检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学：物理学、力学、天文学 2023年第10期53卷 146-157页

作者：张仕雄唐宁孙真昊陈帅宇沈波北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测... 详细信息

GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测量对GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫和调控的研究进展.对GaN基半导体的精细能带结构、自旋轨道耦合、自旋弛豫机制及自旋调控等进行了讨论,总结了GaN基半导体自旋电子器件的研究现状并提出展望.

关键词： GaN基半导体自旋轨道耦合自旋弛豫

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飞秒激光直写玻璃基三维波导拓扑光子学结构(特邀)

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光学学报 2024年第17期44卷 197-213页

作者：王睿琦李础李焱北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 北京大学纳光电子前沿科学中心北京100871 合肥国家实验室安徽合肥230088

飞秒激光直写技术具有优异的三维直写能力,可以灵活精确地构造和调控复杂波导阵列的结构和参数,是制备拓扑光子元器件的重要手段。综述了利用飞秒激光直写技术在玻璃内部制备的各类光波导拓扑结构,包括打破和不打破时间反演对称性的周... 详细信息

飞秒激光直写技术具有优异的三维直写能力,可以灵活精确地构造和调控复杂波导阵列的结构和参数,是制备拓扑光子元器件的重要手段。综述了利用飞秒激光直写技术在玻璃内部制备的各类光波导拓扑结构,包括打破和不打破时间反演对称性的周期性晶格以及非厄米拓扑光波导系统,介绍了相应的研究进展,总结了面临的挑战,并提出了可能的解决方案。

关键词：飞秒激光直写时间反演对称性破缺周期晶格手性对称性周期晶格非厄米拓扑

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采用人工表面等离激元电极的慢光铌酸锂电光调制器

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光学学报 2023年第19期43卷 264-270页

作者：徐光耀马晓飞盛冲刘辉南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室人工微结构科学与技术协同中心江苏南京210093

高速率、低功耗的小型化电光调制器是现代电通信网络和微波光子系统的关键组成部分。基于人工表面等离激元的慢光效应,设计了一种利用金属光子晶体电极的马赫-曾德尔干涉仪电光调制器。通过在薄膜铌酸锂光子芯片上调控微波色散与群速度... 详细信息

高速率、低功耗的小型化电光调制器是现代电通信网络和微波光子系统的关键组成部分。基于人工表面等离激元的慢光效应,设计了一种利用金属光子晶体电极的马赫-曾德尔干涉仪电光调制器。通过在薄膜铌酸锂光子芯片上调控微波色散与群速度,实现了微波与光波之间更强的相互耦合作用。对电光重叠积分因子的分析表明,这种结构相较条形电极结构可以通过更短的传播长度得到相同的相移,实现高效的调制过程。同时,所提慢光效应结构也可以应用于其他集成化的电光器件。

关键词：光学器件电光调制器人工表面等离激元慢光效应薄膜铌酸锂

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声学二维彭罗斯准晶中的高阶拓扑态

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科学通报 2025年第12期70卷 1762-1771页

作者：陈昊谢建斓孙晓晨何程陈延峰南京大学材料科学与工程系固体微结构物理国家重点实验室南京210093 南京大学人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093 南京大学江苏省人工功能材料重点实验室南京210093

随着物质拓扑相的发现,声学超材料中的拓扑态也逐渐受到关注,可为声场的调控提供一种新的思路.通过设计、构建体的拓扑结构,可以在低一维的边界上得到鲁棒的边界态,其受对称性保护的特点有助于声信号的高效传输或局域.近期的研究发现高... 详细信息

随着物质拓扑相的发现,声学超材料中的拓扑态也逐渐受到关注,可为声场的调控提供一种新的思路.通过设计、构建体的拓扑结构,可以在低一维的边界上得到鲁棒的边界态,其受对称性保护的特点有助于声信号的高效传输或局域.近期的研究发现高阶拓扑相则可对应低两个,甚至更低维度的拓扑边界态,例如三维系统中的一维拓扑棱态和零维拓扑角态.目前,声学中的高阶拓扑态研究多聚焦于具有平移对称性的周期结构上.本文以彭罗斯准周期结构的二维声学散射体模型为依托,研究了不同旋转中心和边界下的高阶拓扑态,实现了打破平移对称性、受五重旋转对称性保护的零维角态.基于局域态密度理论计算了相应的电荷密度,分析了多类声局域态的拓扑性质,并通过实验验证了拓扑角态的存在.本工作为复杂结构声学新功能器件的设计提供了更多的可能性.

关键词：声学超材料二维准晶拓扑声学高阶拓扑

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OLED电子传输材料研究进展

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发光学报 2023年第1期44卷 26-36页

作者：唐振宇郭浩清肖静陈志坚肖立新北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 泰山学院物理与电子工程学院山东泰安271000

有机电致发光(OLED)是目前最有竞争力的显示技术,市场占有量逐年攀升。高效、稳定的OLED,特别是深蓝光器件,性能仍需提升,其关键问题是高性能的电子传输材料的研发。这是由于有机分子难以获得较高电子迁移率,器件中的复合区域通常靠近... 详细信息

有机电致发光(OLED)是目前最有竞争力的显示技术,市场占有量逐年攀升。高效、稳定的OLED,特别是深蓝光器件,性能仍需提升,其关键问题是高性能的电子传输材料的研发。这是由于有机分子难以获得较高电子迁移率,器件中的复合区域通常靠近电子传输层一侧,这就要求电子传输材料需要具有较高三线态能级来限域激子,尤其是高能量的蓝光激子。而高三线态(弱共轭)和高迁移率(强共轭)一直是有机分子设计中难以调和的矛盾,此外更宽的带隙也会导致较差的热稳定性,这些难题始终限制着OLED电子传输材料的发展。本文分类介绍了高性能的电子传输材料所需要具备的几点特性,包括热稳定性、光化学稳定性、电子迁移率、前线轨道能级和三重态能级等,并且综述了21世纪以来OLED小分子电子传输材料的重要研究进展,以期对未来开发理想的电子传输材料提供参考。

关键词：有机电致发光电子传输材料稳定性电子迁移率三重态能级

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光量子态的空域调控(特邀)

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光学学报 2024年第10期44卷 151-170页

作者：刘志峰黄双印陈超任志成汪喜林王慧田南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理学院江苏南京210093 人工微结构科学与技术协同创新中心江苏南京210093

从单光子的线性空域调控出发,依次阐述单光子空域编码与转换、双光子纠缠态的制备与测量、多光子的高维空域纠缠态的制备及其在量子信息中的应用。主要围绕多自由度操控和高维量子信息转换,从制备、编码、测量和应用等方面概述空域光量... 详细信息

从单光子的线性空域调控出发,依次阐述单光子空域编码与转换、双光子纠缠态的制备与测量、多光子的高维空域纠缠态的制备及其在量子信息中的应用。主要围绕多自由度操控和高维量子信息转换,从制备、编码、测量和应用等方面概述空域光量子态的研究进展。同时探讨了一些关键问题的可能解决方案。

关键词：量子光学量子信息量子纠缠高维量子纠缠多自由度纠缠

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转化PbI_(2)相制备超高效率钙钛矿电池

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科学通报 2022年第30期67卷 3500-3502页

作者：劳怡楠陈志坚北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

有机-无机杂化钙钛矿材料具有较高的光吸收系数、合适可调的带隙、较低的激子束缚能、较高的载流子迁移率和较长的扩散长度等优异的光电性质,因此在太阳能电池、光电探测器、发光二极管、激光器等光电器件领域具有重要潜在应用,已被广... 详细信息

有机-无机杂化钙钛矿材料具有较高的光吸收系数、合适可调的带隙、较低的激子束缚能、较高的载流子迁移率和较长的扩散长度等优异的光电性质,因此在太阳能电池、光电探测器、发光二极管、激光器等光电器件领域具有重要潜在应用,已被广泛地研究报道.

关键词：太阳能电池发光二极管载流子迁移率光吸收系数钙钛矿材料扩散长度超高效率光电探测器

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强XUV光下原子分子电离过程的研究进展(特邀)

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光学学报 2024年第17期44卷 2-19页

作者：刘光殷姜维超彭良友深圳大学物理与光电工程学院量子精密测量研究所广东深圳518060 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

随着近年来自由电子激光技术的发展,强极紫外(XUV)激光脉冲作用下的原子分子电离过程逐渐成为强场物理领域的研究热点之一。强XUV光下的电离过程中存在很多新奇,甚至反直觉的非微扰效应。主要介绍近年来在XUV光下的原子稳定化、Autler-T... 详细信息

随着近年来自由电子激光技术的发展,强极紫外(XUV)激光脉冲作用下的原子分子电离过程逐渐成为强场物理领域的研究热点之一。强XUV光下的电离过程中存在很多新奇,甚至反直觉的非微扰效应。主要介绍近年来在XUV光下的原子稳定化、Autler-Townes(AT)分裂和动态干涉上的研究进展。主要涉及原子稳定化出现的机制及探测方法,原子稳定化区域光电子角分布的变化,拉比振荡与AT分裂的联系,AT分裂的峰间距、相对峰高、双峰之间的次峰结构,阈上和阈下电离过程中动态干涉出现的条件,单电离与双电离能谱中的动态干涉构型,动态干涉与原子稳定化的联系,动态干涉与AT分裂之间的联系,以及非偶极修正与电子关联的影响等。

关键词：超快光学强场电离原子稳定化 Autler-Townes分裂动态干涉

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AlGaN基深紫外LED电子阻挡层的智能优化设计

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物理学报 2023年第4期72卷 293-302页

作者：冯丽雅路慧敏朱一帆陈毅勇于彤军王建萍北京科技大学计算机与通信工程学院北京100083 北京大学物理学院人工微结构物理和介观物理国家重点实验室北京100081

为了提高AlGaN基深紫外发光二极管(light emitting diode,LED)的内量子效率(internal quantum efficiency,IQE),本文采用了基于InAlGaN/AlGaN超晶格的电子阻挡层(electron blocking layer,EBL)结构,结果表明与传统的单层和双层电子阻挡层结构相比,超晶格EBL结构能够有效提高LED的内量子效率.在此基础上,本文提出了基于JAYA智能算法的LED结构优化方法,应用该方法以最大化内量子效率为目标,对InAlGaN/AlGaN超晶格EBL结构进行优化设计.结果表明,采用优化超晶格EBL结构后电子泄露和空穴注入问题都有所改善,在200 mA电流注入时深紫外LED的内量子效率比采用单层结构EBL提高了41.2%.

关键词：深紫外LED 内量子效率智能优化算法电子泄漏

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界面SiOx层对BiFeO3/Si异质结电学性能的影响

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硅酸盐学报 2025年

作者：肖泽宇雷林刘琳胡雪莉黄凤珍吕笑梅南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室人工微结构科学与技术协同创新中心

构建铁电/半导体异质结构是现代多功能电子器件的重要发展方向。利用溶胶-凝胶方法在不同温度预处理后的n-Si衬底上制备了BiFeO3薄膜。结果表明，衬底预处理使得样品电滞回线细化变形，同时光电流变弱。结合介电–温度谱以及截面高分辨... 详细信息

构建铁电/半导体异质结构是现代多功能电子器件的重要发展方向。利用溶胶-凝胶方法在不同温度预处理后的n-Si衬底上制备了BiFeO3薄膜。结果表明，衬底预处理使得样品电滞回线细化变形，同时光电流变弱。结合介电–温度谱以及截面高分辨透射电子显微镜等分析表明，衬底预处理后，n-Si表面的SiOx层厚度增加，削弱了BFO与n-Si之间的pn结界面接触势垒以及相应的分压，有利于BFO的极化开关。势垒的降低伴随着界面内建电场的减小，对光生载流子分离运动的驱动力减弱。通过揭示不同SiOx厚度对铁电/半导体异质结界面及电荷迁移的影响，可为基于Si衬底的铁电集成器件的设计提供重要参考。

关键词：铁电/半导体异质结铁酸铋薄膜硅衬底氧化硅电荷迁移

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