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作者

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语言

  • 37 篇 中文
检索条件"机构=低维半导体材料与器件北京市重点实验室"
37 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器
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中国激光 2023年 第10期50卷 27-33页
作者: 朱旭愿 剌晓波 郭竟 李振宇 赵玲娟 王圩 梁松 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大... 详细信息
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氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器
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激光与光电子学进展 2023年 第15期60卷 223-230页
作者: 颜伟年 王秋华 周亨杰 邱平平 赵玲娟 阚强 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为... 详细信息
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表面光栅垂直腔面发射激光器偏振特性研究
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红外与激光工程 2022年 第5期51卷 185-190页
作者: 李明 李耀斌 邱平平 颜伟年 贾瑞雯 阚强 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
研究了表面光栅结构对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制作用。引入表面光栅后,对不同刻蚀深度下的偏振相关的镜面损耗进行了仿真,结果表明表面光栅刻蚀深度在44~130 nm范围内均可实现稳定偏振,具有较大的工艺容差。表面光栅VCSEL在... 详细信息
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半导体激光器速率方程的参数提取(特邀)
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光子学报 2022年 第2期51卷 72-79页
作者: 王建坤 黄永光 刘祎慧 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
重新评估了常见半导体激光器参数提取方法中近似条件的适用性,提出更加通用的方程进行半导体激光器速率方程的参数提取。以分布式反馈激光器芯片为例,利用小信号频率响应曲线(S21)准确提取了半导体激光器谐振频率fr与阻尼因子γ,结合激... 详细信息
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1.5-μm波段25-GHz重频亚皮秒脉冲输出半导体锁模激光器(特邀)
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光子学报 2022年 第2期51卷 110-115页
作者: 刘宇翔 张瑞康 王欢 陆丹 赵玲娟 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从... 详细信息
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GaSb单晶研究进展
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人工晶体学报 2024年 第1期53卷 1-11页
作者: 刘京明 杨俊 赵有文 杨成奥 蒋洞微 牛智川 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083 光电子材料与器件重点实验室(中国科学院) 北京100083 中国科学院大学 北京100049 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049
近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片... 详细信息
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面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
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红外与毫米波学报 2022年 第2期41卷 420-424页
作者: 刘丽杰 赵有文 黄勇 赵宇 王俊 王应利 沈桂英 谢辉 中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京市低维半导体材料与器件重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室 江苏苏州215123
采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧... 详细信息
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高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究
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半导体光电 2024年 第1期45卷 101-104页
作者: 刘京明 赵有文 张成龙 卢伟 杨俊 沈桂英 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083 中国科学院大学 北京100049 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049
用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97%以下;当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态... 详细信息
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无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究
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半导体光电 2022年 第5期43卷 909-913页
作者: 汪久龙 赵思齐 李云凯 闫果果 申占伟 赵万顺 王雷 关敏 刘兴昉 孙国胜 曾一平 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长,生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究,并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明,无偏角4H-SiC外延层中的3C... 详细信息
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无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性
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人工晶体学报 2022年 第6期51卷 1003-1011页
作者: 冯银红 沈桂英 赵有文 刘京明 杨俊 谢辉 何建军 王国伟 中国科学院半导体研究所 低维半导体材料与器件北京市重点实验室中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 中国科学院大学 北京100049 如皋市化合物半导体产业研究所 如皋226500 江苏秦烯新材料有限公司 如皋226500 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室北京100083
采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤... 详细信息
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