检索结果-内蒙古大学图书馆

集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器

中国激光 2023年第10期50卷 27-33页

作者：朱旭愿剌晓波郭竟李振宇赵玲娟王圩梁松中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大... 详细信息

研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大于29 GHz。在速率为25 Gbit/s的非归零(NRZ)码数据调制下,光信号经10 km长的单模光纤传输后获得10-10误码率的功率代价在室温及80℃下均小于1 dB。激光器的有源区长度较大,有利于提高发光效率并且有助于减小电流热效应的不利影响。所研制的高速直接调制激光器是大容量短距光纤通信系统的理想光源,具有广阔的应用前景。

关键词：激光器半导体激光器高速直接调制 InGaAlAs/InP量子阱 1.3μm波段

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器

引用

激光与光电子学进展 2023年第15期60卷 223-230页

作者：颜伟年王秋华周亨杰邱平平赵玲娟阚强中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为... 详细信息

为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为量子阱,并开展了增益-腔模失配设计。在设计优化的基础上,制备了6种氧化孔径的940 nm VCSEL,对其光电输出特性进行测试。结果表明:氧化孔径为4μm的VCSEL,室温下斜率效率为0.93 W/A,最大功率转换效率为40.1%;氧化孔径为7μm的VCSEL,室温下最大输出功率为12.24 mW;氧化孔径为2μm的VCSEL,室温下最大基横模功率为2.67 mW。该器件在2 mA连续驱动电流下,在10~80℃的范围内均可实现边模抑制比大于45 dB的基横模输出。

关键词：激光器垂直腔面发射激光器氧化限制结构基横模孔径

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

表面光栅垂直腔面发射激光器偏振特性研究

引用

红外与激光工程 2022年第5期51卷 185-190页

作者：李明李耀斌邱平平颜伟年贾瑞雯阚强中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

研究了表面光栅结构对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制作用。引入表面光栅后,对不同刻蚀深度下的偏振相关的镜面损耗进行了仿真,结果表明表面光栅刻蚀深度在44~130 nm范围内均可实现稳定偏振,具有较大的工艺容差。表面光栅VCSEL在... 详细信息

研究了表面光栅结构对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制作用。引入表面光栅后,对不同刻蚀深度下的偏振相关的镜面损耗进行了仿真,结果表明表面光栅刻蚀深度在44~130 nm范围内均可实现稳定偏振,具有较大的工艺容差。表面光栅VCSEL在基横模工作状态下偏振抑制比(Orthogonal Polarization Suppression Ratio, OPSR)超过20 dB,偏振光谱峰间偏振抑制比达到40 dB,且在多横模状态也实现了有效的偏振控制。为了进一步验证光栅对偏振控制的效果,制作了方向互相垂直的两种表面光栅,具有这两种方向光栅的VCSEL的OPSR均达20 dB以上。测试分析表明表面光栅是VCSEL实现稳定偏振的一种有效手段。

关键词：垂直腔面发射激光器表面光栅偏振控制偏振抑制比

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体激光器速率方程的参数提取(特邀)

引用

光子学报 2022年第2期51卷 72-79页

作者：王建坤黄永光刘祎慧中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激... 详细信息

重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激光器的光功率-电流(P-I)响应曲线,即可计算出半导体激光器速率方程的各个参数。对比之前的参数提取近似计算方法,本方法适用的激光器驱动电流范围更宽,大电流下谐振频率fr等参数的提取更精确,对宽工作电流工作的激光器如模拟激光器等的优化改进有借鉴意义。

关键词：光纤通信分布反馈激光器半导体激光器速率方程参数提取谐振频率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1.5-μm波段25-GHz重频亚皮秒脉冲输出半导体锁模激光器(特邀)

引用

光子学报 2022年第2期51卷 110-115页

作者：刘宇翔张瑞康王欢陆丹赵玲娟中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从... 详细信息

针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从而降低有源区色散对脉冲的影响并提升脉冲峰值功率,最终在1.5μm波段实现了重复频率24.3 GHz、脉冲宽度680 fs的亚皮秒光脉冲输出,脉冲光谱宽度为7.2 nm,脉冲峰值能量为525 mW。

关键词：半导体激光器锁模激光器单片集成超短脉冲稀释波导

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaSb单晶研究进展

引用

人工晶体学报 2024年第1期53卷 1-11页

作者：刘京明杨俊赵有文杨成奥蒋洞微牛智川中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083 光电子材料与器件重点实验室(中国科学院) 北京100083 中国科学院大学北京100049 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片... 详细信息

近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能,这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述,并对其发展前景和趋势进行了展望。

关键词：锑化镓化合物半导体锑化物晶体红外光电器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备

引用

红外与毫米波学报 2022年第2期41卷 420-424页

作者：刘丽杰赵有文黄勇赵宇王俊王应利沈桂英谢辉中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京市低维半导体材料与器件重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州215123

采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧... 详细信息

采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化。湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca,它们的浓度随溶液组合的变化而变化。金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒。提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法,可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面,此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延。

关键词：砷化铟衬底表面清洗全反射X射线荧光光谱 X射线光电子能谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究

引用

半导体光电 2024年第1期45卷 101-104页

作者：刘京明赵有文张成龙卢伟杨俊沈桂英中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083 中国科学院大学北京100049 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97%以下;当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态... 详细信息

用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97%以下;当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态,配比度达到99%以上。对多晶样品进行了霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,合成的高配比度磷化铟多晶载流子浓度在8×10^(15)cm^(-3)以下,迁移率在3900 cm~2·V^(-1)·s^(-1)以上,纯度达到99.99999%以上。多晶中的杂质主要有Si,S,Fe,Cu,Zn,As等,分析了杂质的来源及其对材料性能的影响。

关键词：磷化铟多晶水平温度梯度凝固杂质纯度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究

引用

半导体光电 2022年第5期43卷 909-913页

作者：汪久龙赵思齐李云凯闫果果申占伟赵万顺王雷关敏刘兴昉孙国胜曾一平中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083

采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长,生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究,并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明,无偏角4H-SiC外延层中的3C... 详细信息

采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长,生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究,并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明,无偏角4H-SiC外延层中的3C-SiC多型体夹杂与生长室温场分布密切相关。实验数据验证了仿真结果,两者的温度分布具有高度一致性,这也证明了仿真数据的有效性。

关键词：碳化硅无偏角衬底同质外延温度场

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性

引用

人工晶体学报 2022年第6期51卷 1003-1011页

作者：冯银红沈桂英赵有文刘京明杨俊谢辉何建军王国伟中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学北京100049 如皋市化合物半导体产业研究所如皋226500 江苏秦烯新材料有限公司如皋226500 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤... 详细信息

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层。利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能。在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析。

关键词： GaSb 衬底液封直拉法晶格完整性位错腐蚀坑密度倒易空间图亚表面损伤化合物半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：