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作者

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语言

  • 37 篇 中文
检索条件"机构=低维半导体材料与器件北京市重点实验室"
37 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制
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发光学报 2014年 第7期35卷 761-766页
作者: 毛德丰 金鹏 李维 刘贵鹏 王维颖 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制... 详细信息
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大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管
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发光学报 2016年 第6期37卷 706-710页
作者: 王飞飞 李新坤 梁德春 金鹏 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083 北京航天控制仪器研究所 北京100039
为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法... 详细信息
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通信波段半导体分布反馈激光器
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中国激光 2020年 第7期47卷 3-21页
作者: 陆丹 杨秋露 王皓 贺一鸣 齐合飞 王欢 赵玲娟 王圩 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
半导体分布反馈(DFB)激光器以其卓越的光谱特性、调制特性以及低成本、可量产优势已经成为光纤通信、空间光通信中的重要光源,并将在5G、数据中心、激光雷达以及微波光子学等应用中发挥不可替代的作用。针对通信波段半导体DFB激光器的... 详细信息
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集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器
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中国激光 2023年 第10期50卷 27-33页
作者: 朱旭愿 剌晓波 郭竟 李振宇 赵玲娟 王圩 梁松 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大... 详细信息
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表面光栅垂直腔面发射激光器偏振特性研究
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红外与激光工程 2022年 第5期51卷 185-190页
作者: 李明 李耀斌 邱平平 颜伟年 贾瑞雯 阚强 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
研究了表面光栅结构对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制作用。引入表面光栅后,对不同刻蚀深度下的偏振相关的镜面损耗进行了仿真,结果表明表面光栅刻蚀深度在44~130 nm范围内均可实现稳定偏振,具有较大的工艺容差。表面光栅VCSEL在... 详细信息
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1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列
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光学学报 2019年 第9期39卷 224-228页
作者: 王皓 张瑞康 陆丹 王宝军 黄永光 王圩 赵玲娟 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049
提出一种基于AlGaInAs材料的1.55-μm波段的大功率、高速直调分布反馈(DFB)激光器阵列。采用具有良好温度特性和高微分增益的AlGaInAs材料作为量子阱和波导层以实现大功率与高带宽的输出;引入稀释波导结构来减小有源区内部损耗,同时降... 详细信息
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半导体激光器速率方程的参数提取(特邀)
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光子学报 2022年 第2期51卷 72-79页
作者: 王建坤 黄永光 刘祎慧 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激... 详细信息
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1.5-μm波段25-GHz重频亚皮秒脉冲输出半导体锁模激光器(特邀)
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光子学报 2022年 第2期51卷 110-115页
作者: 刘宇翔 张瑞康 王欢 陆丹 赵玲娟 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从... 详细信息
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隧道结级联量子阱锁模激光器
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光学学报 2017年 第3期37卷 243-249页
作者: 刘震 王嘉琪 于红艳 周旭亮 陈娓兮 丁颖 李召松 王圩 潘教青 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 格拉斯哥大学物理学院
采用两段式被动锁模激光器结构,利用隧道结级联两组量子阱有源区,实现了一种工作在近红外波段的单片集成大功率量子阱被动锁模激光器。对该锁模激光器的锁模特性进行了表征,测试得到该锁锁模激光器工作中心波长为1038nm,激光脉冲重复频... 详细信息
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氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器
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激光与光电子学进展 2023年 第15期60卷 223-230页
作者: 颜伟年 王秋华 周亨杰 邱平平 赵玲娟 阚强 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为... 详细信息
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