检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 304-308页

作者：劳燕锋吴惠桢黄占超刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度... 详细信息

采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.

关键词：晶片直接键合界面缺陷反射光谱

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InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 182-185页

作者：齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在A... 详细信息

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

关键词： InP InGaP GaAs GSMBE HBT

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p型GaAs的远红外波段光学特性

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光学学报 2006年第2期26卷 221-224页

作者：刘成吴惠桢劳燕锋李爱珍任重桥沈文忠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海交通大学物理系上海200030

砷化镓（GaAs）是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一，为了获得P型Ga觚材料在远红外波段的光学特性，采用气态源分子束外延（GSMBE）技术在半绝缘GaAs（100）衬底上生长了掺Be的P型GaAs薄膜材料，其载流子浓度从1．54×... 详细信息

砷化镓（GaAs）是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一，为了获得P型Ga觚材料在远红外波段的光学特性，采用气态源分子束外延（GSMBE）技术在半绝缘GaAs（100）衬底上生长了掺Be的P型GaAs薄膜材料，其载流子浓度从1．54×10^15～1．85×10^19cm^-3。用远红外变换傅里叶光谱仪测量了其远红外反射光谱，并对反射光谱进行了理论模拟和分析，计算得出了不同空穴浓度的P型GaAs在远红外波段的折射率、消光系数和吸收系数。发现在这一波段消光系数和吸收系数均随着载流子浓度的增加而增大，吸收系数最大值可达到4．0×10^4cm^-1。

关键词：光学材料光学常数远红外反射光谱 p型GaAs

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PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

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材料研究学报 2006年第6期20卷 621-625页

作者：徐天宁吴惠桢斯剑霄曹春芳黄占超浙江大学物理系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 详细信息

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构；降低Se/PbSe束流比至0．2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构；当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫．在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃．

关键词：无机非金属材料 PbSe单晶薄膜分子束外延应变弛豫螺旋结构

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氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究

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核技术 2007年第8期30卷 675-678页

作者：宋朝瑞程新红张恩霞邢玉梅俞跃辉郑志宏沈勤我张正选王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学物理系温州325000

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元... 详细信息

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。

关键词：高kHfON介电薄膜总剂量辐射陷阱电荷

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采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究

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无机材料学报 2012年第9期27卷 956-960页

作者：张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉温州大学物理与电子信息工程学院温州325035 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3... 详细信息

采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.

关键词：石墨烯原子层沉积 Al2O3薄膜

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基于相变存储器的SD卡系统设计

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半导体光电 2015年第4期36卷 661-666页

作者：王月青陈小刚蔡道林宋志棠李喜陈一峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,... 详细信息

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成。系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理。该SD卡系统容量为256kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s。

关键词：相变存储器 SD卡多接口SoC芯片坏块管理地址映射表

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六方氮化硼表面石墨烯纳米带生长与物性研究

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物理学报 2019年第16期68卷 91-103页

作者：陈令修王慧山姜程鑫陈晨王浩敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 上海科技大学物质学院上海200031

石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等... 详细信息

石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等石墨烯所不具有的新奇物理特性.这些特性使石墨烯纳米带成为未来探索石墨烯电子学应用所需要重点研究的对象.利用与石墨烯晶格结构相似的六方氮化硼(h-BN)作为绝缘介质衬底进行石墨烯及石墨烯纳米带制备,不仅可以有效地保持它们优异的本征性质,还可以开发出与主流半导体工艺相兼容的电子器件工艺与应用.本文回顾了近几年 h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带研究的发展历程,详细阐述了最近的材料制备和物性研究的进展,并对高质量 h-BN 衬底制备的最新进展进行介绍,以期为未来实现高质量 h-BN 表面石墨烯纳米带的规模化制备并最终实现电子器件应用奠定基础.最后本文对h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带的未来研究方向进行了展望.

关键词：石墨烯六方氮化硼石墨烯纳米带范德瓦尔斯异质结

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中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化(特邀)

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红外与激光工程 2022年第3期51卷 71-78页

作者：刘雨菲李欣雨王书晓岳文成蔡艳余明斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 上海微技术工业研究院上海201800

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm... 详细信息

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度,得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构。通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件,在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17 dB/cm,调制效率为2.86 V·cm,静态消光比为23.8 dB,3dB EO带宽为27.1 GHz。同时,与220 nm厚度顶层硅器件相比较,器件的综合性能更为优越。研究内容为后续器件实际制作提供了依据,也为后续2μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向。

关键词：硅基光电子学中红外波段调制器

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1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究

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半导体光电 2012年第5期33卷 636-640,644页

作者：柳庆博龚谦曹春芳汪洋岳丽严进一成若海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得... 详细信息

基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得单模使用的超短腔长超短外腔量子阱激光器,长腔长InAs/InP量子点激光器表现出较小的模式压缩比,更容易发生多模激射。

关键词：镜面外腔 InAs InP量子点激光器外腔调制模式压缩

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