所浙江宁波315201

采用粉末冶金法制备了Nd24Fe65.5-xRMxB0.97Tb7.0Dy1.1Co1.0Al0.2Cu0.23(RM=Nb,Zr,Ti;x=0.2,0.4,0.6)高性能磁体。高温磁性能测试结果显示,温度低于200℃时,磁体剩磁温度系数(α)得到明显提高;Nb,Ti替代后磁体矫顽力温度系数(β)也得到了较好的改善。PCT实验结果显示,Nb替代后磁体质量损失只有0.07 mg/cm2,耐蚀性显著增强,而Ti替代后磁体的耐蚀性变差;对腐蚀后磁体表面EDX分析得到,当磁体中含有低于0.2%(质量分数)Zr或Ti时,它们将先于Dy被氧化。

关键词：钕铁硼难熔金属磁性能耐蚀性

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