检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 2023年第8期60卷 1288-1294页

作者：殷智伟张学林姚镭于海涛李昕欣上海大学微电子学院上海201800 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

传统透射电子显微镜(TEM)以电磁场为透镜,通常情况下磁性材料不能直接在TEM下进行观测,一般使用以碳为支撑膜的双联铜网作为样品载网,但仍然有一定的破损概率。设计并实现了一种新型的基于微电子机械系统(MEMS)芯片的磁性材料TEM表征技... 详细信息

传统透射电子显微镜(TEM)以电磁场为透镜,通常情况下磁性材料不能直接在TEM下进行观测,一般使用以碳为支撑膜的双联铜网作为样品载网,但仍然有一定的破损概率。设计并实现了一种新型的基于微电子机械系统(MEMS)芯片的磁性材料TEM表征技术。该技术通过磁性TEM芯片和配套的样品杆,在TEM内形成一个密闭空间。将磁性样品上载到磁性TEM芯片上,从而实现在TEM下对磁性样品的安全观测。该芯片的核心结构是可以透射电子束的超薄氮化硅窗口,该窗口采用低压化学气相沉积(LPCVD)法制备,具有极高的机械强度,最高可以承受接近400 kPa的气压差。实验结果表明,利用该TEM表征技术可以在TEM下成功观测铁包硅和NiO两种磁性材料,分辨率可以达到原子级。

关键词：微电子机械系统(MEMS) 透射电子显微镜(TEM) 磁性TEM芯片磁性材料氮化硅薄膜

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InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

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红外与激光工程 2009年第1期38卷 14-18页

作者：龚海梅张可锋唐恒敬李雪张永刚缪国庆宋航方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 详细信息

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。

关键词：短波近红外 InGaAs 焦平面组件读出电路

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压阻掺杂浓度对高g_n加速度计动态性能影响

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传感器与微系统 2008年第12期27卷 17-20,23页

作者：杨尊先李昕欣于映林丽华陈国南福州大学食品安全分析与检测教育部重点实验室福建福州350002 福州大学电子科学与技术系福建福州350108 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明：器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果，且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时，悬臂梁固有振动明显，... 详细信息

采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明：器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果，且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时，悬臂梁固有振动明显，并且，器件动态冲击响应峰值电压随着压阻掺杂浓度升高而降低；当r在20℃附近，峰值电压随掺杂浓度变化不明显；当T〉20℃时，随着温度升高，悬臂梁固有振动频率渐受压制，传感器动态冲击响应渐表现为受加速度冲击受迫振动，且峰值电压随掺杂浓度提高而增大。在1×10”～1×10^21cm^-3。范围内，在0，20，100℃时，峰值电压差值分别为2，0，9mV。

关键词：高gn加速度计压阻掺杂浓度耦合振动动态冲击特性

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一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装

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半导体技术 2017年第8期42卷 636-640页

作者：梁得峰盖蔚徐高卫罗乐上海大学索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200000

提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICP... 详细信息

提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性。对锥形TSV刻蚀参数进行了优化。最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装。电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω。

关键词：硅通孔(TSV) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀电镀镍圆片级封装

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基于静电力的微液滴驱动芯片

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 116-118,121页

作者：刘翔高安然李铁周萍王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

为了精确操控微流体,设计并制作了一种基于静电力的微液滴驱动芯片。介绍了驱动原理和工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。芯片采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,以硅作衬底,氧化硅和多晶硅作绝缘层,重掺杂多晶硅为驱动电极阵列... 详细信息

为了精确操控微流体,设计并制作了一种基于静电力的微液滴驱动芯片。介绍了驱动原理和工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。芯片采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,以硅作衬底,氧化硅和多晶硅作绝缘层,重掺杂多晶硅为驱动电极阵列,高质量Si3N4作介质层,碳氟聚合物为疏水层。实验表明:微液滴可在芯片上按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最小驱动电压为15V,最大运动速度达96mm/s。芯片制作工艺简单,操作方便,可应用于生化分析芯片实验室系统。

关键词：微流控液滴静电驱动共平面电极

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肝脏疾病的体外细胞模型研究进展

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生物医学工程学杂志 2021年第1期38卷 178-184页

作者：刘婷葛玉卿袁敏熊巧(综述) 赵建龙(审校) 上海理工大学医疗器械与食品学院上海200093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 海军军医大学附属长海医院泌尿外科上海200433

不健康的饮食、作息和滥用药物会引起多种肝脏疾病,包括脂肪性肝炎、肝纤维化、肝硬化和肝癌等,严重影响人体健康。构筑体外细胞模型在研究肝病及其药物开发中具有重要意义。目前,国内外研究者已经开发出多种体外肝脏疾病模型。本文概... 详细信息

不健康的饮食、作息和滥用药物会引起多种肝脏疾病,包括脂肪性肝炎、肝纤维化、肝硬化和肝癌等,严重影响人体健康。构筑体外细胞模型在研究肝病及其药物开发中具有重要意义。目前,国内外研究者已经开发出多种体外肝脏疾病模型。本文概括了体外肝脏病理模型构建的常用策略,并从原料、方法、指标等方面介绍了四种典型肝病相关的体外细胞模型,期望可为肝病模型相关研究人员提供参考。

关键词：肝脏疾病体外模型微环境肝功能标志蛋白

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灵敏度可调的光学读出非制冷热像元设计

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激光与红外 2015年第2期45卷 158-162页

作者：周玉修程融刘坚强曾玮孙光厚李铁九江学院理学院江西九江332005 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

设计了一种可见光反射型光学读出非制冷热像元结构。理论分析表明热像元的热-机械灵敏度达到0.043deg·K-1,在热像元面积比已有报道减小75%的情况下,热-机械灵敏度反而提高至少79%。通过改变弯折梁底层金膜的面积来调节热像元的灵敏... 详细信息

设计了一种可见光反射型光学读出非制冷热像元结构。理论分析表明热像元的热-机械灵敏度达到0.043deg·K-1,在热像元面积比已有报道减小75%的情况下,热-机械灵敏度反而提高至少79%。通过改变弯折梁底层金膜的面积来调节热像元的灵敏度,使其可在2.36×10-6rad·m2·W-1和9.21×10-6rad·m2·W-1之间变化。ANSYS仿真结果和理论结果吻合较好,验证了设计的正确性。

关键词：成像系统非制冷红外热像元光学读出灵敏度响应时间

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基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

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传感器与微系统 2008年第12期27卷 118-120页

作者：陆荣陆松涛杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝... 详细信息

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘,由约4μm厚的金电极支撑,厚度约为235 nm的亚微米梁结构,具有制作简单、成品率高、成本低等特点,应用前景广阔。

关键词：亚微米梁自停止腐蚀电化学腐蚀原电池

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基于体硅工艺的GLV光学调制器的研制

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光通信技术 2012年第4期36卷 22-24页

作者：刘英明徐静李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰... 详细信息

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰峰值为50mv,响应时间为10μs的调制后波形。

关键词：体硅工艺光栅光阀光学调制器绝缘体上硅消光比

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基于PID反馈的高Q值加速度计闭环检测电路

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 101-103,106页

作者：孙腾车录锋黎晓林吴健中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

高Q值加速度计由于能够很好地降低热机械布朗噪声,被广泛应用于高精度低噪声检测领域,相应的闭环接口电路却成为其应用的困难之一。通过分析传感器的器件结构和动态响应,提出了一种基于PID反馈的闭环检测电路来克服传感器因高Q值造成的... 详细信息

高Q值加速度计由于能够很好地降低热机械布朗噪声,被广泛应用于高精度低噪声检测领域,相应的闭环接口电路却成为其应用的困难之一。通过分析传感器的器件结构和动态响应,提出了一种基于PID反馈的闭环检测电路来克服传感器因高Q值造成的不利影响,改善系统的频率特性和动态响应。根据设计原理设计和测试了基于PCB板级的闭环检测电路。电路的测试结果表明:该电路有效拓宽了可应用频带,增加了系统的线性度,并提高了系统的动态响应时间。

关键词：高Q值加速度计 PID反馈闭环检测

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