检索结果-内蒙古大学图书馆

无机材料学报 2011年第10期26卷 1111-1115页

作者：杨天天许鹏程左国民李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

使用了一种在自组装单分子层(SAM)模板衬底上由电化学氧化还原自发生长的方法,择优取向生长氧化亚铜(Cu2O)微晶.通过扫描电子显微镜和微区XRD等方法对合成的Cu2O晶体进行了形貌和结构表征.结果表明:合成的样品为立方结构的Cu2O晶体,且... 详细信息

使用了一种在自组装单分子层(SAM)模板衬底上由电化学氧化还原自发生长的方法,择优取向生长氧化亚铜(Cu2O)微晶.通过扫描电子显微镜和微区XRD等方法对合成的Cu2O晶体进行了形貌和结构表征.结果表明:合成的样品为立方结构的Cu2O晶体,且形貌、取向和颗粒尺寸得到了有效控制,此结果可归结为SAMs对电化学氧化还原过程的影响和结晶过程中的模板效应.利用该方法,将Cu2O晶体生长于静态式微悬臂梁的表面作为敏感层,制得了一种新型的化学传感器.基于Cu2O晶体表面的Cu(I)与DMMP(甲基膦酸二甲酯,沙林模拟剂)分子中的膦酰基团之间存在的配位作用,该传感器可对几十ppb的DMMP重复响应.

关键词：氧化亚铜择优取向电化学氧化还原自组装单分子层气体传感器

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高质量大面积石墨烯的化学气相沉积制备方法研究

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物理学报 2012年第3期61卷 510-516页

作者：王文荣。周玉修李铁王跃林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.... 详细信息

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.研究发现:高温度、稀薄的甲烷浓度、较短的生长时间以及合适的气体流速是制备高质量、大面积石墨烯的关键.Raman光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等表征结果表明:制备的石墨烯主要为单层,仅铜箔晶界处有少量多层石墨烯.电学测试表明CVD制备的石墨烯在低温时呈现出较明显的类半导体特性;薄膜电阻随外界磁场的增大而减小.

关键词：石墨烯化学气相沉积 Raman光谱电学性能

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垂直梳齿驱动的大尺寸MOEMS扫描镜

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光学精密工程 2013年第2期21卷 400-407页

作者：刘英明徐静钟少龙翟雷应吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100039

提出了一种采用垂直梳齿驱动器驱动的大尺寸、大扭转角度、低驱动电压微光机电系统(MOEMS)扫描镜。理论分析了垂直梳齿驱动器的工作原理,研究了垂直梳齿的制作工艺,采用体硅加工工艺结合硅-硅键合工艺制作了垂直梳齿驱动的MOEMS扫描镜... 详细信息

提出了一种采用垂直梳齿驱动器驱动的大尺寸、大扭转角度、低驱动电压微光机电系统(MOEMS)扫描镜。理论分析了垂直梳齿驱动器的工作原理,研究了垂直梳齿的制作工艺,采用体硅加工工艺结合硅-硅键合工艺制作了垂直梳齿驱动的MOEMS扫描镜。制作的扫描镜镜面尺寸为3mm×2mm,谐振频率为1.32kHz。测试表明,该扫描镜镜面具有很好的光学表面,其表面粗糙度的均方根只有8.64nm;扫描镜在驱动电压为95V时可以实现最大2.4°的扭转角度;测得其开启时的响应时间为1.887ms,关断时的响应时间为4.418ms。

关键词：微光机电系统(MOEMS) 扫描微镜垂直梳齿驱动器体硅工艺

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多台阶平板静电驱动的高占空比微镜阵列的研制

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光学精密工程 2011年第8期19卷 1816-1823页

作者：李四华徐静龙亮钟少龙吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

为了在限定驱动电压下获得大镜面尺寸、大扭转角度的微镜阵列,提出了一种多台阶平板静电驱动结构的微镜阵列。理论分析了多台阶平板结构与平行平板结构在静电驱动时的区别。研究了多台阶平板结构的制作工艺并采用体硅加工工艺制作了多... 详细信息

为了在限定驱动电压下获得大镜面尺寸、大扭转角度的微镜阵列,提出了一种多台阶平板静电驱动结构的微镜阵列。理论分析了多台阶平板结构与平行平板结构在静电驱动时的区别。研究了多台阶平板结构的制作工艺并采用体硅加工工艺制作了多台阶平板静电驱动的微镜阵列,获得了微镜面尺寸达到600μm×200μm,包含52个微镜面排布,占空比高达97%的微镜阵列。测试表明,制作的微镜面结构在驱动电压为164 V时可以实现最大1.1°的扭转角度,相对于传统的平行平板静电驱动结构大大降低了驱动电压。

关键词：微光机电系统多台阶平板平行平板静电驱动微镜阵列高占空比

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无交叠垂直梳齿平动微镜的驱动特性

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光学精密工程 2012年第8期20卷 1772-1781页

作者：翟雷应徐静钟少龙吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

为了设计用于光相位调制器平动微镜的无交叠梳齿驱动器,建立了保角变换数学模型,研究了驱动器的驱动特性。从复变函数理论出发,建立了驱动器的保角变换静电场解析模型;以动齿受力为研究对象,根据不同情形下的动齿受力特点,求解了一定区... 详细信息

为了设计用于光相位调制器平动微镜的无交叠梳齿驱动器,建立了保角变换数学模型,研究了驱动器的驱动特性。从复变函数理论出发,建立了驱动器的保角变换静电场解析模型;以动齿受力为研究对象,根据不同情形下的动齿受力特点,求解了一定区间内动齿的静电力并与有限元模拟计算结果进行了对比分析。采用微机电系统(MEMS)工艺制作出了无交叠梳齿驱动器,搭建了Michelson干涉仪光学测试系统,测试了无交叠梳齿驱动器的静态驱动特性。实验结果表明,所制作的无交叠梳齿驱动器在28V偏压下机械位移可达325nm,相位差为2π;在90V的偏压下能够获得2.07μm静态位移。测试结果与保角变换及有限元模型分析结果一致,验证了所建数学模型的正确性,为无交叠梳齿驱动器的设计提供了理论与实验基础。

关键词：微机电系统(MEMS) 光相位调制器无交叠垂直梳齿驱动器平动微镜保角变换法静电驱动

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低电压驱动的MEMS F-P可调光学滤波器研究

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光电子．激光 2011年第7期22卷 965-971页

作者：翟雷应徐静李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

基于微机电系统(MEMS)技术,研制了一种新颖的光学腔与静电驱动器分离的Fabry-Pérot(F-P)可调谐滤波器。从光学设计、MEMS结构设计、制造工艺与器件测试等开展了F-P可调谐滤波器的研究,成功制备了工作在以1550 nm波长为中心、调谐... 详细信息

基于微机电系统(MEMS)技术,研制了一种新颖的光学腔与静电驱动器分离的Fabry-Pérot(F-P)可调谐滤波器。从光学设计、MEMS结构设计、制造工艺与器件测试等开展了F-P可调谐滤波器的研究,成功制备了工作在以1550 nm波长为中心、调谐范围为40 nm和驱动电压低于30 V的MEMS F-P可调滤波器。测试结果表明,其3 dB带宽为0.5 nm,单模光纤准直器封装的插入损耗低于8 dB,为研制实用的F-P可调滤波器奠定了良好的实验基础。

关键词：微机电系统(MEMS) Fabry-Pérot(F-P)腔可调光滤波器静电驱动

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一种采用嵌套斩波技术的Σ-Δ调制器的设计

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传感技术学报 2013年第6期26卷 845-850页

作者：胡斌徐德辉熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家重点实验室上海200050

针对MEMS传感器输出电压小并且频率低的特点,设计了一种低噪声嵌套斩波Σ-Δ调制器。该调制器采用单环积分器级联前馈(CIFF)结构与嵌套斩波技术结合,降低了传感器接口电路的低频噪声,并减小了CMOS电路中斩波开关引入的残余失调电压。仿... 详细信息

针对MEMS传感器输出电压小并且频率低的特点,设计了一种低噪声嵌套斩波Σ-Δ调制器。该调制器采用单环积分器级联前馈(CIFF)结构与嵌套斩波技术结合,降低了传感器接口电路的低频噪声,并减小了CMOS电路中斩波开关引入的残余失调电压。仿真结果表明,提出的嵌套调制器可以有效抑制低频噪声。采用嵌套斩波Σ-Δ调制设计,在100 Hz信号带宽内,调制器最高信噪比达到109 dB,即17.8 bits的有效位数,满足了MEMS传感器低频微弱信号检测的要求。

关键词： MEMS传感器信号处理嵌套斩波 Σ-Δ调制器微弱信号

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基于MEMS微镜的可调光学衰减器

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光电子．激光 2012年第12期23卷 2287-2291页

作者：刘英明徐静钟少龙翟雷应吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

设计并制作了一种基于微光机电系统(MEMS)微镜的可调光衰减器(VOA)。其中微镜的谐振频率为11.26kHz,采用垂直梳齿驱动器驱动。微镜采用体硅微加工工艺在绝缘体上硅(SOI)片上制作。采用制作的微镜和双光纤准直器装配成VOA,衰减器在扭转... 详细信息

设计并制作了一种基于微光机电系统(MEMS)微镜的可调光衰减器(VOA)。其中微镜的谐振频率为11.26kHz,采用垂直梳齿驱动器驱动。微镜采用体硅微加工工艺在绝缘体上硅(SOI)片上制作。采用制作的微镜和双光纤准直器装配成VOA,衰减器在扭转角度为0.3°时驱动电压只有4.4V,开启和关断时的响应时间分别为1.67ms和2.74ms,插入损耗为0.6dB,最大衰减值为40dB。

关键词：可调光衰减器(VOA) 微光机电系统(MEMS) 微镜垂直梳齿驱动器

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用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2203-2206页

作者：姚镭郝跃国李铁熊斌王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试... 详细信息

实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试结果证实了此电路的工作原理.整个斩波放大系统的增益为84.9dB,带宽160Hz,等效输入噪声87nV/rtHz.

关键词： CMOS接口电路单片集成MEMS 斩波技术红外传感器

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数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进（英文）

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红外与毫米波学报 2019年第3期38卷 275-280页

作者：师艳辉杨楠楠马英杰顾溢陈星佑龚谦张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As... 详细信息

研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.

关键词：数字递变异变缓冲 InGaAs 光电探测器

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